To apply the CVD diamond film to coated tools, it is necessary to make adhesion strength between diamond film and substrate stronger. So adhesion strength of diamond coated WC-Co tools using Microwave Plasma CVD and cutting test of Al-18mass%Si alloy using diamond cutting tools were studied. Diamond coating was carried out using Microwave Plasma CVD apparatus. Reaction gas was used mixture of methane and hydrogen. Substrate temperature were varied from 673K to 1173K by control of microwave output power and reaction pressure. By observation of SEM, grain size became larger and larger as substrate temperature became higher and higher. Also all deposits were covered with clear diamond crystals. XRD results, the deposits were identified to cubic diamond. An analysis using Raman spectroscopy, the deposit synthesized at lower substrate temperature (673K) showed higher quality than deposit synthesized at higher substrate temperature (1173K). As a result of scratch adhesion strength test, from 873K to 1173K adhesion strength decreased by rising of substrate temperature. The deposit synthesized at 873K showed best adhesion strength. In the cutting test of Al-18mass%Si alloy using diamond coated tools and the surface machinability of Al-Si works turned with diamond coating tools which synthesized at 873K presented uniform roughness. Cutting performance of Al-18mass%Si alloys using diamond coated WC-Co tools related to the adhesion strength.
A DC thermal plasma system has been designed and constructed to obtain diamond films from a mixture of CH4 and H2. The effects of the deposition conditions such as substrate temperature ($850^{\circ}C-1050^{\circ}C$), gas mixing ratio (0.5-1.5% CH4 in H2), chamber pressure (50 - 200 Torr), axial magnetic field (0 - 900 Gauss) on the diamond film properties such as morphology, purity of the film and deposition rate, etc. have been examined with the aids of Scanning Electron Microscopy, X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy. Under optimum conditions, high quality diamond films can be obtained with high deposition rate (>$1{\mu}m/min$). Both of the growth rate and' particle size increased with the substrate temperature but the morphology changed from the faceted to unshaped when the temperature deviates its proper range. Furthermore, higher growth rates of $1.5{\mu}m/min$ can be obtained by applying an axial magnetic field to plasma torch. The observed values of interplanar spacings of diamond were in a good agreement with the values reported in ASTM data and all deposits have the diamond peak of $1332.5\;cm^{-1}$ in the Raman Spectra.
마이크로웨이브 화학 기상 중착법을 이용하여 n 형 Si(100) 기팡위에 다이아몬드 박막을 증착하였다. 다이아몬드의 핵생성 밀도를 향상시키기 위하여 Si 기판을 다이아몬드 분말로 전처리 하거나 negative bias를 인가하여 다이아몬드 박막을 증착하였다. 전처리한 기판에서는 다이아몬드의 순수도가 전체압력이 증가함에 따라 (20~150 Torr)향상되었으며 bias 인가시에는$CH_4$ 농도와 전체압력에 따라 다이아몬드의 생성유무가 결정되었다.플라즈마의 이온에 의해 가판위에 생성되는 전류를 $CH_4$ 농도, bias 전압, 그리고 전체압력에 따라 측정하였으며 그 결과를 다이아몬드 박막의 생성 조건과 관련시켜 검토 하였다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제1권2호
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pp.12-17
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2000
Helicon waves were excited by a Nagoya type III antenna in magnetized plasma, and hydrogen and methane are fed through a Mass Flow Controller(MFC). We made a diagnosis of properties of helicon plasma by H$_2$gaseous discharge, and fabricated the diamond thin film. The maximum measured electron density was 1${\times}$10$\^$10/ cm$\^$-3/. Diamond films have been growo on (100) silicon substrate using the helicon plasma chemical vapor deposition. Diamond films were deposited at a pressure of 0.1 Torr, deposition time of 40~80 h, a substrate temperature of 700$^{\circ}C$ and methane concentrations of 0.5~2.5%. The growth characteristics were investigated by means of X-ray Photoelectron (XPS) and X-ray Diffraction(XRD), XRD and XPS analysis revealed that SiC was formed, and finally diamond particles were definitely deposited on it. With increasing deposition time, the thickness and crystallization of the daimond thin film increased, For this system the optimum condition of methane concentration was estimated to near to 1.5%.
The study investigated the impact of substrate pretreatment on depositing high-quality B-doped diamond (BDD) thin films using the HFCVD method. Films were deposited on Si and Nb substrates after sanding and seeding. Despite identical sanding conditions, BDD films formed faster on Nb due to even diamond seed distribution. Post-deposition, film average roughness (Ra) remained similar to substrate Ra, but higher substrate Ra led to decreased crystallinity. Nb substrate with 0.83 ㎛ Ra exhibited faster crystal growth due to dense, evenly distributed diamond seeds. BDD film on Nb with 0.83 ㎛ Ra showed a wide, stable potential window (2.8 eV) in CV results and a prominent 1332 cm-1 diamond peak in Raman spectroscopy, indicating high quality. The findings underscore the critical role of substrate pretreatment in achieving high-quality BDD film fabrication, crucial for applications demanding robust p-type semiconductors with superior electrical properties.
To investigate the effects of pretreatment and substrate bias on the characteristics of the diamond thin films, the thin films were deposited on the p-type Si(100) wafer by MPECVD using mixtures of $H_2$, $CH_4$, and $O_2$ gases. Deposition was carried out at the substrate temperature of $900^{\circ}C$ and at the pressure of 40torr. The effect of the pretreatment on the film formation was the examined by using SiC and diamond powders as abrasive powders. Furthermore, the substrate bias effect on the formation of the diamond film was also examined. The highest nucleation density was observed for the pretreatment with 40~60$\mu\textrm{m}$ size of diamond powders and a negative bias potential(-50V). Many defects and(111) twins in the diamond films were observed.
In this study, the metastable state diamond thin films have been deposited on Si substrates from methane-hydrogen and oxygen mixture using microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) method. Effects in experimental parameters of MPCVD including methane concentrations, oxygen additions, operating pressure, deposition time on the growth rate and crystallinity were investigated. Diamond thin film was synthesized under the following conditions: methane concentration of 0.5%(0.5sccm)~5%(5sccm), oxygen concentration of 0~80%(2.4sccm), operating pressure of 30Torr~70Torr, deposition time of 1~32hr. SEM, XRD, and Raman spectroscopy were employed to analyze the growth rate and morphology, crystallinity and prefered growth direction, and relative amounts of diamond and non-diamond phases, respectively.
Diamond thin films were deposited on pretreated Co cemented tungsten carbide (WC-6%Co) inserts as substrate by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system, equipped with a 915MHz, 30kW generator for generating a large-size plasma. The substrates were pretreated with two solutions Murakami solution $[KOH:K_3Fe(CN)_6:H_2O]$ and nitric solution $[HNO_3:H_2O]$ to etch, WC and Co at cemented carbide substrates, respectively. The deposition experiments were performed at an input power of 10 kW and in a total pressure of 100 torr. The influence of various $CH_4$ contents on the crystallinity and morphology of the diamond films deposited in MPCVD was investigated using scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy. The diamond film synthesized by the $CH_4$ plasma shows a triangle-faceted (111) diamond. As $CH_4$ contents was increased, the thickness of diamond films increased and the faceted planes disappeared. Finally, Faceted diamond changed into nano-crystalline diamond with random crystallinity.
A surface acoustic wave (SAW) filter structure was fabricated employing $4{\mu}m$ thick nanocrystalline diamond (NCD) and $2.2{\mu}m$ thick ZnO films on Si wafer. The NCD film was deposited in an $Ar/CH_4$ gas mixture by microwave plasma chemical vapor deposition method. The ZnO film was formed over the NCD film in an RF magnetron sputter using ZnO target and $Ar/O_2$ gas. On the top of the two layers, copper film was deposited by the RF sputter and inter digital transducer (IDT) electrode pattern (line/space : $1.5/1.5{\mu}m$) was defined by the photolithography including a lift-off etching process. The fabricated SAW filter exhibited the center frequency of 1.66 GHz and the phase velocity of 9,960 m/s, which demonstrated that a giga Hertz SAW filter can be realized by utilizing the nanocrystalline diamond thin film.
In addition to its similarity to genuine diamond film, diamond-like carbon (DLC) film has many advantages, including its wide band gap and variable refractive index. In this study, DLC films were prepared by the RF PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method on silicon substrates using methane $(CH_4)$ and hydrogen $(H_2)$ gas. We examined the effects of the post annealing temperature on the structural variation of the DLC films. The films were annealed at temperatures ranging from 300 to $900^{\circ}C$ in steps of $200^{\circ}C$ using RTA equipment in nitrogen ambient. The thickness of the film and interface between film and substrate were observed by surface profiler, field emission scanning electron microscopy (FESEM), high resolution transmission electron microscopy (HRTEM), respectively. Raman and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed that DLC films were graphitized ($I_D/I_G$, G-peak position and $sp^2/sp^3$ increased) ratio at higher annealing temperature. The variation of surface as a function of annealing treatment was verified by a AFM and contact angle method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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