• 한국보육지원학회지
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• 제8권3호
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• pp.249-272
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• 2012

본 연구는 보육발전과정에서 보육교사 처우관련 정책이 소외되어 왔다는 문제를 인식하고 보육교사의 처우현황을 분석하여 이의 개선방안을 제안하고자 시도되었다. 이를 위해서 보육교사 처우와 관련된 정부의 정책, 정부출연 연구기관의 연구물, 관련 통계, 그리고 선행연구 문헌을 수집 분석하였다. 본 연구의 분석결과 보육교사의 처우가 유사직종의 보수 수준에 비해 현저하게 낮아 시급한 개선이 요구되고 있음을 확인하였다. 이러한 문제점을 개선하기 위해서 보육교사의 학력과 자격급수가 고려된 보수체계의 마련, 호봉 승급제도의 실시, 수당항목의 명시적 제시 등을 제안하였다. 이외에도 원장초임 호봉의 상향조정, 초과근 무수당의 지급규정 준수, 정부 미지원 어린이집 교사의 인건비 관련 규정 명시, 그리고 정부지원어린이집에 대한 정부의 인건비 지원 비율 조정 등과 같은 보육교사 처우를 위한 개선책이 시급하게 마련되어야 할 것을 제안하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권6호
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• pp.360-364
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• 2015

Electronic systems based on solid state devices have changed to be more complicated and miniaturized as the electronic systems developed. If the electronic systems are exposed to HPEM (high power electromagnetics), the systems will be destroyed by the coupling effects of electromagnetic waves. Because the HPEM has fast rise time and high voltage of the pulse, the semiconductors are vulnerable to external stress factor such as the coupled electromagnetic pulse. Therefore, we will discuss about malfunction behavior and DFR (destruction failure rate) of the semiconductor caused by amplitude and repetition rate of the pulse. For this experiment, the pulses were injected into the pins of general purpose IC due to the fact that pulse injection test enables the phenomenon after the HPEM is coupled to power cables. These pulses were produced by pulse generator and their characteristics are 2.1 [ns] of pulse width, 1.1 [ns] of pulse rise time and 30, 60, 120 [Hz] of pulse repetition rate. The injected pulses have changed frequency, period and duty ratio of output generated by Timer IC. Also, as the pulse repetition rate increases the breakdown threshold point of the timer IC was reduced.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.7-13
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• 2010

본 논문에서는 전자기파 장애(EMI)의 감소를 위한 위상 보간기 기반의 새로운 스프레드 스펙트럼 클락 발생기(SSCG)를 제시한다. 제안하는 SSCG는 낮은 설계 복잡도와 저전력 및 작은 칩면적을 갖으며 삼각 주파수 변조를 이루기 위해 디지털적으로 조절 가능한 위상 보간 방식을 사용하였다. 이 새로운 SSCG는 듀티 싸이클 왜곡 없이 200MHz에서 ${\pm}2%$의 센터-스프레드 스펙트럼 범위를 갖는 시스템 클락을 발생시킬 수 있다. 이 위상 보간기 기반의 SSCG 회로는 200MHz에서 약 5.0 mW의 전력을 소모하고, 0.18-um 1.8-V CMOS 공정을 사용하여 설계하여 검증하였으며 $0.092mm^2$의 칩 면적을 차지한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자 분야
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• pp.155-158
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• 2000

Influence of sustain pulse-width on electro-luminous efficiency is experimentally investigated for surface discharge of AC-PDP. A square pulse with variable duty ratio and rising time of 300 ns has been used in the experiment. It is found that the firing voltage is decreased as the pulse-width is increased from 2 ${\mu}s$ to 8 ${\mu}s$ with sweeping frequency range of 10 kHz to 50 kHz. It has been found that the optimal sustain pulse-width is in the range of $3{\sim}4{\mu}s$ under driving frequency range of 30 kHz and 50 kHz, based on observation of memory coefficient, wall charge, and wall voltage as well as luminous efficiency.

• 전력전자학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.131-137
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• 1998

태양전지의 출력특성은 일사량, 온도와 부하에 의해 크게 변동하기 때문에 가능한 한 많은 에너지를 얻기 위해서는 태양전지의 출력을 항상 최대로 제어할 필요가 있다. 또한 가정용 부하는 교류부하인 반면에 태양전지의 출력은 직류이므로 태양광 발전 시스템에서는 인버터가 필수적이며, 단위역률을 갖는 정현파 전류 및 전압을 계통에 공급해 주어야 한다. 본 논문에서는 계통연계형 태양광 발전시스템을 승압쵸퍼와 전압형 인버터로 구성하였다. 전력비교에 따른 시비율을 변화시켜 일사량과 온도변화에 관계없이 항상 최대출력점을 추적하도록 승압쵸퍼를 제어하였고, 전압형 인버터는 위상동기를 위해서 계통전압을 검출하여 계통전압과 인버터 출력을 동상 운전하므로 고역률과 저고조파 출력으로 부하와 계통에 전력이 공급되도록 제어하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.535-538
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• 1994

In this paper, an isolated ZVS-PWM boost converter is proposed for single stage line conversion. For power factor correction, we used the half bridge topology at the primary side of isolation transformer permitting switching devices to operate under ZVS by using circuit parastics and operating at a fixed duty ratio near 50%. Thus the relatively continuous input current distortion and small size input filter are also achievable. The ZVS-PWM boost operation of the proposed converter can be achieved by using the boost inductor $L_f$, main switch $Q_3$, and simple auxiliary circuit at the secondary side of isolation transformer. The secondary side circuit differ from a conventional PWM boost converter by introduction a simple auxiliary circuit. The auxiliary circuit is actived only during a short switching transition time to create the ZVS condition for the main switch as that of the ZVT-PWM boost converter. With a single stage, it is possible to achieve a sinusoidal line current at unity power factor as well as the isolated 48V DC output. Comparing to the two stage schemes, overall effiency of the proposed converter is highly improved due to the effective ZVS of all devices as well as single stage power conversion. Thus, it can be operated at high switching frequency allowing use of small size input filter. Minimum voltage and current stress make it high power application possible.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.1405-1410
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• 2015

본 연구에서는 정상 운전이나 사고 시 발생되는 고방사선 환경에서 다양한 센서에 공통적으로 사용할 수 있는 내방사선 센서 신호처리 모듈을 설계하였다. 개발한 초기 모듈은 센서의 저항(R)과 정전용량(C) 값의 변화를 입력으로 받아 PWM 신호 변조방식으로 처리하도록 설계되었다. 이 모듈은 총 약 12 kGy 방사선 평가시험에서 Full-Scale 대비 ±10 % 오차범위를 가지고 있었다. 오차 발생의 주요 원인은 방사선 피폭량의 증가에 따른 공통회로 내 스위칭 소자의 열화와 이로 인한 펄스폭 변조회로의 듀티 비 증가로 분석되었다. 이 분석결과를 반영한 방사선 내성강화를 위해 방사선에 의한 특성변화를 상쇄하는 회로를 추가하여 재설계하였고, 20.7 kGy 범위의 TID 시험에서 Full-scale 대비 5% 이하 오차로 개선결과를 얻었다.

• 전력전자학회논문지
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• 제17권4호
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• pp.306-314
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• 2012

In case of the conventional DC-AC inverter using two DC-DC converters with unipolar output capacitor voltages, for generating the AC output voltage, the output capacitor voltages of its each DC-DC converter must be higher than the DC input voltage. To solve this problem, this paper proposes a single-phase DC-AC inverter using two embedded Z-source converters with bipolar output capacitor voltages. The proposed inverter is composed of two embedded Z-source converters with common DC source and output AC load. The AC output voltage is obtained by the difference of the output capacitor voltages of each converter. Though the output capacitor voltage of converter is relatively low compared to the conventional method, it can be obtained the same AC output voltage. Moreover, by controlling asymmetrically the output capacitor voltage, the AC output voltage of the proposed system is higher than the DC input voltage. To verify the validity of the proposed system, a DSP(TMS320F28335) based single-phase embedded Z-source DC-AC inverter was made and the PSIM simulation was performed under the condition of the DC source 38V. As controlled symmetrically and asymmetrically the output capacitor voltages of each converter, the proposed inverter could produce the AC output voltage with sinusoidal waveform. Particularly, in case of asymmetric control, a higher AC output voltage was obtained. Finally, the efficiency of the proposed system was measured as 95% and 97% respectively in case of symmetric and asymmetric control.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.200-200
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• 2013

기존 메모리 반도체에 비교해 빠른 재생속도와 높은 집적도, 비휘발성 등의 특성을 가지는 MRAM (Magnetic Random Access Memory)은 DRAM, flash memory 등을 대체할 수 있는 차세대 기억 소자로서 CoFeB/MgO/CoFeB로 구성된 한 개의 MTJ (Magnetic Tunnel Junction)를 단위 메모리로 사용한다. 이 MTJ 물질들은 고밀도 플라즈마를 이용한 건식 식각공정시 Cl2, BCl3 등과 같은 chlorine 을 포함한 가스를 이용하여 왔으나 식각 후 sidewall에서 발생하는 부식과 식각 선택비 확보의 어려움 등으로 마스크 물질에 제약을 받고 소자 특성이 감소하게 되는 등의 문제가 있다. 따라서 이러한 식각 문제점을 해결하기 위한 대안으로 noncorrosive 가스인 CO/NH3, CH3OH, CH4 등을 이용한 MTJ 식각 연구가 진행되어 오고 있으며 이중 CO/NH3 혼합가스는 부식성이 없고 hard mask와의 높은 선택비를 가지는 기체로 CO gas에 NH3 gas를 첨가하게 되면 etch rate이 증가하는 특성을 보인다. 또한 rf pulse-biased power를 이용하여 이온의 입사를 시간에 따라 제어함으로써 pulse off time 때 etch gas와 MTJ 물질간의 chemical reaction을 향상시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 CO/NH3 혼합가스를 이용하여 다양한 rf pulse-biased power 조건에서 MTJ 물질인 CoFeB, MgO와 hard mask 물질인 W을 식각 한 뒤 식각특성을 분석하였으며 MTJ surface의 chemical binding state, surface roughness 측정을 진행하였다. 식각 샘플의 측정은 Alpha step profiler, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), AFM (Atomic Force Microscopy)를 통해 진행되었다. Time-averaged pulse bias에서는 duty ratio가 감소할수록 etch rate의 큰 감소 없이 CoFeB/W, MgO/W 물질의 etch selectivity가 향상됨을 확인할 수 있었으며 pulse off time 구간에서의 chemical reaction 향상으로 인해 식각부산물의 재증착이 감소하고 CoFeB의 surface roughness가 감소하는 것을 확인하였다.

• 한국자동차공학회논문집
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• 제20권4호
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• pp.142-149
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• 2012

The reduction characteristics of $NO_2$ to NO are experimentally studied over a platinum-based catalyst, especially at lower temperatures below about $200^{\circ}C$. In the present work, two types of steady-state experiments, engine bench and synthetic gas bench tests, are carried out in sequence. Steady-state engine bench tests with the DOC mounted on a light duty 4-cylinder 2.0 liter turbocharged diesel engine are performed and prove that CO plays a major role in $NO_2$ abatement at temperatures below the light-off temperature of CO oxidation, about $200^{\circ}C$. Synthetic gas bench tests are then performed using synthetic gas mixtures with CO, $C_3H_6$, NO, $NO_2$, $O_2$, $H_2O$ and $N_2$ in the $140{\sim}450^{\circ}C$ T-range and show that both CO and $C_3H_6$ are capable of reducing $NO_2$. It is noted that the reaction rate of $NO_2$ with $C_3H_6$ is much higher than that with CO. At temperatures below about $200^{\circ}C$, the reduction of $NO_2$ to NO is promoted with increasing CO concentration and $NO_2$/$NO_X$ ratio and with decreasing $O_2$ concentration, as well as with the presence of $H_2O$.