• 한국진공학회지
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• 제3권1호
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• pp.51-58
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• 1994

확산 현상은 박막성장 과정 및 박막의 기계, 전기, 자기적 성질 이해에 중요한 역할을 한다. 열 처리에 의한 상호확산 때문에 생긴 Pd/Cu 다층박막의 조성변화를 AES depth-profiling 방법을 이용해 서 조사하였다. 열처리전 시료에서의 각형의 초기 조성분포가 여러온도에서의 열처리에 의해 정현파 모 양의조성분포로 변화되었다. 조성의존성을 고려하지 않은 상호확산 계수를 정현파 분포의 진폭으로부터 구하였으며, 1.66 eV의 값을 갖는 활성화에너지는 Arrhenius plot으로부터 산출하였다. 또한 Boltzmann-Matano 방법을 사용해서 15$0^{\circ}C$에서의 조성의존 상호확산계수도 구하였다. 열처리에 의해 조 성균일화가 되는 것으로만 알려졌던 본물질계에서도 상분리가 생성됨을 관찰하였고, 그 열처리 조건은 $180^{\circ}C$에서 150분 보다 짧아야함을 밝혔다.

• 대한화장품학회:학술대회논문집
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• 대한화장품학회 2003년도 IFSCC Conference Proceeding Book I
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• pp.203-224
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• 2003

In recent years, a miniature spectrometer has been extensively developed due to the combination of fiber optics and semiconductor detector arrays. This type of miniature spectrometer has advantages of low price and robustness because of the capability of mass production and no moving parts are required such as lenses, mirrors and scanning monochromator. In this study, for skin diagnostics, a portable near infrared (NIR) system has been developed using a LlGA microspectrometer, which is photo-diode arrays-type.(omitted)

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.79-82
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• 1989

We studied the epitaxial growth of GaAs/GaAs and GaAs/Si by Laser CVD with 193nm ArF pulsed excimer laser. The source gases of TMGa and AsC13 or TMGa-TMAs adducts are mixed with H2, and photolyzed above the substrate which is heated up to around 300$^{\circ}C$. Then the photolyzed atoms are deposited on the silicon or GaAs substrate. The deposited films are analyzed with ESKA depth profiling and X-ray differaction method, which shows that the films on Si and GaAs are stoichiometric and crystalized at such a low temperature. We show a clear evidence for the epitaxial growth of GaAs on Si or GaAs on GaAs at low temperature by excimer laser CVD.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제14권1호
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• pp.44-51
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• 2005

Material degradation is a multibillion-dollar problem which affects all the industries amongst others. The last decades have seen the development of newer and more effective techniques such as Focused-ion beam(FIB), Transmission electron microscopy(TEM), Secondary-ion mass spectroscopy(SIMS), auger electron spectroscopy(AES), X-ray Photoelectron spectroscopy(XPS) , Electrochemical impedance spectroscopy(EIS), Photo- stimulated luminescence spectroscopy(PSLS), etc. to study various forms of material degradation. These techniques are now used routinely to obtain information on the chemical state, depth profiling, composition, stress state, etc. to understand the degradation behavior. This paper describes the use of these techniques specifically applied to materials degradation and failure analysis.

• 한국윤활학회:학술대회논문집
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• 한국윤활학회 1999년도 제30회 추계학술대회
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• pp.25-34
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• 1999

In this study, the sliding wear in spur gears, using Archard's wear model, is analyzed. Formulas of tooth sliding wear depth along the line of action are derived. The tooth profile is modified Id make a smooth transmission of the normal loads and the cylinder profile for reducing the pressure spike is suggested. The sliding wear rate is calculated with these profiling results. We expect these modification methods to contribute to the reduction of sliding wear in the root and the tip of tooth and tooth edge.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.282-282
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• 2015

전자분광 화학분석(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis : ESCA)은 고체표면의 구성원소 및 원소간 화학 결합 상태를 분석할 수 있는 효율적인 방법이다. ESCA 분석은 재료의 극표면층 (약 $20{\sim}100{\AA}$)에 분포되어 있는 원소 및 화학상태를 정성 정량적으로 확인할 수 있다. 또한, $Ar^+$이온을 충돌시켜 재료 표면을 ㎚단위로 식각 할 수 있기 때문에 수직분포 분석(Depth profiling)이 가능하여 나노재료가 활용되는 촉매, 반도체소자 그리고 박막 재료 등의 분석에 유용하게 활용될 수 있다. 이와 같은 분석적 장점에도 불구하고, ESCA 분석은 표면특성 분석에 주로 활용되는 주사전자현미경 및 X-선 미소분석(EDS, WDS) 등에 비하여 폭 넓게 사용되고 있지 못하다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.555-562
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• 1990

Alloyed ohmic contact properties of Au-Zn/Au, Au-Be/Au,Au-Zn/Cr/Au, and Au-Be/Cr/Au metal system to p-InP were investigated. Optimum alloying conditions were obtained at the annealing temperature of 425\ulcorner for all the metal systems using a rapid thermal annealing system. Surface AES analysis and auger depth profiling were done for each metal system annealed at the optimum conditions. Outdiffusions of In and P from the InP substrate were found in the metal systems without Cr intermediate layer. Also, small amount of In. P and Cr were detected at the surface in the case of Au-Zn/Cr/Au system, while there were occured no outdiffusion of In, P, and Cr for Au-Be/Cr/Au system. The best surface morpholoty and specific contact resistivity of 4.5x 10**-5 \ulcornercm\ulcornerhave been obtained in this Au-Be/Cr/Au material system alloyed at 425\ulcorner for 60 second.

• 한국표면공학회지
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• 제29권5호
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• pp.467-473
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• 1996

Heteroepitaxial growth of cubic silicon carbide films on Si(001) and Si(111) substrates at temperatures 900-$1000^{\circ}C$ has been achieved by high vacuum chemical vapor deposition using the single precursor 1, 3-disilabutane without carrying out the carbonization process of the substrate surfaces. The deposition temperature range is much lowered compared with conventiontional chemical vapor deposition where separate sources for silicon and carbon are employed. The deposition procedure is quite simple and safe. The qualities of the films were found to be very good judging from the results obtained by various characterization techniques including reflection high energy electron diffraction, X-ray diffraction, X-ray pole figure analysis, Rutherford backscattering spectrometry, Auger depth profiling, and transmission electron diffraction.

• 한국표면공학회지
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• 제25권3호
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• pp.133-143
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• 1992

Titanium nitride(TiN) films have been prepared by HCD plasma enhanced reactive ion plating. Density and temperature of the plasma generated by the HCD were investigated. It was shown that parameters such as the substrate bias voltage(0 350V) and N2 flow rate(10 180SCCM) influenced the growth, the growth, the microstructure and the color tone of the film mostly. In order to study the interface region, surface analysis by AES combined with sputter depth profiling was performed. Microhardness of the coated TiN films were measured by micro Vickers hardness tester. Also, the effect of coating parameters on composition, coating surface and fracture morphology, grain size and growth rate were examined.

• 한국해양학회지:바다
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• 제7권3호
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• pp.95-99
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• 2002

3.5KHz 천부지층탐사기(Subbottom Profiler)는 10~100m 깊이까지의 천부 해저지층구조를 정밀하게 파악하기 위한 탐사장비이다. 천부지층탐사는 1m 보다 정밀한 해상도를 요하는 탐사이다. 그러나 해상의 파고는 대부분 1m 이상인 경우가 많기 때문에 파도에 의한 너울영항으로 자료의 품질이 크게 저하된다. 본 연구에서는 디지털로 취득된 3.5KHz 천부지층탐사자료에서 너울영향을 제거함으로써 고품질의 지층단면도를 획득할 수 있음을 보였다. 너울 효과를 제거하기 전에 해저면 신호의 진폭이 큰 점을 이용하여 해저면 추출심도를 구하였다. 너울영향을 제거하기 위하여 인접트레이스의 추출심도를 이용한 인접심도 평균법과 고주파 제거 필터링법을 각각 적용한 결과, 두가지 모두 양호한 결과를 도출할 수 있었다. 자료의 상태가 매우 불량한 경우와 심도가 얕아 직접파와 중첩되는 경우 등에서는 해저면 심도추출이 부정확하여 너울영향제거에 어려움이 있다.