Three types of gap sensors, a capacitive gap sensor, an eddy current gap sensor, and a Hall effect gap sensor are described and evaluated through experiments for the purpose of precise gap sensing for micrometer scale movement, and a novel type of differential hall effect gap sensor is proposed. Each gap sensor is analyzed in terms of resolution and environment dependency including temperature dependency. Furthermore, a transport system for AMOLED deposition is introduced as a typical application of gap sensors, which are recently receiving considerable attention. Based on the analyses, the proposed differential Hall effect gap sensor is found to be the most suitable gap sensor for precise gap sensing, especially for application to a transport system for AMOLED deposition. The sensor shows resolution of $0.63mV/{\mu}m$ for the overall range of the gap from 0 mm to 2.5 mm, temperature dependency of $3{\mu}m/^{\circ}C$ from $20^{\circ}C$ to $30^{\circ}C$, and a monotonic characteristic for the gap between the sensor and the target.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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v.14
no.2
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pp.122-127
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2021
This paper produces CdS thin film using ITO glass as substrates. The MDS (Multiplex Deposition Sputter System) was used to produce devices by changing RF power and deposition time. The manufactured specimen was analyzed for its optical properties. The purpose of this paper is to find the fabrication conditions that can be applied to the photo-absorbing layer of solar cells. When RF power was 50W and deposition time was 10 minutes, the thickness was measured at 64Å. At 100W, the thickness was measured at 406Å and at 150 W, the thickness was measured at 889Å. Thin films were found to increase in thickness as RF power increased. As a result of the light transmittance measurement, 550-850nm was observed to have a transmittance of approximately 70% or more when the RF power was 50W, 100W, and 150W. Increasing RF power increased thickness and increased particle size, resulting in increased thin film density, resulting in reduced light transmittance. When RF power was 100W and deposition time was 15 minutes, the band gap was calculated at 3.998eV. When deposition time is 20 minutes, it is 3.987eV, 150W is 3.965eV at 15 minutes, and 3.831eV at 20 minutes. It was measured that the band gap decreased as the RF power increased. At XRD analysis, diffraction peaks at 2Θ=26.44 could be observed regardless of changes in RF power and deposition time. The FWHM was shown to decrease with increasing deposition time. And it was measured that the particle size increased as RF power was constant and deposition time was increased.
Numerical analysis was conducted to investigate the atomic layer deposition(ALD) of silicon nitride using silane and ammonia as precursors. The present study simulated the surface reactions for as-deposited $Si_3N_4$ as well as the kinetics for the reactions of $SiH_4$ and $NH_3$on the semiconductor wafer. The present numerical results showed that the ALD process is dependent on the activation constant. It was also shown that the low activation constant leads to the self-limiting reaction required for the ALD process. The inlet and wafer temperatures were 473 K and 823 K, respectively. The system pressure is 2 Torr.
The purpose of this study is to calculate the behavior of molecules for the generation of homogeneous thin-films in the process of spray deposition. The calculation system was composed of a suface molecular region and droplet molecular region. The thin-film was generated when droplet molecules fell to surface molecules. Lennard-Jones potential had been used as intermolecular potential, and only attraction 때 d repulsion had been used for the behavior of the droplet on the solid surface. As results, the behavior of the droplet was so much influenced by the surface temperature in the spray deposition process. High temperature of surface has higher porosity and larger spread area. It was found that simulation results generally agreed well with previous the experimental results. This simulation result will be the foundation for the deposition processes of industry.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.250-250
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2009
Thin film of $SnO_2$ was fabricated from plasma enhanced atomic layer deposition technology with bubbler type injector system by using TEMASn (tetrakisethylmethylamino tin) precursor. Mostly crystalline of $SnO_2$ films can be obtained with oxygen plasma and with water at relatively low temperature of $150^{\circ}C$. $SnO_2$ was deposited as an uniform rate of $1.0A^{\circ}$/cycle. In order to obtain uniform film, a seed oxide material was used before TEMASn deposition in ALD process. The process parameters were controlled to obtain dense thin film by atomic deposition methodology. The morphology and characterization of thin film with optimized process condition will be discussed.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2002.05a
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pp.1067-1070
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2002
Fused deposition modelling(FDM) is a rapid prototyping(RP) process that fabricates part layer by layer by deposition of molten thermoplastic material extrude from a nozzle. RP system has many benefit. One of the benefit would be the ability to experiment with physical objects of any complexity in a relatively short period of time. But it has a matter of surface roughness and geometric accuracy. We study on Influence of tangent line angle on surface roughness at fused deposition
The consumer demands for quality of meats has become diverse in recent years. The present paper describes mainly the technology to improve the broiler meat quality with special reference to reducing fat contents in edible meats which is the heart of the quality constraints. Abdominal fat deposition in broilers was reduced by feeding of medium-chain triglycerides(MCT), suggesting MCT feeding is useful to produce broiler meat with low fat content. A phase feeding system to aim at improving meat quality that is mainly comprised with partial replacement of dietary protein into phase during 4∼6 weeks increased edible meat yields and reduced abdominal fat deposition and fat contents in breast and thigh meats. Whiteness of fat tissue was intensified by feeding beef tallow or lard in place of yellow grease. Feeding Phaffia yeast containing astaxanthin increased redness of breast and thigh meats and improved visual appearance of meats which may be preferential for consumers. Feeding fish oil reduced abdominal fat deposition and increased EPA and DHA contents of fat tissues. These procedures could be used for manipulation of meat quality to meet consumer demands.
Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.25
no.1
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pp.36-41
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2016
A method is proposed for the improvement of deposition reproducibility in the selective electrodeposition process using laser masking and DC voltage. Selective electrodeposition using laser masking and DC voltage can achieve a deposited layer with micro patterns. However, selective electrodeposition using laser masking and DC voltage have a critical problem: the lack of reproducibility in selective deposition. The reproducibility of selective electrodeposition can be improved by a new process that consists of laser masking, two-step electro-deposition, laser scribing, and ultrasonic cleaning. The experiments in this study show that the reproducibility of selective deposition can be successfully improved by the combination of two-step electrodeposition and laser scribing.
Jung, Ki-Taek;An, Young-Ung;Ji, Jong-Yeoul;Choi, Jun-Young;Lee, Young-Jong;Han, Seung-Hoon;Jang, Jin
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2007.08b
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pp.1611-1614
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2007
This paper is concerned on design of organic flow deposition system and development of the deposition process for pentacene thin film by OFD and on electrical characteristics of pentacene films deposited by it. OFD will overcome vacuum thermal evaporator's limits and it will provide a large-scale mass, uniform and good electrical performance.
The electrical properties of vapor deposition polymerized polymide thin films for getting an in-line system with manufacturing process of semiconductor device, have been studied. Polyimide thin films fabricated by vapor deposition polymerization(VDP) method based on PMDA and 4,4'-DDE monomer were confirmed by FT-IR spectra. It is found that the major conduction carriers of thin films are ions, and the hopping length of ions is almost same with monomer length at the temperature over 120.deg. C through the analysis of electrical conduction mechanism. Also, The activation energy is about 0.69 eV at the temperature of >$30^{\circ}C$ - >$150^{\circ}C$ and it is shown that the resistivity at which thin films can be used as an insulating film between layers of semiconductor device, is 3.2*10$^{15}$ .ohm.cm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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