본 연구에서는 광전자 소자에 폭넓게 사용되는 ZnCdSe 화합물 반도체의 end-point인 CdSe의 유전함수 spectrum을 Vacuum Ultra Violet spectroscopic ellipsometry(타원편광분석법) 측정하여 분석하였다. 측정 결과는 변수화 모델을 이용하여 분석하였으며 그 결과 6 eV 이상에 존재하는 전자전이점들을 확인할 수 있었고 CdSe의 Critical Point(CP) 구조를 수치화 함으로써 온도나 화합물 함량에 따른 광특성 의존성 연구 등에 활용될 수 있는 database를 확보하였다.
The tantalum oxide($Ta_2O_5$) is an important material for present thin-film capacitor application owing to its high dielectric constant and thermal stability. We report dielectric property of Si(p type)/Pt/$Ta_2O_5$/Ag based MIM structure obtained by RF sputtering and annealed in vacuum environment. We have measured and researched the characteristics of C-F, C-V and EPMA. And we describe parameter dependence on sputtered condition and annealed temperature with dielectric property.
Dielectric properties of $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_{3}-PbTiO_{3}$, ceramics prepared by the columbite precursor method have been investigated as a function of the sintering temperature in the range of 1000∼$1250^{\circ}C$. The $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_{3}-PbTiO_{3}$ ceramics show typical relaxor ferroelectric behavior. As the sintering temperature increased, the dielectric constant increased and the phase transition temperature shifted to lower temperature. The TCK(temperature coefficient of dielectric constant) and VRK (variation rate of dielectric constant) increased with increasing sintering temperature. The $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_{3}-PbTiO_{3}$ compositions sintered at $1250^{\circ}C$ appear to be suitable for ferroelectric bolometer.
The effect of the additive on the dielectric property of TiO2 containing 0-2.5 wt. % ZnO was investigated as a function of frequency $5$\times$10^4$ to $6.3$\times$10^7$ cps and temperature from 25 to 375$^{\circ}C$. The dielectric constant decreased due to increasing density and grain size effect with increasing ZnO concentration.
A cavity perturbation technique is employed to determine the dielectric property of thin samples. Substrates in microwave integrated circuits are fabricated in sheet form and are expected to have a dielectric constant less than 10 and a dielectric loss better than 10**-3. This research aimed to determine both dielectric constant and dielectric loss with good accuracy. The tecynique makes use of thin circular disk samples placed in a right circular cylindrical cavity. The accuracy of measurements is within \ulcorner% for dielectric constnat and 3x10**-4 for dielectric loss.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.737-740
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2007
The buffer layer was spin-coated on the dielectric layer of OTFTs to introduce the hydrophobicity for enhancing the device performance. this functional layer contains the water-proof ingredient to reduce the surface energy and more importantly, does not harm the dielectric property of the dielectric layer. With the help of proposed hydrophobic layer, the transistor showed dramatic improvement at electrical performance which was almost 20 times higher mobility compared to the non-treated case. And on/off ratio was also guaranteed as $10^{5{\sim}6}$.
Fuel Cell is used stacking metal or polymer substrate. This hydro property of substrate surface is very important. Usually, surface property is hydrophilic. The surface oxidation of SUS is investigated through plasma treatments with an atmospheric-pressure dielectric barrier discharge (DBD) for increasing hydrophilic property. The plasma process makes an experiment under various operating conditions of the DBD, which operating conditions are treatment time, plasma gas mixture ratio, the plasma source supply frequency. Two kinds of SUS substrate, SUS-304 and SUS 316L, were used. Discharge frequency has a crucial impact on equipment performance and gas treatment. After the plasma treatment of a SUS plate, highly improved wettability was noted. But, when high oxygen supply, the substrate damaged seriously.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1444-1446
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2009
The atmospheric pressure plasma polymerization of acrylate monomers was carried out to have dielectrics with easy preparation and high performance. The effects of discharge power, monomer concentration and deposition time on film properties were investigated using various characterization tools. With proper conditions, smooth dielectric layer of 100nm thickness was obtained. Dielectric property as organic dielectric layer has been studied for future applications in organic thin film transistors(OTFT).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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