• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.86-93
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• 1995

Linwidth enhancement factor .alpha., linwidth, chirping and differential gain characteristics were measured and compared for each DFB-LDs containing active layers composed of bulk, MQW, and S-MQW, respectively. .alpha. of 6, 4 and 3.2 and chirping measured under 2.5Gbps modulation of 1.29nm, 0.67nm and 0.48nm were given for DFB-LDs of bulk, MQW and S-MQW active layers, respectively. And S-MQW has the largest differential gin of 2.4*10$^{-15}$ cm$^{2}$ (S-MQW) compared to the of 5.4*10$^{-16}$ cm$^{2}$(bulk) and 8.6*10$^{-16}$ cm$^{2}$(MQW). Linewidth enhancement facter .alpha. of less than 2 is expected with p-type modulation doped S-MQW DFB-LD.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.88-89
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• 2003

현대 시대에 광통신 시스템은 안정적이고 높은 단일 모드를 갖는 광원을 필요로 한다. 이 조건을 만족하는 λ／4 phase shifted DFB는 높은 단일모드 생성을 보였으나 high spatial hole burning문제점을 가지고 있다. λ／4 phase shift를 사용하지 않은 dual-pitch grating DFB가 소개되었지만 제작상의 어려움을 가지고 있다. 또 다른 구조인 selection-free tapered stripe DFB lasers가 제안되었는데 제작이 간단하면서도 높은 단일모드 생성을 보였다. (중략)

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.120-129
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• 1995

A new nethod, namely multi-gain-levering, is proposed to improve FM response of the single frequency semiconductor lasers and applied to 1.55$\mu\textrm{m}$ InGaAsP/InP MGL(multi-gain-levered)-MQW-DFB-LD. This device consists of three sections with different bandgap energy and can be easily realized by selective MOVPE growth. Our analysis based on Green function showed that a flat, red-shifted, high FM efficiency of aove 15GHz/mA can be extected by novel gain-levering scheme.

• 한국광학회지
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• 제9권5호
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• pp.333-341
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• 1998

본 논문에서는 기존의 분포궤환형 레이저 다이오드와 광흡수 변조기(DFB-LD/EA­ MOD.)가 집적된 소자의 낮은 광효율과 수율의 문제점을 해결하고, 동시에 우수한 chirp특성을 나타내는 분포반사기 레이저 다이오드와 광흡수 변조기 (DR-LD/EA­MOD.)가 집적된 소자를 제안하였다. DR-LD/EA­MOD. 집적소자는 제작상으로 DR-LD/EA­MOD. 소자와 비교해서 선택 MOVPE성장시 SiO2 마스크 폭만 조절하는 것 외엔 거의 동일하므로 실용적 측면에서도 우수한다. 집적소자의 정특성 및 동특성을 해석하기 위하여 시간의존성을 갖는 전달 메트릭스방법, 활성층내의 비율 방정식, 변조기의 QCSE효과를 고려한 Schrodinger 방정식을 동시에 풀이하였다. 1.55$\mu\textrm{m}$ DR-LD/EA­MOD. 집적소자와 종래 사용중인 1.55$\mu\textrm{m}$ DR-LD/EA­MOD. 집적소자의 성능을 비교 분석하여, LD에 동일전류를 주입할 경우 광변조기의 on상태의 광출력이 약 30%이상 향상되고, 동일 광변조기의 잔류단면반사율에 대해 광출력의 ripple이 적고, 동적파장 천이량이 약 50%이상 줄어듦을 알 수 있었다. 또한 DR-LD/EA­MOD. 소자는 시분할 파장특성은 광 펄스의 leading edge에서 blue-shift, falling edge에서 red-shift 특성이 기대되었다. 이는 일반적인 단일모드 광섬유를 사용하여 광 펄스를 전송할 경우 전송시 펄스 폭이 좁아지는 효과를 주어 이로 인해 전송대역폭을 크게 향상시킬 수 있음을 의미한다.

• 한국광학회지
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• 제14권4호
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• pp.454-459
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• 2003

단일 모드 광원이 집적된 Mach-Zehnder간섭계형 파장 변환기를 제작하여 세계 최초로 10 Gb/s에서 파장 변환 특성을 확인하였다. 제작된 파장 변환기는 수동 도파로 영역에서의 전파 손실을 줄이기 위해 undoped InP층이 수동 도파로 위에 형성된 새로운 BRS 구조를 사용하였다. 단일 모드 광원으로 손실 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저(loss-coupled distributed feedback laser; LC-DFB LD)를 사용하여, 파장 변환기에 있는 반도체 광증폭기의 주입전류가 200 mA까지 측모드 억제율이 30 dB 이상의 값을 나타내었다. 제작된 LC-DFB LD 집적 파장 변환기는 10 Gb/s의 동적 파장 변환 특성 측정 결과, 7 dB 정도의 소광비를 갖는 eye 패턴을 얻을 수 있었으며, power penalty는 $10^{-9}$ bit error rate에서 2.8 dB의 값을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.2426-2438
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• 1994

본 논문에서는 DFB 반도체 레이저의 직접 주파수변조 응답특성에 대한 새로운 전기적 회로모델을 제시하였다. 특히 본 논문에서는 캐리어농도의 변조효과뿐만 아니고 온도변조효과에 따른 DFB 반도체 레이저의 변조특성을 동시에 고려함으로써 DC에서 수 GHz의 변조주파수 범위에 이르는 주파수응답특성을 얻을 수 있었다. 온도변조효과에 의한 주파수응답특성은 레이저 다이오드의 구조로부터 회로모델링하여 기존의 실험치와 비교하였으며, 캐리어농도변조효과에 이한 회로모델링은 DFB 레이저의 율방정식(rate equations)을 선형화함으로써 소신호 회로모델을 구하고 이를 기존의 수치해석에 의해 제시된 결과치와 비교하여 전체적인 주파수응답특성이 잘 일치함을 알 수 있었다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제11권4호
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• pp.158-161
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• 2007

We proposed a novel linearization technique for a DFB LD in the RoF link. The proposed scheme is based on the cross gain modulation(XGM) effect of a reflective semiconductor optical amplifier(RSOA) with light injection. We experimentally demonstrated and evaluated the enhanced CIR performance using the proposed linearization scheme.

• 한국광학회지
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• 제9권2호
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• pp.100-103
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• 1998

광섬유 격자의 투과 및 반사 특성을 이용하여 WDM 광원의 파장을 간단하면서도 효과적으로 안정화시키는 방법을 제시하였다. 우선 본 방법을 DFB-LD에 적용하여 바이어스 전류에 따른 파장 변화를 살펴보았을 때, 일정한 온도에서 나타나는 +0.011 nm/mA 파장 변화가 관측되지 않았다. 또한 EMLD에 적용하였을 때, 일정한 온도에서 RF변조시에 보인 약 0.08 nm파장 변화를 거의 찾아볼 수 없었다.

• 한국광학회지
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• 제6권4호
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• pp.359-364
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• 1995

본 연구에서는 분광기와 컴퓨터 인터페이싱에 의해 파장측정장치를 제작하였으며 제작된 파장측정 장치를 이용하여 반도체레이저인 Fabry-Perot LD와 DFB-LD의 파장특성을 측정하고 그 결과를 분석함으로써 본 연구실에서 제작한 파장측정 장치가 반도체 레이저의 발진 파장특성을 분석하는데 실용적으로 이용될 수 있음을 알 수 있었다.

• Current Optics and Photonics
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• 제4권6호
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• pp.461-465
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• 2020

A dual-mode laser terahertz source consisting of two in-line distributed Bragg reflector (DBR) laser diodes (LD) is proposed. It is less susceptible to residual reflections from facets than an in-line dual-mode distributed feedback (DFB) LD. The characteristics of the proposed terahertz source are theoretically investigated using a split-step time-domain simulation. It is shown that terahertz waves of frequencies from 385 GHz to 1725 GHz can be generated by appropriate thermal tuning of two DBR LDs. The dual-mode DBR LD terahertz source exhibits good spectral quality for residual facet reflectivity below 0.02, but facet reflectivity of the in-line dual-mode DFB LD terahertz source should be below 0.002 to provide similar spectral quality.