• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제11권3호
• /
• pp.120-125
• /
• 2010

For the fabrication of PMOS and integrated semiconductor devices, B, $BF_2$ and dual elements with B and $BF_2$ can be implanted in silicon. 15 keV B ions were implanted in silicon at $7^{\circ}$ wafer tilt and a dose of $3.0{\times}10^{16}\;cm^{-2}$. 67 keV $BF_2$ ions were implanted in silicon at $7^{\circ}$ wafer tilt and a dose of $3.0{\times}10^{15}\;cm^{-2}$. For dual implantations, 67 keV $BF_2$ and 15keV B were carried out with two implantations with dose of $1.5{\times}10^{15}\;cm^{-2}$ instead of $3.0{\times}10^{15}\;cm^{-2}$, respectively. For the electrical activation, the implanted samples were annealed with rapid thermal annealing at $1,050^{\circ}C$ for 30 seconds. The implanted profiles were characterized by using secondary ion mass spectrometry in order to measure profiles. The implanted and annealed results show that concentration profiles for the ${BF_2}^+$ implant are shallower than those for a single $B^+$ and dual ($B^+$ and ${BF_2}^+$) implants in silicon. This effect was caused by the presence of fluorine which traps interstitial silicon and ${BF_2}^+$ implants have lower diffusion effect than a single and dual implantation cases. For the fabricated diodes, current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) were also measured with HP curve tracer and C-V plotter. Electrical measurements showed that the dual implant had the best result in comparison with the other two cases for the turn on voltage characteristics.

• 한국진공학회지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.241-246
• /
• 2001

투명한 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephtalate : PET) 막에 100 keV 이하의 에너지 범위에서 단독 또는 두 이온을 주입하여 표면의 경도 및 광투과도의 변화를 측정하였다. Nano-indentation방법을 사용하여 표면의 경도를 측정한 결과, 표면에서 50 nm 깊이에서 최고 경도가 형성되었고 최고경도를 기준으로 질소 이온 단독으로 주입하였을 때 표면 경도는 약 3배 이상 향상됨과 동시에 광투과도는 550 nm(가시광선 영역) 이상의 파장에서 85％ 이상, 300 nm 이하(자외선 영역)의 파장에서는 95％ 이상의 빛을 차단하여 투명성 유지와 동시에 자외선 차단 효과가 있었다. 두 이온, 즉 He과 N, N와 C 이온들을 PET에 주입하였을 때 질소 단독으로 주입하였을 때보다도 표면의 경도는 훨씬 더 상승하였으며 N과 C 이온을 주입하였을 경우 가장 높았으며 약 5배 이상 더 상승하였다. 이 결과는 이온 주입에 의한 경도 향상은 일반적으로 고분자 재의 경우 교차결합(cross linking)이 기구로 고려되나 이중 이온 주입의 경우 교차결합 뿐만 아니라 주입이온간 또는 이온과 matrix 원소들간의 반응에 의한 경한 게재물 형성도 고려될 수 있음을 보여준다. N 및 C 이온을 주입하였을 경우 경도의 향상이 가장 컸는 이유는 교차결합 뿐만 아니라 주입이온간의 반응으로 매우 경한 C-N화합물의 형성에 기인된 것으로 고려된다.