• 비파괴검사학회지
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• 제21권5호
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• pp.532-541
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• 2001

재료의 노화에 의한 강도 및 인성 감소치를 정량적으로 평가하는 비파괴적 기법의 개발이 시도되고 있으며 전기비저항법도 그 중의 하나이다. 본 연구에서는 전기비저항법의 열화도 평가에의 적용성을 살펴보기 위해 먼저 6종 10 가지의 비자성 금속을 측정시료로 선택하여 직류 two-point probe법(혹은 2탐침법)으로 전기비저항을 계산한 결과와 비접촉식 와전류 방법으로 전기비저항을 측정한 결과를 서로 비교하였다. 또한, 1Cr-1Mo-0.25V강에 대하여 비파괴적 측정 방법인 four-point probe 방법(혹은 4탐침법)을 사용하여 얻은 결과와 기존의 2탐침법을 사용하여 얻은 결과를 서로 비교하여 현장에서의 4탐침 기술의 적용 가능성을 살펴보았다. 1Cr-1Mo-0.25V강에 대하여 2탐침법으로 구한 비저항 값과 4탐침법으로 구한 비저항 측정값의 차이는 0.6%였다. 따라서 4탐침법을 사용하여 현장에서 금속소재의 열화도의 비파괴적 평가가 가능하다고 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.181.2-181.2
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• 2015

Sputtering is one of the most popular physical deposition methods due to their versatility and reproducibility. Synthesis of Cr thin films by DC magnetron sputtering using glancing angle deposition (GLAD) has been reported. Chromium thin films have been prepared at two different working pressure($2.0{\times}10-2$, 30, $3.3{\times}10-3torr$) on Si-wafer substrate using magnetron sputtering with glancing angle deposition (GLAD) technique. The thickness of Cr thin films on the substrate was adjusted about 1 mm. The electrical property was measured by four-point probe method. For the measurement of density in the films, an X-ray reflectivity (XRR) was carried out. The sheet resistance and column angle increased with the increase of glancing angle. However, nanohardness and density of Cr thin films decreased as the glancing angle increased. The measured density for the Cr thin films decreased from 6.1 to 3.8 g/cc as the glancing angle increased from $0^{\circ}$ to $90^{\circ}$ degree. The low density of Cr thin films is resulted from the isolated columnar structure of samples. The evolution of the isolated columnar structure was enhanced at the conditions of low sputter pressure and high glancing angle. This GLAD technique can be potentially applied to the synthesis of thin films requiring porous and uniform coating such as thin film catalysts or gas sensors.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권1호
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• pp.33-38
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• 2007

본 실험에서는 Non-Conductive Adhesive (NCA) 와 고분자 범프를 이용한 COG (Chip-on-glass) 접합에 대하여 연구하였다. 산화막이 증착된 Si 기판 위에 고분자 범프를 사진식각 방법으로 형성하고, 고분자 범프 위에 직류 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속 박막층을 증착하였다. 기판으로는 Al을 증착한 유리기판을 사용하였다. 두 종류의 NCA를 사용하여 $80^{\circ}C$에서 하중을 변화시켜가며 접합을 실시하였다. 접합부의 특성을 평가하기 위하여 4단자 저항 측정법을 이용하여 접합부의 접속 저항을 측정하였으며, 주사전자현미경을 이용하여 접합부를 관찰하였다. 신뢰성은 $0^{\circ}C$ 와 $55^{\circ}C$ 사이에서 열충격 실험을 2000회까지 실시하여 평가하였다. 신뢰성 측정 전 접합부의 저항 값은 $70-90m{\Omega}$을 나타내었다. 200MPa 이상의 접합 압력에서는 고분자 범프가 NCA 의 필러 파티클에 의해 손상된 것을 관찰하였다. 신뢰성 측정 후 일부 범프가 fail 되었는데 범프의 fail 원인은 범프의 윗부분보다 상대적으로 금속층이 얇게 증착된 범프의 모서리 부분의 금속층의 끊어졌기 때문이었다.