A polysilicon-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector was fabricated by means of our new methods. Its photoresponse characteristics were analyzed to see if it could be applied to a sensor system. The processes on which this study focused were an alloy-annealing process to form metal-polysilicon contacts, a post-annealing process for better light absorption of as-deposited polysilicon, and a passivation process for lowering defect density in polysilicon. When the alloy annealing was achieved at about $400^{\circ}C$, metal-polysilicon Schottky contacts sustained a stable potential barrier, decreasing the dark current. For better surface morphology of polysilicon, rapid thermal annealing (RTA) or furnace annealing at around $900^{\circ}C$ was suitable as a post-annealing process, because it supplied polysilicon layers with a smoother surface and a proper grain size for photon absorption. For the passivation of defects in polysilicon, hydrogen-ion implantation was chosen, because it is easy to implant hydrogen into the polysilicon. MSM photodetectors based on the suggested processes showed a higher sensitivity for photocurrent detection and a stable Schottky contact barrier to lower the dark current and are therefore applicable to sensor systems.
A small electrical potential difference which appears on any solid body when subjected to illumination by a modulated light beam generated by laser is called photocharge voltage(PCV)[1,2]. This voltage is proportional to the induced change in the surface electrical charge and is capacitatively measured on various materials such as conductors, semiconductors, ceramics, dielectrics and biological objects. The amplitude of the detected signal depends on the type of material under investigation, and on the surface properties of the sample. In photocharge voltage spectroscopy measurements[3], the sample is illuminated by both a steady state monochromatic bias light and the pulsed laser. The monochromatic light is used to created a variation in the steady state population of trap levels in the surface and space charge region of semiconductor samples which does result in a change in the measured voltage. Using this technique the spatial variation of PCV can be utilized to evalulate the surface conditions of the sample and the variation of the PCV due to the monochromatic bias light are utilized to charactrize the surface states. A qualitative analysis of the proposed measuremen is present along with experimental results performed on amorphous silicon samples. The deposition temperature was varied in order to obtain samples with different structural, optical and electronic properties and measurements are related to the defect density in amorphous thin film.
Unnikrishnan, V.U.;Reddy, J.N.;Banerjee, D.;Rostam-Abadi, F.
Interaction and multiscale mechanics
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제1권4호
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pp.397-409
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2008
The interfacial thermal resistance of pristine and defective carbon nanotubes (CNTs) embedded in low-density polyethylene matrix is studied in this paper. Interface thermal resistance in nanosystems is one of the most important factors that lead to the large variation in thermal conductivities in literature and the novelty of this paper lies in the estimation of the interfacial thermal resistance for defective nanotubes-systems. Thermal properties of CNT nanostructures are estimated using molecular dynamics (MD) simulations and the simulations were carried out for various temperatures by rescaling the velocities of carbon atoms in the nanotube. This paper also deals with the mesoscale thermal conductivities of composite systems, using effective medium theories by considering the size effect in the form of interfacial thermal resistance and also using the conventional micromechanical methods like Hashin-Shtrikman bounds and Wakashima-Tsukamoto estimates.
Ti metal has superior mechanical properties along with biocompatibility, but it still has the problem of bio-inertness thus forming weaker bond in bone/implant interface and long term clinical performance as orthopaedic and dental devices are restricted for stress shielding effect. On the other hand, despite the excellent biodegradable behavior as being an integral constituent of the natural bone, the mechanical properties of ${\beta}$-tricalcium phosphate $(Ca_3(PO_4)_2;\;{\beta}-TCP)$ ceramics are not reliable enough for post operative load bearing application in human hard tissue defect site. One reasonable approach would be to mediate the features of the two by making a composite. In this study, ${\beta}$-TCP/Ti ceramic-metal composites were fabricated by spark plasma sintering in inert atmosphere to inhibit the formation of $TiO_2$. Composites of 30 vol%, 50 vol% and 70 vol% ${\beta}$-TCP with Ti were fabricated. Detailed microstructural and phase characteristics were investigated by FE-SEM, EDS and XRD. Material properties like relative density, hardness, compressive strength, elastic modulus etc. were characterized. Cell viability and biocompatibility were investigated using the MTT assay and by examining cell proliferation behavior.
지르코니아/알루미나 복합분말의 분무건조로 제조된 과립들의 형상과 성형시 과립 경계면 파괴에 분말의 분산 정도, 결합제의 종류, 그리고 고형분말 함량이 미치는 영향을 관찰하였다. 구형의 과립은 복합분말 슬러리가 완전 분산이 되지 않고 약간의 floc을 형성하고 결합제로서 Polyvinyl Pyrrolidone(PVP)을 사용했을 때 얻어졌다. PVP를 결합제로 사용하고 분말함량이 32.5 vol%인 슬러리로 분무건조한 분말은 성형시 과립경계면이 파괴되어 소결밀도는 99.7%이었고 굴곡강도는 850Mpa이었다.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
With increasing the needs for micro and precision parts, micro machining technology has been studied to fabricate a small part with high density such as electronics, optics, communications, and medicine industry more than before. But there are many problems to be solved requiring a high-level technology. So this research presents the new method to fabricate a small part through applying chemical mechanical micro machining (C3M) for the Al wafer. Al(thickness I ,u m) was sputtered on the Si substrate. Al is widely used as a lightweight material. However form defect such as burr has a bad effect on products. To improve machinability of ductile material, oxide layer was formed on the surface of AI wafcr before grooving by chemical reaction with HN03(10wt%). And then workpieces were machined to compare conventional micro-machining process with newly suggested method at different machining condition such as load and feed rate. To evaluate whether or not the machinability was improved by the effect of chemical condition, such as the size, the width of grooves 'and burr generation were measured. Finally, it is confirmed that C3M is one of the feasible tools for micro machining with the aid of effect of the chemical reaction.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제13권4호
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pp.402-409
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2013
An innovative application of voltage-contrast (VC) inspection allowed inline detection of NMOS leakage in dense SRAM cells is presented. Cell sizes of SRAM are continual to do the shrinkage with bit density promotion as semiconductor technology advanced, but the resulting challenges include not only development of smaller-scale devices, but also intra-devices isolation. The NMOS leakage caused by the underneath n+/P-well shorted to the adjacent PMOS/N-well was inspected by the proposed electron-beam (e-beam) scan in which VC images were compared during the in-line process step of post contact tungsten (W) CMP (Chemical Mechanical Planarization) instead of end-of-line electrical test, which has a long response time. A series of experiments based on the mechanism for improving the intra-well isolation was performed and verified by the inline VC inspection. An optimal process-integration condition involved to the tradeoff between the implant dosage and photo CD was carried out.
Hossain, Muhammad Mohsin;Hahn, Jae Ryang;Ku, Bon-Cheol
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제35권7호
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pp.2049-2056
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2014
A simple method for exfoliating pristine graphite to yield mono-, bi-, and multi-layers of graphene sheets as a highly concentrated (5.25 mg/mL) and yielded solution in an organic solvent was developed. Pre-thermal treatment of pristine graphite at $900^{\circ}C$ in a sealed stainless steel bath under high pressures, followed by sonication in 1-methyl-2-pyrrolidinone solvent at elevated temperatures, produced a homogeneous, well-dispersed, and non-oxidized graphene solution with a low defect density. The electrical conductivities of the graphene sheets were very high, up to 848 S/cm. These graphene sheets were used to fabricate graphene-polyimide nanocomposites, which displayed a higher electrical conductivity (1.37 S/m) with an improved tensile strength (95 MPa). The synthesized graphene sheets and nanocomposites were characterized by transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and Raman spectroscopy.
Unlike conventional Eddy Current Test (ECT), Pulsed Eddy Current (PEC) uses a multiple-frequency current pulse through the excitation coil. In the present study, the detection of subsurface cracks using a specially designed probe that allows the detection of a deeper crack with a relatively small current density has been attempted using the PEC technique. The tested sample is a piece of 304 stainless steel (SS304) with a thickness of 30mm. Small electrical discharge machining (EDM) notches were put in the test sample at different depths from the surface to simulate the subsurface cracks in a pipe. The designed PEC probe consists of an excitation coil and a Hall sensor and can detect a subsurface crack as narrow and shallow as 0.2 mm wide and 2 mm deep. The maximum distance between the probe and the defect is 28 mm. The peak amplitude of the detected pulse is used to evaluate the cracks under the sample surface. In time domain analysis, the greater the crack depth the greater the peak amplitude of the detected pulse. The experimental results indicated that the proposed system has the potential to detect the subsurface cracks in stainless steel plates.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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