Thermoelectric properties of Bi2Te2.7Se0.3 grown by traveling heater method

$Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ alloy which is typical n-type thermoelectric material were grown by traveling heater method (THM) technique. We investigate the effect of the composition of $100-x(Bi_2Te_3)-x(Bi_2Se_3)$ and doping of n-type dopants such as $SbI_3$ and $CdCl_2$. Maximum figure of merit of $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ alloy was observed with $CdCl_2$ 0.1 wt% (Z: $2.73{\times}10^{-3}/K$) and $SbI_3$ 0.05 wt% (Z: $2.29{\times}10^{-3}/K$). Deviation along the length of $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ ingot grown by THM method is low, which indicates that the ingot is very homogenized. Also we observed the close relationship of between anisotropy ratio and dopant in the $90(Bi_2Te_3)-10(Bi_2Se_3)$ alloys. And we confirmed the fact that anisotropy ratio exerts thermoelectric performance in $Bi_2Te_3$ based n-type thermoelectric material.

Traveling heater method에 의해 성장된 Bi2Te2.7Se0.3의 열전특성

단결정 ingot 성장기술 중 하나인 traveling heater method(THM) 기술을 이용하여 n형 열전소재인 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 고용체화합물을 성장하였다. 고용체 화합물내 $CdCl_2$와 $SbI_3$을 첨가하여 dopant의 영향을 확인하였고 각각의 dopant의 최적의 첨가량[$CdCl_2$ 0.1 wt%(Z: $2.73{\times}10^{-3}/K$), $SbI_3$ 0.05 wt%(Z: $2.29{\times}10^{-3}/K$)]을 확인하였다. THM 기술을 통해 성장된 ingot의 각 부위별 열전특성을 확인해 본 결과 주요 인자들의 표준편차가 낮은 매우 균질화된 특성을 보였다. 또한 $Bi_2Te_3-Bi_2Se_3$ 고용체화합물의 비등방성 지수와 dopant와의 관계를 확인하기 위하여 $90(Bi_2Te_3)10(Bi_2Se_3)$ 조성의 고용체화합물에 donor dopant로서 $CdCl_2$(0.05~0.1 wt%)을 첨가하여 dopant의 증가에 따른 비등방성 지수의 변화를 확인해본 결과 dopant가 증가함에 따라 비등방성 지수가 변하는 것을 확인하였고 이러한 비등방성 지수의 변화가 실제 열전성능에 크게 영향을 미치는 것을 확인하였다.