상용 CFD(Computational Fluid Dynamics) 프로그램인 PHOENICS를 이용하여 245kV $SF_6$ 가스 차단기의 진상소전류 차단성능을 평가하였다. 소전류 차단시에는 아크가 발생 즉시 소호되므로 $SF_6$ 가스를 전리가 일어나지 않은 냉가스로 취급할 수 있다. 그러므로 PHOENICS를 이용하여 극간의 $SF_6$ 가스밀도 및 전계의 변화를 계산하였으며 이것으로부터 극간 $SF_6$ 가스의 절연내력(Dielectric Strength)을 계산하였다. 계산된 $SF_6$ 가스의 절연내력과 아크 소호 후 극간에 인가되는 회복전압(Recovery Voltage)을 비교하여 차단기의 진상소전류 차단성능을 평가하였다. 245kV 차단기에는 전계를 완화하기 위한 목적으로 차단부에 쉴드가 설치되어 있으며 이 쉴드에 의한 소전류차단성능의 변화를 해석하였다.
In this study, recovery of plasma etching· damage in PZT thin film with additive gas and re-annealing after etching have been investigated. The PZT thin films were etched as a function of $Cl_2/CF_4$ with addition of Ar and $O_2$ with inductively induced plasma. The etch rates of PZT thin films were 1450 $\AA$/min at 30% additive Ar into $(Cl_2(80%)+CF_4 (20%))$ and 1100 $\AA$/min at 10% additive $O_2$ into $C(Cl_2(80%)+CF_4(20%))$. In order to recovery properties of PZT thin films after etching, the etched PZT thin films were re-annealed at various temperatures in at $O_2$ atmosphere. From the hysteresis curves, ferroelectrical properties are improved by $O_2$ re-annealing process. The improvement of ferroelectric behavior at annealed sample is consistent with the increase of the (100) and (200) PZT peaks revealed by x-ray diffraction (XRD). From x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, intensity of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak are increased and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ re-annealing. The ferroelectric behavior consistent with the dielectric nature of $Ti_xO_y$ is recovered by $O_2$ recombination during rapid thermal annealing process.
In this study, recovery of plasma etching damage in PZT thin film with additive gas and re-annealing after etching have been investigated. The PZT thin films were etched as a function of Cl$_2$/CF$_4$ with addition of Ar and $O_2$ with inductively induced plasma. The etch rates of PZT thin films were 1450$\AA$/min at 30% additive Ar into (Cl$_2$(80%)+CF$_4$ (20%)) and 1100$\AA$/min at 10% additive $O_2$ into C(Cl$_2$(80%)+CF$_4$ (20%)). In order to recovery properties of PZT thin films after etching, the etched PZT thin films were re-annealed at various temperatures in at $O_2$ atmosphere. From the hysteresis curves, ferroelectrical properties are improved by $O_2$ re-annealing process. The improvement of ferroelectric behavior at annealed sample is consistent with the increase of the (100) and (200) PZT peaks revealed by x-ray diffraction (XRD). From x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, intensity of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak are increased and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ re-annealing. The ferroelectric behavior consistent with the dielectric nature of Ti$_{x}$O$_{y}$ is recovered by $O_2$ recombination during rapid thermal annealing process.s.s.
Controlling ambient humid condition through high performance humidity sensors has become important for various fields, including industrial process, food storage, and the preservation of historic remains. Although aerosol deposited humidity sensors using ceramic BaTiO3 (BT) material have been widely studied because of their longtime stability, there remain critical disadvantages, such as low sensitivity, low linearity, and slow response/recovery time in case of the sensors fabricated at room temperature. To achieve superior humidity sensing properties even at room temperature condition, BT-Cu composite films utilizing aerosol deposition (AD) process have been proposed based on the percolation theory. The BT-Cu composite films showed gradually improved sensing properties until the Cu concentration reached 15 wt% in the composite film. However, the excessive Cu (above 30 wt%) containing BT-Cu composite films showed a rapid decrease of the sensing properties. The results of observed surface morphology of the AD fabricated composite films, to figure out the metal filler effect, showed correlation between surface topography as well as size and the amount of open pores according to the metal filler content. Overall, it is very important not only dielectric constant of the humidity sensing films but also microstructures, because they affect either the variation range of capacitance by ambient humidity or adsorption/desorption of ambient humidity onto/from the humidity sensing films.
The paper investigates the insulation properties of the supercritical $CO_2$ ($SCCO_2$) fluid as an insulating medium for electrical apparatuses. The insulating material is crucial for electrical apparatuses and $SF_6$ gas has been widely used for high power electrical apparatuses. There have been many research efforts to develop substituents for $SF_6$ gas because of high global warming potential. We obtained above 350 kV/mm insulation strength with 12.0 MPa $SCCO_2$. The positive and negative IEC standard pulses are applied between two 10 mm diameter spherical electrodes. The insulation strength of $SCCO_2$ is at least 2.5 times higher than that of $CO_2$ gas at 6.0MPa. The insulation strength of $SCCO_2$ fluid is about 10 times higher than that of $SF_6$ at 0.5MPa which is the ordinary operating pressure of electrical switchgears. Using the result, we expect that the time for switching and dielectric recovery could be reduced using $SCCO_2$ fluid as an insulating medium.
The variations of cold gas properties such as density, pressure, temperature and velocity which are dependent each other are closely related with the dielectric recovery of an interrupter. So, the pressure-rises at no-load in the puffer cylinder and in front of fixed arcing contact of 800kV model interrupter were measured experimentally using pressure transducers of strain gage type and semiconducting type, respectively. The maximum value of pressure-rise in the puffer cylinder increased almost linearly from 7.6 bar at the minimum operated pressure to 9.7 bar at the maximum operated pressure, while the pressure-rise in front of fixed arcing contact was independent with the operated pressure. The measured values will be utilized in verifying the self-developed cold flow analysis program and as an input of commercialized CFD program package.
식량증산을 위해 농약사용량이 증가함에 따라, 식품 중 잔류농약의 안전성 문제에 대한 관심은 날로 증가하고 있지만 효율적인 잔류농약 저감화 방법은 보급되지 못하고 있는 것이 현실이다. 최근에 기체 플라즈마에 의한 오염물질 제거는 고효율성과 환경친화성으로 많은 주목을 받고 있다. 특히 플라즈마는 수질 및 고체 표면 중 유기인계살충제, 페놀, 벤조산, 염료, 니트로벤젠과 같은 오염물질의 제거에 큰 효과가 있는 것으로 알려지고 있다. 본 연구는 플라즈마를 이용하여 농식품 중에 잔류되는 농약의 제거 가능성을 알아보고자 대기압 및 감압플라즈마 플라즈마 발생 상태에서 60종의 농약을 대상으로 분해양상을 파악해보고자 시도하였다. 시험용 농약을 유리판에 도포 후 대기압 및 감압 플라즈마 발생기에서 5분간 조사 후 잔류량을 확인 한 결과 대조구의 회수 분석결과가 70% 미만인 18종을 제외한 41종의 농약 분해율이 66.88-100%를 나타내었고, clothianidin은 감압플라즈마하에서 26.9%이 분해율을 보였다.
chloromethylated syrene, 1,4-divinylbenzene과 동공의 크기를 달리한 여러 가지 거대고리 화합물을 개시제로 하여 공중합법에 의하여 1%, 2%, 5%, 및 10%의 다리결합도를 가진 새로운 이온교환수지를 합성한 후 이 수지들을 에탄올 매질에서 열분석, pH, 시간, 다리결합도, 용매 등에 대하여 흡착특성 및 선택성을 살펴 보았다. 이 수지들은 강산, 강염기 및 열에 대해서 안정하였으며, pH 4.0 이상에서는 $UO_2^{+2}$이온에 대한 겉보기용량이 가장 크게 나타났고 U(VI)금속이온은 Ce(III)금속이온에 대하여 선택성을 보였다.
본 논문은 자동차 부품물류 철제카트나 팔레트에 적용 가능한 UHF(Ultra High Frequency) 대역의 RFID(Radio Frequency Identification) 태그를 소형의 케비티 구조로 장거리 인식이 가능하도록 설계를 하였다. 태그 안테나는 $140{\times}60{\times}10mm^3$ 크기로 해외에 수출되는 부품용 카트에 붙여지고, 입출고, 재고 등의 정보를 관리할 수 있다. 수출된 카트를 회수하여서 누락되는 카트나 팔레트의 회수율을 높여서 수출시 지불했던 카트에 관한 관세를 반납 받게 된다. 태그 안테나의 손상을 막기 위해 태그 안테나에 커버를 장착하고, 커버의 유전율을 감안하여 설계하였고, 실제 인식거리도 측정하였다. 태그안테나는 LP(Linear Polarization) 안테나로 12m, CP(Circular Polarization) 안테나로 약 10 m의 인식거리를 확보하였다. 본 920 MHz UHF RFID 태그는 케비티 구조로서 붙여지는 물체의 재질에 상관없이 안테나의 인식거리가 보장이 된다.
클로로메칠화된 스틸렌, 1,4-디비닐벤젠과 동공의 크기를 달리한 여러가지 거대고리화합물을 개시제로 하여 공중합법에 의하여 1%, 2%, 4% 및 10%의 다리결합도를 가진 새로운 이온교환수지를 합성하였다. 그리고 이들 수지에 대한 우라늄(VI), 구리(II), 및 희토류(III) 금속에 대한 흡착특성을 검토하였다. 이 수지들은 강산, 강염기 및 열에 대해서 안정하였으며 pH 4.0이상에서는 $UO_2^{+2}$의 흡착력이 증가하였다. U(Ⅵ)금속이온의 최적흡착시간은 20분이상이였으며 금속이온흡착력은 수지의 다리결합도와 흡착시 사용한 용액의 유전상수크기에 반비례하였다. 그리고 1% 다리결합도수지의 $UO_2^{2+}$이온에 대한 겉보기 용량이 가장 크게 났으며 U(VI)금속이온은 희토류(III)금속이온에 대하여 선택성을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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