• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.170-171
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• 2000

최근 광 응용기술, 레이저 및 광통신 기술이 빠르게 발전함에 따라 고부가 가치 광학박막의 규격이 높아지고 있으며, 덩어리와 같은 광학적, 기계적 특성을 갖는 광학박막이 요구되고 있다. 일반적으로 이러한 성능을 만족하는 광학박막을 제작하기 위해 전자빔으로 증발되어 기판에 증착되는 박막에 직접 산소 이온을 이온총을 이용하여 기판에 쏘아줌으로써 양질의 산화박막을 제작하는 이온빔 보조 증착법이 가장 많이 적용되고 있다. 여기서 이온빔은 증착되는 박막의 기둥구조를 파괴시켜 원래의 덩어리(bulk)에 가까운 성질을 갖는 조밀한 박막을 제작하는데 이용된다. 좀더 조밀한 박막을 만들어 덩어리에 가까운 성질을 갖도록 하기 위해서는 박막을 형성하는 이온들의 이온에너지를 높여주어야 하는데, 그 방법으로 이온빔 스퍼터링이나 RF 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법 등이 있으며, 최근에는 medium frequency에 의한 twin-마그네트론 스퍼터링 기술을 이용하기도 한다$^{(1 4)}$ . (중략)

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.235-236
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• 2014

인듐 주석 산화물 박막을 In/Sn (2, 5 wt.%) 합금 타겟을 사용하여 DC 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용하여 증착하였다. 기판온도는 상온에서 증착하였으며, 증착 중 DC 파워는 70W부터 120W 까지 10W 단위로 증가시켜 증착하였다. 증착 된 박막을 대기중에서 후 열처리를 각 6, 12 시간 진행하여 전기적 특성을 평가하였으며 평가 장비는 Hall-effect measurements system을 사용하였다. ITO (Indium Tin Oxide) 박막의 비저항은 합금의 Sn 조성별로 다르게 나타났다. Sn 5wt.% 타겟을 이용한 경우에는 DC 파워 90W를 기준으로 더 낮은 파워에서는 열처리에 따라 비저항이 증가하였고, 더 높은 파워에서는 열처리를 한 경우 비저항이 더 낮게 나타났다. 이러한 결과가 나온 이유는, DC 파워가 높은 경우 스퍼터링 공정 중 발생하는 고 에너지 입자 충돌에 의해 산소가 re-sputtering되어 산소가 부족한 박막이 형성되기 때문인 것으로 판단된다. Sn 2 wt.% 타겟의 경우에는 큰 차이를 나타내지 않았으며, 이러한 원인은 Sn 함량이 적기 때문에 산소 공급으로 인해 결정성이 향상되더라도 활성화 Sn의 양이 적기 때문에 나타나는 현상으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.186-186
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• 2009

RF 부가형 DC 마그네트론 스퍼터링 공정을 이용하여 상온에서 Indium tin oxide (ITO) 박막을 PET (polyethylene terephthalate) 기판 위에 증착하였다. 전체 파워는 70W로 유지하고 RF/ (DC+RF) 파워율은 0 %에서 100 %까지 20% 비율로 증가시켰다. 50 %의 RF/(RF+DC) 파워율에 의해 증착된 ITO 박막에서 상대적으로 낮은 비저항을 얻을 수 있었으며, bending test에 의한 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.67-67
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• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2000.11a
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• pp.62-62
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• 2000

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.07a
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• pp.103-104
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• 1997

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2004.02a
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• pp.127-127
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• 2004

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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• v.27 no.1
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• pp.59-66
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• 2005

[ $TiO_2$ ] was deposited by DC magnetron sputtering on glass surface under various sputtering parameters such as discharge power($0.6{\sim}5.2\;kW$, substrate temperature($R.T{\sim}350^{\circ}C$), Ar and $O_2$ flow ratio with $0{\sim}50\;sccm$($Ar+O_2$ 90 sccm) and about 1 mtorr of pressure. TiO-N thin film was prepared under same sputtering conditions for $TiO_2$ thin film except flow ratio($Ar+O_2+N_2$ 90 sccm). The sheet resistance of thin films deposited under these parameters was measured to analyze electronic characteristic and thin film's thickness(${\alpha}$-step), surface roughness(AFM) and formation construction(FE-SEM, XRD) were also measured to draw optimal sputtering parameters. In order to evaluate photo-activity of thin film($TiO_2$, TiO-N) made in optimal parameters for removal of pollutants, toluene among VOCs and Suncion Yellow among reactive dyes were chosen to probe organic compounds for photo-degradation. It was shown that the photo-catalytic thin films had a significant photo-activation for the chosen contaminants and especially TiO-N thin film showed maximum efficiency of 33% for toluene(5 ppm) removal in visible-light range.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.3
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• pp.473-478
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• 2006

High quality indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by DC magnetron sputtering technique. By controlling the deposition parameters such as substrate temperature and oxygen flow rate, we were able to minimize the negative ion damage during the deposition. Films pr데ared under such conditions were found to posses an excel]ent electrical resistivity of $1.6\times10^{-4}{\Omega}cm$ and also found to have a optical transmission above 90%. We also observe that, increasing the oxygen now rate above 4 sccm leads to an increase in electrical resistivity of the films while the transmission was found to saturate with the increase in the oxygen gas flow.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.02a
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• pp.157-157
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• 2008