In this study, a hydraulic model test, to which Particle Image Velocimetry (PIV) system applied, was used to determine the hydrodynamic characteristics of the advection-diffusion of saltwater according to bottom conditions (impermeable/permeability, diameter, and inclination) and the difference of the initial salt. Considering quantitative and qualitative results from the experiment, the characteristics of the density current were discussed. As an experimental result, the advection-diffusion mechanism of salinity was examined by the shape of saltwater wedge and the flow structure of density currents with various bottom conditions. The vertical salt concentration obtained from the experiment was used as quantitative data to calculate the diffusion coefficient that was used in the numerical model of the advection-diffusion of saltwater.
In this paper, the effects of La addition of PLZT thin film prepared by sol-gel method on the capacitor characteristics are investigated for gigabit generation DRAM applications. The addition of La on the PLZT capacitor results in a trade-off between charge storage density(Qc') and leakage current density(Jl). As La content increases, Qc' and permeability(εr) at 0V are reduced while Jl is significantly decreased. It is demonstrated that 5% La doping of PZT can substantially reduce Jl and also improve resistance to fatigue while incurring only minimal degradation of Qc'. Very low leakage current density (5×10-7 A/㎠ even at 125℃) and high charge storage density (100fC/㎛2) under VDD/2=1V conditions are achieved using 5% La doped PZT thin films for gigabit DRAM capacitor dielectrics. In addition, the fatigue and TDDB measurements indicate good reliability of the PLZT capacitors.
The critical current density, electrical conductivity, critical magnetic field, Meissner effect, apparent density, and microstructure of YBa2Cu3O7-x ceramic superconductor prepared by polymeric precursor, while varing calcining and sintering conditions, were investigated. The best superconducting properties could be obtained from the body sintered at 93$0^{\circ}C$ for 10h after calcining at 90$0^{\circ}C$ for 10h, which gave 383A/$\textrm{cm}^2$ of critical current density(Jc), 96K of onset temperature(Tonset), 94. 8K of zero temperature (Tzero) 225 Oe of critical magnetic field (Hc1), 72.8% of superconducting volume fraction measured by Meissner effect and 6.28g/㎤ of apparent density.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제8권4호
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pp.153-156
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2007
Structural and electrical properties of the fully crystallized-bismuth magnesium niobate ($Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$, BMN) films with 15 mol% excess bismuth deposited on Pt bottom electrode by pulsed laser deposition are characterized for various deposition temperatures. The BMN films were crystallized with a monoclinic structure from $300^{\circ}C$ and the surface roughness slightly decreases with increasing deposition temperature. The capacitance density of the films increases with increasing deposition temperature and especially, films deposited at $400^{\circ}C$ exhibit a capacitance density of approximately $620nF/cm^2$. The crystallized BMN films with approximately 170 nm thickness exhibit breakdown strength above 600 kV/cm (${\leq}10V$) irrespective of deposition temperature and a leakage current density of approximately $2{\times}10^{-8}A/cm^2$ at 590kV/cm (at 10 V).
Flexible $ZrO_2$ films as dielectric materials for high-energy-density capacitors were deposited on polyethylene terephthalate (PET) substrates by RF magnetron sputtering. The growth behavior, microstructure and electrical properties of the flexible $ZrO_2$ films were dependent on the sputtering pressure and gas ratio. Although $ZrO_2$ films were deposited at room temperature, all films showed a tetragonal crystalline structure regardless of the sputtering variables. The surface of the film became a surface with large white particles upon an increase in the $O_2/Ar$ gas ratio. The RMS roughness and crystallite size of the $ZrO_2$ films increased with an increase in the sputtering pressure. The electrical properties of the $ZrO_2$ films were affected by the microstructure and roughness. The $ZrO_2$ films exhibited a dielectric constant of 21~38 at 1 kHz and a leakage current density of $10^{-6}{\sim}10^{-5}A/cm^2$ at 300 kV/cm.
In order to investigate the influence of manufacturing process on the electrical properties, we used two kinds of low density polyethylene prepared using metallocene catalyst (mL), linear low density polyethylene prepared using Ziegler catalyst (LL) and low density polyethylene by high pressure process (LD). mL has the narrowest composition and molecular weight distributions. We measured the dc and impulse breakdown strengths and current densities at 3$0^{\circ}C$, 6$0^{\circ}C$ and 9$0^{\circ}C$. mL had a higher breakdown strength and a lower high-field current than LD and LL. These results were discussed from the point of manufacturing processes.
In this paper, the lagged cross-correlation of two probability density functions constructed by kernel density estimation is proposed, and by maximizing the proposed function, adaptive filtering algorithms for supervised and unsupervised training are also introduced. From the results of simulation for blind equalization applications in multipath channels with impulsive and slowly varying direct current (DC) bias noise, it is observed that Gaussian kernel of the proposed algorithm cuts out the large errors due to impulsive noise, and the output affected by the DC bias noise can be effectively controlled by the lag ${\tau}$ intrinsically embedded in the proposed function.
(Ba$_{0.6}$Sr$_{0.4}$)TiO$_3$(BST) thin films were fabricated with different deposition temperature by Pulsed Laser Deposition(PLD). This BST thin films showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{r}$=~684 and dielectric loss was ~0.01 when substrate temperature was 75$0^{\circ}C$. Charge storage density of BST thin film was 4.733 [$\mu$C/$\textrm{cm}^2$] and estimated charging time was 0.15 nsec. Leakage current density of BST thin film was below 10$^{-7}$ [A/$\textrm{cm}^2$] at 3V. 3V.V.
The improvement of critical temperature $(T_c)$, critical magnetic field $(H_c)$, and critical current density $(J_c)$ of superconductor is important for practical applications. In this study, the additives such as metal oxides were used to improve the preparation conditions of $YBa_2Cu_3O_x$ superconducting bulk samples and depending on additives the properties of $YBa_2Cu_3O_x$ superconductor were studied. The effects of additives to the density, grain alignment, and porosity of samples that affect the critical current density of superconductor also have been investigated.
The climatological characteristics of the polar ionospheric currents obtained from the simultaneous observations of the ionospheric electric field and conductivity are examined. For this purpose, 43 and 109 days of measurements from the Chatanika and Sondrestrom incoherent scatter radars are utilized respectively. The ionospheric current density is compared with the corresponding ground magnetic disturbance. Several interesting characteristics about the polar ionosphere are apparent from this study: (1) The sun determines largely the conductance over the Sondrestrom radar, while the nighttime conductance distribution over the Chatanika radar is significantly affected by auroral precipitation. (2) The regions of the maximum N-S electric field over the Chatanika radar are located approximately at the dawn and dusk sectors, while they tend to shift towards dayside over the Sondrestrom radar. The N-S component over Son-drestrom is slightly stronger than Chatanika. However, the E-W component over Chatanika is negligible compared to that of Sondrestrom. (3) The E-W ionospheric current flows dominantly in the night hemisphere over Chatanika, while it flows in the sunlit hemisphere over Sondrestrom. The N-S current over Chatanika flows prominently in the dawn and dusk sectors, while a strong southward current flows in the prenoon sector over Sondrestrom. (4) The assumption of infinite sheet current approximation is far from realistic, underestimating the current density by a factor of 2 or more. It is particularly serious for the higher latitude region. (5) The correlation between ${\Delta}H\;and\;J_E$ is higher than the one between ${\Delta}D\;and\;J_N$, indicating that field-aligned current affects ${\Delta}D$significantly.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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