• 제목/요약/키워드: E.800

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지리산지역(智異山地域)의 개미의 종류(種類)와 수직분포(垂直分布) (On the Kinds of Ants(Hymenoptera: Formicidae) and Vertical Distribution in Jiri Mountain)

  • 김창효;최병문
    • 한국응용곤충학회지
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    • 제26권3호
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    • pp.123-132
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    • 1987
  • 지리산지역(智異山地域)에 분포(分布)하는 개미의 종류(種類)와 수직분포(垂直分布)를 1984년(年)부터 3개년간(個年間) 15회(回)에 걸쳐 42개소(個所)에서 채집조사(採集調査)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 지리산지역(智異山地域)에 분포(分布)하는 개미의 종류(種類)는 3아과(亞科) 16속(屬) 31종(種)이었다. 2. 우세종(優勢種)은 곰개미(Formica japonica), 레만개미(Formica lemani), 고동털개미(Lasius niger), 누운털개미(Lasius alienus), 극동혹개미(Pheidole fervida) 및 빗개미(Myrmica ruginodis) 등 6종(種)이고, 희소종(稀少種)은 긴호리가슴개미(Leptothurax congruus), 혹개미(Pheidole nodus), 일본장다리개미(Aphaenogaster japonira), 에메리개미(Vollenhovia emeryi), 제주왕개미(Camponotus tokioensis), 가시개미(Polyrhachis lamellidens), 만주잘록개미(Plagiolepsis mandjurica), 북방뿔개미(Myrmica yessensis) 및 홈개미(Myrmica sulcinodis) 등 9종(種)으로 나타났다. 3. 아과별(亞科別) 종구성(種構成)은 불개미아과(亞科)(Formicinae) 16종(種), 두마디개미아과(亞科)(Myrmicinae) 13종(種), 침개미아과(亞科)(Ponerinae) 2종(種)으로 구성(構成)되어 있었다. 4. 침개미류(類)는 저지대(低地帶)에서 1,800m까지, 두마디개미류(類)와 불개미류(類)는 저지대(低地帶)에서 1,915m까지 분포(分布)하고 있었다. 천왕봉(天王峰)에는 빗개미(Myrmica ruginodis), 굽은자루뿔개미(Myrmica sp.), 북방뿔개미(Myrmica yessensis), 홈개미(Myrmica sulcinodis), 북방호리가슴개미(Leptothorax acevorum), 곰개미(Formica japonic), 레만개미(Formica lemani), 및 일본왕개미(Camponotus japonicus) 등 8종(種)만 분포(分布)하고 있었다. 한국홍가슴개미(Camponotus trox)의 수직적분포범위(垂直的分布範圍)는 $800{\sim}1,800m$였다.

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Development of Selective Butyrylcholinesterase Inhibitors Using (R)-Lipoic Acid-Polyphenol Hybrid Molecules

  • Woo, Yeun-Ji;Lee, Bo-Hyun;Yeun, Go-Heum;Kim, Hyun-Ju;Ko, Jang-Myoun;Won, Moo-Ho;Lee, Bong-Ho;Park, Jeong-Ho
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권spc8호
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    • pp.2997-3002
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    • 2011
  • A series of hybrid molecules between (R)-lipoic acid (ALA) and the acetylated or methylated polyphenol compounds were synthesized and their in vitro cholinesterase [acetylcholinesterase (AChE) and butyrylcholinesterase (BuChE)] inhibition activities were checked. The $IC_{50}$ values of all hybrid molecules for a BuChE inhibition were lower than those of the single parent compounds. Specifically, ALA-acetyl protected caffeic acid (11, ALA-AcCA) was shown as an effective inhibitor of BuChE ($IC_{50}=0.5{\pm}0.2\;{\mu}M$) and also had a great selectivity for BuChE over AChE (more than 800 fold). Inhibition kinetic study indicated that 11 is a mixed inhibition type. Its binding affinity ($K_i$) value to BuChE is $1.52{\pm}0.18\;{\mu}M$.

재산화 질화산화 게이트 유전막을 갖는 전하트랩형 비휘발성 기억소자의 트랩특성 (Trap characteristics of charge trap type NVSM with reoxidized nitrided oxide gate dielectrics)

  • 홍순혁;서광열
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.304-310
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    • 2002
  • 실리콘 기판 위의 초기 산화막을 NO 열처리 및 재산화 공정방법으로 성장한 재산화된 질화산화막을 게이트 유전막으로 사용한 새로운 전하트랠형 기억소자로의 응용가능성과 계면트랩특성을 조사하였다. 0.35$\mu$m CMOS 공정기술을 사용하여 게이트 유전막은 초기산화막을 $800^{\circ}C$에서 습식 산화하였다 전하트랩영역인 질화막 층을 형성하기 위해 $800^{\circ}C$에서 30분간 NO 열처리를 한 후 터널 산화막을 만들기 위해 $850^{\circ}C$에서 습식 산화방법으로 재산화하였다. 프로그램은 11 V, 500$\mu$s으로 소거는 -l3 V, 1 ms의 조건에서 프로그래밍이 가능하였으며, 최대 기억창은 2.28 V이었다. 또한 11 V, 1 ms와 -l3 V, 1 ms로 프로그램과 소거시 각각 20년 이상과 28시간의 기억유지특성을 보였으며 $3 \times 10^3$회 정도의 전기적 내구성을 나타내었다. 단일접합 전하펌핑 방법으로 소자의 계면트랩 밀도와 기억트랩 밀도의 공간적 분포를 구하였다. 초기상태에서 채널 중심 부근의 계면트랩 및 기억트랩 밀도는 각각 $4.5 \times 10^{10}/{cm}^2$$3.7\times 10^{1R}/{cm}^3$ 이었다. $1 \times 10^3$프로그램/소거 반복 후, 계면트랩은 $2.3\times 10^{12}/{cm}^2$으로 증가하였으며, 기억트랩에 기억된 전하량은 감소하였다.

참나무를 이용한 BAC(Biological Activated Carbon) Process용 활성탄 제조에 관한 연구 (A Study on the Preparation of GAC(Granular Activated Carbon) for BAC(Biological Activated Carbon) Process using Oak Wood)

  • 최정일;이상봉;김동윤
    • 대한환경공학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.1037-1044
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    • 2000
  • 본 연구에서는 국내에서 쉽게 구할 수 있으며 탄화시 높은 강도를 가질 수 있는 참나무를 이용하여 생물 활성탄 공정(BAC)에 적합한 활성탄, 즉 흡착뿐만 아니라 미생물의 안식처로서의 역할을 할 수 있는 거대 세공이 많이 발달된 활성탄을 제조하는데 그 주안점을 두었다. 활성탄의 제조는 인산 침적에 의한 화학적 활성화법을 이용하여 제조하였고 제조된 활성탄의 요오드 흡착력(mg/g), 메틸렌 블루 탈색력(mg/g), B.E.T Method에 의한 비표면적($m^2/g$), 세공 크기 분포(Pore size distribution)를 분석하여 현재 생물 활성탄 공정에 많이 사용되고 있는 P사의 'picabiol' 활성탄과 비교하였다. 본 연구에서 사용된 화학적 활성화법의 주인자는 인산의 침적농도, 활성화 용도, 그리고 활성화 시간이다. 이중 활성화 시간은 예비 실험으로 3시간으로 고정시켰다. 최적 활성화 온도와 인산 첨적 농도를 찾기 위하여 활성화 온도는 $600^{\circ}C$에서 $800^{\circ}C$ 로 변화시켰으며 인산 침적 농도는 35wt%에서 50wt%로 변화시켰다. 이렇게 제조된 활성탄 중 $800^{\circ}C$에서 활성화시켰을 때 모든 인산 침적 농도에서 요오드 흡착력(1000~1100 mg/g)과 메틸렌 블루 탈색력(200~400 mg/g)으로서 가장 높은 효율의 활성탄을 얻을 수 있었으며 picabiol과 비교하여 보았을 때 비슷하거나 더 높은 효율의 활성탄을 제조할 수 있었다.

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실리콘고무 함량이 EPDM 고무의 열적 안정성에 미치는 영향 (Effect of Silicone Rubber Content on Thermal Stabilities of EPDM/Silicone Blends)

  • 박수진;김종학;주혁종;김범용
    • Elastomers and Composites
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    • 제40권4호
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    • pp.266-271
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    • 2005
  • 실리콘 고무 (SR) 함량이 EPDM/SR 블랜드의 열안정성에 미치는 영향을 고찰하기 위하여 질소 분위기하에서 TGA 열분석을 수행하여 열분해온도, 열분해 활성화에너지 ($E_d$), 열분해 후 잔여량 등 열안정성 인자들을 알아보았다. 실험 결과, SR 첨가량이 10 wt%일 경우 블랜드의 열분해 곡선은 순수한 EPDM 고무와 비슷한 경향을 보였으나, SR 함량이 증가함에 따라 블랜드의 열분해는 더 높은 온도에서 진행되었다. 순수한 EPDM 고무인 경우 $E_d$ 값은 처음에는 서서히 감소하다가 분해분율이 20 wt%이상에서는 거의 일정한 값을 나타내었다. SR 함량이 10-20 wt%일 경우 블렌드의 $E_d$은 순수한 EPDM 고무의 경우보다 높은 값을 나타내었으며, 분해분율이 증가함에 따라 점차 감소하였다. 반면에 SR 첨가량이 30 wt%일 경우 블렌드의 $E_d$은 순수한 EPDM 고무의 경우보다 낮은 값을 나타내었으며, 분해분율이 증가함에 따라 서서히 감소하였다. 또한, $800^{\circ}C$에서의 열분해 후 잔여량은 SR 함량이 증가함에 따라 증가하였으며, 이는 분해된 실록산 그룹이 경화된 수지의 표면에 보호막을 형성하여 열전달 및 확산을 제한한 것으로 판단된다.

GaOOH 선구체의 스핀코팅에 의한 GaN 박막의 성장 (Growth of GaN Thin-Film from Spin Coated GaOOH Precursor)

  • 이재범;김선태
    • 한국재료학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.1-5
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    • 2007
  • GaN thin fan were grown by spin coated colloidal GaOOH precursor. Polycrystalline GaNs with crystalline size of $10{\sim}100nm$ were grown on $SiO_2$ substrate. The shape of crystallite above $900^{\circ}C$ had the hexagonal plate and column type. X-ray diffraction patterns for them correspond to those of the hexagonal wurtzite GaN. With increasing droplets. i.e, thickness of deposited layers, XRD intensity increased. PL (photoluminescence) spectrum consisted with an weak near band-edge emission at 3.45 eV and a broad donor-acceptor emission band at 3.32 eV. From the low temperature PL measurement on GaN grown at $800^{\circ}C$ that the shallow donor-acceptor recombination induced emission was more intense than the near band-edge excitonic emission.

삼중접합 태양전지에서 Intrinsic Layer 밴드갭 가변을 통한 태양전지 고효율화 시뮬레이션 (Optimization of I layer bandgap for efficient triple junction solarcell by ASA simulation)

  • 강민호;장주연;백승신;이준신
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2011년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.64.1-64.1
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    • 2011
  • 다중접합 태양전지는 흡수대역이 다른 juntion으로 구성되어, 각각의 태양전지 간의 전류정합(current matching)이 효율 향상에 중요하다. 본 실험에서는 Top cell에 i-a-Si:H(Thinckness:100nm), Middle cell에는 i-a-SiGe:H(Thickness:800nm)을 적용하였고, bottom cell에는 i-${\mu}c$-Si:H(Thickness:1800nm), 수광부의 p-layer에 에 SiOx을 이용하여 triple juntion amorphous silicon solar cell(삼중접합태양전지)을 구현하였다. 이를 최적화 시키기 위해 ASA simulation을 이용하여 각 Cell의 intrinsic layer의 밴드갭을 가변하였다. 가변 결과 i-a-Si:H : 1.85 eV, i-a-SiGe:H: 1.6 eV, i-${\mu}c$-Si:H: 1.4 eV에서 태양전지 효율 14.5 %을 기록 하였다. 본 연구를 통해 Triple juntion cell에서의 intrinsic layer의 밴드갭 최적화를 구현해 볼 수 있었다.

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Boron 이온이 주입된 GaAs의 열처리에 따른 발광특성에 관한 연구 (A Study on the Photoluminescence of Boron lon Implanted GaAs)

  • 최현태;손정식;배인호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제11권9호
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    • pp.700-704
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    • 1998
  • In this paper, the optical properties of boron ion implanted GaAs were investigated by photoluminescence(PL) measurements. The implantations were preformed at room temperature with the energy of 150 eV. The range of implanted dose was $10^{12}~10^{15} ions/cm^2$. The boron implanted samples were annealed between $450^{\circ}C$ and $800^{\circ}C$ for 20 minutes. The crystallinity of low dosed samples were increased with increasing annealing temperature up to $700^{\circ}C$ while that of the high dosed($10^{15} ions/cm^2$) was almost same. From the samples with dose of $10^{14}~10^{15} ions/cm^2$, two emission bands were observed at 1.438 eV (B1) and 1.459 eV (B2) after the thermal treatment. These emission bands seems to be attributed to the $B_{Ga}$-defect complex.

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PICTS 방법에 의한 급속열처리시킨 반절연성 InP(100)에서 깊은준위에 관한 연구 (A Study on Deep Levels in Rapid Thermal Annealed PICTS Semi-Insulating InP(100) by PICTS)

  • 김종수;김인수;이철욱;이정열;배인호
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권8호
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    • pp.800-806
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    • 1997
  • The behavior of de levels in rapid thermal annealed Fe-doped semi-insulating InP(100) was studied by photoinduced current transient spectrocopy(PICTS). In bulk InP, T2(Ec-0.24 eV), T3(Ec-0.30 eV) and T5(Ec-0.62 eV) traps were observed. After annealing the T2 trap was annihilated at 20$0^{\circ}C$ and recreated at 35$0^{\circ}C$. T3 trap was not affected below 40$0^{\circ}C$. With increasing temperature the concentration of T5 trap reduced and it was annihilated at 30$0^{\circ}C$. However the T1(Ec-0.16 eV) and T4(Ec-0.42 eV) traps were began to appear at 40$0^{\circ}C$and these concentrations were increased with annealing temperature. The T1 and T4 traps seem to be related to the isolated phosphorus vacancy( $V_{p}$) and $V_{p}$-indium antisite( $V_{p}$- $P_{in}$ ) or $V_{p}$-indium interstitial( $V_{p}$-I $n_{I}$) respectiely.respectiely.

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Post-pillars design for safe exploitation at Trepça hard rock mine (Kosovo) based on numerical modeling

  • Ibishi, Gzim;Genis, Melih;Yavuz, Mahmut
    • Geomechanics and Engineering
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    • 제28권5호
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    • pp.463-475
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    • 2022
  • In the mine exploitation stage; one of the critical issues is the stability assessment of post-pillars. The instability of post-pillars leads to serious safety hazards in mining operations. The focus of this study is to assess the stability of post-pillars in the 130# stope in the central ore body at Trepça hard rock mine by employing both conventional (i.e., critical span curve) and numerical methods (i.e., FLAC3D). Moreover, a new numerical based index (i.e., Pillar Yield Ratio-PYR) was proposed. The aim of PYR index is to determine a border line between stable, potentially unstable, and failure state of post-pillars at a specific mine site. The critical value of pillar width to height ratio is 2.5 for deep production stopes (e.g., > 800 m). Results showed that pillar size, mining height and mining depth significantly have affected the post-pillar stability. The reliability of numerical based index (i.e., PYR) is verified based on empirical underground pillar stability graph developed by Lunder, 1994. The proposed pillar yield ratio index and pillar stability graph can be used as a design tool in new mining areas at Trepça hard rock mine and for other situations with similar geotechnical conditions.