Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2008.05a
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pp.70-73
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2008
Grounding impedance depends on the frequency of current flowing into a grounding system. Especially, the lightning gives a broad frequency spectrum from low frequency up to 1 MHz. So the grounding impedance related to high frequency current like lightning should be measured with high frequency source. In this paper, we described the grounding impedances of deeply-driven ground rods of 10 ${\sim}$ 48 m long with respect to the frequency of injected currents and the feed point. For the experiments, we used the wideband power amplifier which can produce sinusoidal voltages with the frequency ranges of DC ${\sim}$ 250 MHz. As a result, the longer the ground rod is, the lower the ground resistance is. However the grounding impedance of deeply-driven ground rod in the range of higher frequency is significantly increased. As a consequence, it is important to evaluate the high frequency performance of grounding systems for lightning protection.
An aspartase purified from Hafnia alvei was inactivated by diethylpyrocarbonate (DEP) in a pseudo-first-order inactivation. The first-order plot was biphasic. The inactivation process was not saturable and the second order rate constant was $1.3\;M^{-1}s^{-1}$. The inactivated aspartase was reactivated with NH₂OH. The difference absorption spectrum of DEP-inactivated vs native enzyme preparations revealed a marked peak around 242 nm. The pH dependence of the inactivation rate suggests that an amino acid residue having a pK value of 7.2 was involved in the inactivation. L-aspartate, fumarate (substrates), and chloride ion (inhibitor) protected the enzyme against inactivation, indicating that histidine residues for the enzyme activity are located at the active site of this aspartase. Inspection of the presence and absence of $Cl^-$ ion demonstrated that the number of essential histidine residues is less than two. Thus, one or two histidines are in or near the aspartate binding site and participate in an essential step of the catalytic reaction.
This study examines damping modification factors (DMFs) of elastic input energy spectra corresponding to a set of 116 earthquake ground motions. Mean input energy per mass spectra and mean DMFs are presented for both considered ground motion components. Damping ratios of 3%, 5%, 10%, 20%, and 30% are used and the 5% damping ratio is considered the benchmark for DMF computations. The geometric mean DMFs of the two horizontal components of each ground motion are computed and coefficients of variation are presented graphically. The results show that the input energy spectra-based DMFs exhibit a dependence on the damping ratio at very short periods and they tend to be nearly constant for larger periods. In addition, mean DMF variation is obtained graphically for also the damping ratio, and mathematical functions are fitted as a result of statistical analyses. A strong correlation between the computed DMFs and the ones from predicted equations is observed.
$^{11}B$ nuclear magnetic resonance (NMR) measurements have been performed to investigate electronic structures and vortex states of $M_gB_2$ superconductor. The central transition shows a narrow peak down to 25 K at 3.15 T. Below 25 K, an extra line starts to show up and dominates. The extra line is broad and asymmetric with a long tail in the high frequency side, which confirms that this originates from vortex pinning below the irreversibility temperature. From temperature evolution of the fraction and linewidth of the broad portion, temperature dependence of coherence length and penetration depth are extracted.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.3
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pp.185-188
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2000
The dissociation of excitons bounds to neutral accepter in CdTe single crystal was investigated by measurement of temperature dependence of the photoluminescence spectra. The binding energies of CdTe single crystal were determined by PL spectrum at 12K. The free exciton (X) binding energy, the exciton binding energy on neutral donor ($D^{\circ}$, X), and the exciton binding energy on neutral acceptor ($A^{\circ}$, X) were 10 meV, 3.49 meV, and 7.17 meV respectively. From the value of activation energy of ($A^{\circ}$, X), we could show that the dissociation of ($A^{\circ}$, X) is attributed to free exciton.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.747-750
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2000
In this work, we investigated the dependence of optical and electrical properties of amorphous hydrogenated SiC (a-SiC:H) films on annealing temperature(T$\sub$a/). The a-SiC:H films were deposited by PECVD(plasma enhanced vapor deposition) on coming glass, p-type Si(100) wafer using SiH$_4$+CH$_4$+N$_2$gas mixture. The experimental results have shown that the optical energy band gap(E$\sub$g/) of the a-SiC thin films unchanged in the range of T$\sub$a/ from 400$^{\circ}C$ to 600$^{\circ}C$. The Raman spectrum of the thin films, annealed at high temperatures, has shown that graphitization of carbon clusters and micro-crystalline silicon occurs. The current-voltage characteristics have shown good electrical properties at the annealed films.
We have characterized the optical parametric chirped-pulse amplification of femtosecond Ti:sapphire laser pulses by using a BBO crystal. It is numerically verified that a high gain and a broad gain bandwidth can be obtained with a 532-nm pump laser. The dependence of the gain profile of OPA on phase matching angles, pump intensity, and crystal length is numerically investigated. Experimental results shows that the temporal fluctuation of a pump laser causes the modulation of an amplified spectrum in OPCPA.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.10
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pp.784-789
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1998
In this work, the optical properties of freestanding GaN single crystalline substrate grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) were investigated. The low temperature PL spectrum in freestanding GaN consists of free and bound exciton emissions, and a deep DAP recombination around at 1.8eV. The optically-pumped stimulated emission in freestanding GaN substrate was observed at room temperature. At the maximum power density of 2MW/$\textrm{cm}^2$, the peak energy and FEHM of stimulated emission were 3.318 eV and 8meV, respectively. The excitation power dependence on the integrated emission intensity indicates the threshold pumping power density of 0.4 MW/$\textrm{cm}^2$.
In this study, the LC resonators were fabricated with ferrite cores and external capacitors, and then their characteristics were investigated for the purpose of developing new displacement sensor. The frequency dependence of impedance of single resonator was estimated. There were two resonance peaks on the impedance spectrum; one by self inductance and the other by mutual inductance. The resonance frequency was shifted linearly in direct proportion to displacement of the resonator showing the proposed device, a pair of LC resonators, could be used a precision displacement sensor.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.05a
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pp.59-62
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1994
Tact Electrical conductivity. optical absorption spectra of poly(p-phenylene vinylene) and their dependence on stretching are discussed in detail. The conductivity in the parallel direction to the stretching is higher over one order in magnitude than that in the perpendicular direction to the stretching is higher over one order in magnitude than that in the perpendicular direction to the stretching. The photocurrent spectrum for the ligh polarized parallel to the chain direction is much enhanced in lower photon energy compared with that for the light polarized perpendicular to that direction. The result may be originated in the difference of energies which is needed to photogenerate carriers wi th the light polarized parallel and perpendicular to the chain stretched direction.
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