• 전자공학회논문지 IE
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• 제47권2호
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• pp.1-7
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• 2010

이 논문에서는 PLL에 기반한 주파수 합성기의 구현에 있어서 전력 소모를 줄이기 위한 저전력 디지털 PLL의 구조 및 설계에 대하여 기술한다. 제안된 구조의 디지털 PLL에서는 초기 주파수 비교를 위하여 광대역 디지털 로직 직교상관기를 사용 하고, 최종 주파수 비교를 위하여 저전력 특성을 갖는 협대역 디지털 로직 직교상관기를 사용하여 디지털 제어 발진기의 주파수가 제어되도록 하였다. 또한 동작하지 않는 디지털 블록의 전력을 최소화하는 회로 기법을 적용함으로써 대기 전력 소모를 추가적으로 줄일 수 있도록 하였다. 제안된 디지털 PLL의 동작 및 저전력 특성은 MOSIS 1.8V $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 조건에서 MyCAD를 이용한 설계 및 모의실험을 통해 검증하였으며, 20% 정도의 전력 소모 감소 효과를 확인하였다.

• Journal of the Korean Academy of Child and Adolescent Psychiatry
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• 제14권2호
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• pp.229-237
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• 2003

연구목적：컴퓨터 과다 사용과 관련된 문제들에 대한 연구 중에서 학령기 아동을 대상으로 한 연구는 상대적으로 적은 편이다. 아동의 경우 자신의 상태를 객관적으로 파악하고 표현하는 능력이 부족한 경우가 많아 보호자의 정보제공이 아동의 상태를 파악하기 위해서 중요하다. 본 연구는 보호자의 보고를 근거로 아동의 컴퓨터 과다 사용과 정신사회적 특성과의 관계를 알아보고자 하였다. 방 법：서울의 한 초등학교 5, 6학년 학생 287명을 대상으로 하였으며 그들의 부모로 하여금 아동의 컴퓨터 사용에 대한 기본 설문, 부모용 아동 컴퓨터 중독 검사, 한국아동인성검사에 답하도록 하였다. SPSS(version 10)를 이용하여 성별에 따른 컴퓨터 사용의 차이, 컴퓨터 중독 검사 점수와 한국아동인성검사와의 관계에 대한 통계분석을 하였다. 결 과：1) 성별에 따라 컴퓨터 중독 검사 점수를 비교했을 때 남아의 점수가 여아의 점수보다 유의미하게 더 높았으며 남아가 여아에 비해 과다 사용자에 포함되는 비율도 더 높았다. 2) 컴퓨터 중독 검사 점수와 한국아동인성검사 대부분의 임상 척도 점수는 유의미한 정적 상관관계를 보였으며, 과다 사용자군에서 대부분의 임상 척도 점수가 일반 사용자군보다 유의미하게 높았다. 3) 한국아동인성검사 결과, 비행, 과잉행동, 가족관계 척도에서 65점 이상인 아동들의 경우 일반사용자군보다 과다사용자군에 속하는 비율이 유의미하게 높았다. 결 론：컴퓨터를 과다하게 사용하는 초등학교 5, 6학년 학생들은 여러 가지 정신사회적 문제들을 가질 가능성이 높았으며 이들에 대한 사회적, 임상적 관심이 필요할 것으로 생각된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2000년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.3-4
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• 2000

Many researchers are interested in the synthesis and characterization of carbon nitride and diamond-like carbon (DLq because they show excellent mechanical properties such as low friction and high wear resistance and excellent electrical properties such as controllable electical resistivity and good field electron emission. We have deposited amorphous carbon nitride (a-C:N) thin films and DLC thin films by shielded arc ion plating (SAIP) and evaluated the structural and tribological properties. The application of appropriate negative bias on substrates is effective to increase the film hardness and wear resistance. This paper reports on the deposition and tribological OLC films in relation to the substrate bias voltage (Vs). films are compared with those of the OLC films. A high purity sintered graphite target was mounted on a cathode as a carbon source. Nitrogen or argon was introduced into a deposition chamber through each mass flow controller. After the initiation of an arc plasma at 60 A and 1 Pa, the target surface was heated and evaporated by the plasma. Carbon atoms and clusters evaporated from the target were ionized partially and reacted with activated nitrogen species, and a carbon nitride film was deposited onto a Si (100) substrate when we used nitrogen as a reactant gas. The surface of the growing film also reacted with activated nitrogen species. Carbon macropartic1es (0.1 -100 maicro-m) evaporated from the target at the same time were not ionized and did not react fully with nitrogen species. These macroparticles interfered with the formation of the carbon nitride film. Therefore we set a shielding plate made of stainless steel between the target and the substrate to trap the macropartic1es. This shielding method is very effective to prepare smooth a-CN films. We, therefore, call this method "shielded arc ion plating (SAIP)". For the deposition of DLC films we used argon instead of nitrogen. Films of about 150 nm in thickness were deposited onto Si substrates. Their structures, chemical compositions and chemical bonding states were analyzed by using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy. Hardness of the films was measured with a nanointender interfaced with an atomic force microscope (AFM). A Berkovich-type diamond tip whose radius was less than 100 nm was used for the measurement. A force-displacement curve of each film was measured at a peak load force of 250 maicro-N. Load, hold and unload times for each indentation were 2.5, 0 and 2.5 s, respectively. Hardness of each film was determined from five force-displacement curves. Wear resistance of the films was analyzed as follows. First, each film surface was scanned with the diamond tip at a constant load force of 20 maicro-N. The tip scanning was repeated 30 times in a 1 urn-square region with 512 lines at a scanning rate of 2 um/ s. After this tip-scanning, the film surface was observed in the AFM mode at a constant force of 5 maicro-N with the same Berkovich-type tip. The hardness of a-CN films was less dependent on Vs. The hardness of the film deposited at Vs=O V in a nitrogen plasma was about 10 GPa and almost similar to that of Si. It slightly increased to 12 - 15 GPa when a bias voltage of -100 - -500 V was applied to the substrate with showing its maximum at Vs=-300 V. The film deposited at Vs=O V was least wear resistant which was consistent with its lowest hardness. The biased films became more wear resistant. Particularly the film deposited at Vs=-300 V showed remarkable wear resistance. Its wear depth was too shallow to be measured with AFM. On the other hand, the DLC film, deposited at Vs=-l00 V in an argon plasma, whose hardness was 35 GPa was obviously worn under the same wear test conditions. The a-C:N films show higher wear resistance than DLC films and are useful for wear resistant coatings on various mechanical and electronic parts.nic parts.