• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.223.2-223
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• 2003

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제5회(2016년)
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• pp.344-346
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• 2016

본 논문에서는 3-stream model에 기반한 Dopant diffusion simulator를 사용하여 실리콘 기판 내부의 As이온의 확산을 시뮬레이션한 결과와 Dual-Pearson Analytic model에 기반하여 Ion implantation을 1-D doping simulation한 결과를 토대로 여러 공정 설계에서 diffusion simulator의 사용가능함을 확인하였다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1999년도 추계학술발표회요약집
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• pp.214.2-214
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• 1999

• 한국결정성장학회지
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• 제25권4호
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• pp.135-139
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• 2015

단결정 ingot 성장기술 중 하나인 traveling heater method(THM) 기술을 이용하여 n형 열전소재인 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 고용체화합물을 성장하였다. 고용체 화합물내 $CdCl_2$와 $SbI_3$을 첨가하여 dopant의 영향을 확인하였고 각각의 dopant의 최적의 첨가량[$CdCl_2$ 0.1 wt%(Z: $2.73{\times}10^{-3}/K$), $SbI_3$ 0.05 wt%(Z: $2.29{\times}10^{-3}/K$)]을 확인하였다. THM 기술을 통해 성장된 ingot의 각 부위별 열전특성을 확인해 본 결과 주요 인자들의 표준편차가 낮은 매우 균질화된 특성을 보였다. 또한 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 고용체화합물의 비등방성 지수와 dopant와의 관계를 확인하기 위하여 $90(Bi_2Te_3)10(Bi_2Se_3)$ 조성의 고용체화합물에 donor dopant로서 $CdCl_2$(0.05~0.1 wt%)을 첨가하여 dopant의 증가에 따른 비등방성 지수의 변화를 확인해본 결과 dopant가 증가함에 따라 비등방성 지수가 변하는 것을 확인하였고 이러한 비등방성 지수의 변화가 실제 열전성능에 크게 영향을 미치는 것을 확인하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권5호
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• pp.1475-1482
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• 2011

New spiro[benzo[c]fluorene-7,9'-fluorene] (SBFF)-based blue host materials, 9-phenyl-SBFF (BH-4P) and 5,9-diphenyl-SBFF (BH-6DP), were successfully prepared by spiro-formation of 9-phenyl-7H-benzo[c]fluoren-7-one with 2-bromobiphenyl via lithiation and reaction of 5,9-dibromo-SBFF with phenylboronic acid through the Suzuki reaction, respectively. Diphenyl-[4-(2-[1,1;4,1]terphenyl-4-yl-vinyl)-phenyl]-amine (BD-1) and N,N-diphenyl-N',N'-diphenyl-SBFF-5,9-diamine (BD-6DPA) were used as dopant materials. Blue OLEDs with the configuration ITO/N,N'-bis-[4-(di-m-tolylamino)phenyl]-N,N'-diphenylbiphenyl-4,4'-diamine (DNTPD)/bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl]benzidine (NPB)/host:5% dopant/SFC-137/Al-LiF were prepared from the two host materials doped with BD-1 and BD-6DPA dopants and the devices composed of BH-4P and BH-6DP doped with BD-6DPA showed blue EL spectra at 458 and 463 nm at 7 V and luminance efficiencies of 4.58 and 4.88 cd/A, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.92.2-92.2
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• 2015

Negative-AND (NAND) flash의 대용량 및 소형화로 인해 10 nm급 공정을 도입한 128 Gb NAND flash가 개발된 이래, 공정이 미세화되면서 셀이 작이지고 간격이 좁아지게 되었다. 이로 인해 전자가 누설되는 간섭현상이 심화되게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 NAND의 평면 구조를 수직으로 적층하는 3D NAND 기술이 개발되었으며 차세대 소자를 위한 필수 기술로 각광받고 있다. 3D NAND에서 channel hole etching시 고 선택 비의 중요도가 증가하여 증착막 보호 역할을 하는 hardmask의 두께가 증가하게 되었으며 기존 하드마스크 대비 내식각성이 2배 이상 향상된 hard material 개발이 필요한 실정이다. 본 연구에서는 dopant에 따른 amorphous carbon layer (ACL)의 etch rate의 변화량을 Raman spectroscopy등의 측정장비를 이용하여 비교분석 하였다. dopant의 각각 유량별에 대한 etch rate 변화의 영향성을 비교하였다. dopant의 유량에 따라 etch rate이 변화하는 것을 관찰할 수 있었으며, 2000 sccm 이후에는 etch rate이 급격히 감소하는 경향을 보였다. Raman 측정결과, etch rate의 감소에 따라 G-peak의 red shift가 발생하였으며 두 peak 간의 차이 값이 etch rate의 변화율과 유사한 경향을 보이는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 춘계학술대회 및 기술 세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.29-30
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• 2008

New spiro-type host materials, 5'-phenylnaphthyl-spiro[fluorene-7,9'-benzofluorene](BH-lPN) and 5',6-bis(phenylnaphthyl)-spiro[fluorene-7,9'-benzofluorene](BH-6PN) were designed and successfully prepared by the Suzki reaction. The EL characteristics of BH-1PN as blue host material doped with blue dopant materials, BD-1 were evaluated and compared with the existing host MADN:dopant BD-1 system. The structure of the device is ITO/DNTPD/NPB/Host:5% dopant/Alq3/Al-LiF. The device obtained from BH-lPN doped with BD-1 showed a good color purity and efficiency, on the other hand luminance and current-density characteristics are worse than that of MADN doped with BD-1.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.1039-1044
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• 2009

Red color OLED has been fabricated by the doping method apply to CBP using co-evaporation, GDI4349 of phosphorescent dopant, and rubrene of fluorescent dopant. The OLED structure are multi-layer of ITO(150 nm)/ELM_HIL(50 nm)/ELM_HTL(30 nm)/CBP : Rubrene, GDI4349 (30 nm)/BAlq (30 nm)/LiF(0.7 nm)/Al (100 nm). Accomplished best result at 3 vol.% of rubrene when the OLEDs were made of 1, 3, 5, 7, 9 vol.% doped rubrene. The highest efficiency of 7.2 cd/A was resulted at 8 vol.% of GDI4349 when the OLEDs were made among 5, 8, 11, 14 vol.% of GDI4349. Obviously, the best concentration of rubrene at 3 vol.% and changing GDI4349 concentration to 5, 8, 11, 14 vol.% OLED dramatically enhanced characteristic of resulted 10.7 cd/A at 8 vol.% of GDI4349. This result would understand to analyse as the emission efficiency increases by energy transport efficiency increase using GDI4349 energy transfer when rubrene absorbs the energy from CBP of fluorescences host.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.835-838
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• 1992

The $TiN/TiSi_2$ bilayer has been studied for contact barrier layer at ULSI recently. The $TiN/TiSi_2$ bilayer was formed by RTA in $NH_3$ ambient simultaneously after the Ti film was deposited on silicon substrate. In this paper, properties of $TiN/TiSi_2$ bilayer was evaluated according to $BF_2$ dopant concentration and dopant redistribution in $TiN/TiSi_2$ bilayer was also analyzed. In this experiment, the composition and structure of $TiN/TiSi_2$ bilayer were constant even though dopant concentration increased but silicide growth rate decreased. Boron atoms were redistributed within TiN film and at $TiSi_2Si$ interface during the bilayer formation.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1573-1576
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• 2007

ABCV-Py, a new red fluorescent material, in which two identical electron donor (dimethylamino group) and acceptor (cyano group) moieties are linked to two independent biphenyl groups which share the same core phenyl, has been synthesized for use in OLED application. Performance of red doped electroluminescent devices using ABCV-Py as dopant were measured with various host materials, $Alq_3$, CBP, DPVBi, and p-terphenyl. The performance of device with DPVBi host material was better than those with other host materials and high doping concentration could be applied on device with ABCV-Py as dopant.