The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.43
no.5
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pp.795-801
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1994
The BiPbSrCaCuO superconductor was fabricated by diffusion of The dual layer composed of SrS12TCaS11TCuS12TOS1xT in upper layer and BiS12TPbSI0.3TCuS12TOS1yT in lower layer, and varified growh-mechanism of BiPbSrCaCuO superconducting phase. And, we produced optimum conditions of spread volume and each stage of sintering time were upper layer:Lower layer=1:0.2, 1:0.4, 1:0.6 and 24hr., 120hr., 210hr. From the result, the optimum conditions are spread volume(Upper layer:Lower layer=1:0.6), sintering time(210hrs.) at 820$^{\circ}C$.The BiPbSrCaCuO superconductor, fabricated optimum condition, showed zero resistance at critical temperature of 70k.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2001.10a
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pp.272-276
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2001
Multicomponent $Zr_{41.2}Ti_{13.8}Cu_{12.5}Ni_{10}Be_{22.5}$ bulk matallic glass alloy shows good bulk glass forming ability due to its high resistance to crystallization in the undercooled liquid state.1) In this study, DSC and X-ray diffractometry have been performed to confirm the amorphous structure of the master $Zr_{41.2}Ti_{13.8}Cu_{12.5}Ni_{10}Be_{22.5}$ alloy. To investigate the mechanical properties and deformation behaviors of the bulk metallic $Zr_{41.2}Ti_{13.8}Cu_{12.5}Ni_{10}Be_{22.5}$ alloy, a series of compression tests has been carried out at the temperatures ranging from $351^{\circ}C$ to $461^{\circ}C$ and at the various initial strain rates from $2{\times}10^{-4}s^{-1}\;to\;2{\times}10^{-2}s^{-1}$. There are two types of nominal stress-strain curves. The one shows linear stress-strain relationship meaning fracture at maximum stress, the other shows plastic deformation including steady-state flow. Also DSC analysis for the compressed specimens has been performed to investigate the change of thermal stability and crystallization behavior for the various test conditions.
Kim, Young-Kuk;Ahn, Si-Hyun;Choi, Gyu-Chae;Chung, Kook-Chae;Cho, Young-Sang;Choi, Chul-Jin
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.5
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pp.218-221
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2011
We modified the optical properties of the $CuInS_2$ nanocrystal (NC) by alloying. Nanocrystals (NCs) with alloyed cores were synthesized by refluxing the as-synthesized $CuInS_2$ NCs with a mixture of cadmium acetate, zinc acetate and palmitic acid. The shift in emission wavelength of the NCs after shell layer formation was minimized by alloying. The photoluminescence (PL) spectra showed significant reduction of emission intensity. A detailed study on the emission process of NCs implies that the formation of shell layers with small lattice mismatch minimized the mismatch strain generated from the shell layers in contrast to core alloyed NCs. In particular, time-resolved PL spectra of the NCs showed a significant increase in the lifetime of excited carriers by modifying the band alignment of the NCs by modifying the shell composition.
The Cu-Fe permanent magnet were prepared in situ process, which has economic and mass productive merits in producing multi filamentary composites. The purpose of this research was to study the effect of reduction ratio and heat treatment on magnetic property. As the reduction ratio of Cu-Fe wire increased, the filament structure became finer and interfilament distances decreased and the morphology of filament cross section became ribbon shape. As Fe content increased significantly. The coercivity and squareness of Cu-55 wt%Fe composite increased as a reduction ratio became higher, whereas they increased to maximum values at 0.09 mm ${\phi}$ for Cu-30 wt%Fe, and 0.066 mm ${\phi}$ for CU-45 wt%Fe respectively, and decreased for further reduction. The magnetic properties of Cu-Fe composites can be more enhanced by intermediate heat treatment. The best magnetic properties were obtained from Cu-55 wt%Fe composite deformed to 0.054 mm ${\phi}$ and annealed.
Hea-Jee Kim;Hyo-Jun Kwon;Dong-Hyun Park;Jea-Gun Park
Journal of the Korean Physical Society
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v.80
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pp.1076-1080
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2022
For preventing a sneak current in the 3D cross-point array, the selection device is essentially necessary and an n-MOSFET has been used for the selection device. However, the three-terminal electrodes of n-MOSFET make to achieve a high density of a cross-point array difficult. As a solution, using a selector having two terminal electrodes has been intensively researched. We presented that the CuGeS2/GeS2-based super-linear-threshold-switching (SLTS) selector device with the insertion of optimal TiN liner thickness exhibited outstanding electrical characteristics and reliability. The dependency of electrical characteristics and reliability on various TiN liner thicknesses were investigated. In addition, the principles of reliability and electrical characteristics improvement were understood through the energy dispersive spectroscopy elemental mapping and line profile of Cu. The adequate amount of Cu distributed in GeS2 resistive switching layer is a key factor to achieve excellent electrical characteristics and reliability for an ultra-high-density 3D cross-point array cell.
Among the many maunfactured processes of producing multi filamentary composites, in situ process is widely used owing tv its simplicity and easyness of mass production. In this study, the mechanical and electromagnetic properties of Cu-Fe composite materials was investigated. The tensile strength of the Cu-Fe wires increased as the Fe content and reduction ratio were increased. The Cu-30 wt%Fe composites had the best properties in terms of figure merits compared to the other Cu-Fe composites made in this study or the commercially manufactured 6/1 ACSR cables of Cu cable. The coercivity was decreased by increasing Fe content, but the squareness was increased greatly. As increasing reduction ratio, the coercivity and squareness increased up to the maximum points, and then decreased. For example, the maximum values were obtained at $0.09mm{\phi}$ for Cu-30 wt%Fe composites and at $0.066mm{\phi}$ for Cu-45 wt%Fe composites. The magnetic property of Cu-Fe wires produced by precipitation treatment was higher than that of Cu-Fe wires produced by thermomechanical treatment. By annealing Cu-Fe wires after drawing process, the coercivity, remanence and squareness were improved.
The present study examines firstly, the inhibition of collagen gelation to explore the possible involvement of $Cu^{++}$-catalyzed peroxidation in rheumatoid arthritis and secondly, the effect of sodium salicylate on this peroxidative reaction to provide a possible explanation for its mechanism of anti-inflammatory action. Incubation of collagen obtained from rat skin with $Cu^{++}$ and $H_2O_2$ resulted in the inhibition of gelation in terms of maximal turbidity and lag phase, but either $Cu^{++}$ or $H_2O_2$ alone essentially gave no effect in the collagen gelation. In the presence of sodium salicylate the inhibited gelation of collagen induced by $Cu^{++}$ and $H_2O_2$ was reversed with the dependency of the concentration of sodium salicylate. Moreover, the rate of $H_2O_2$ decomposition by $Cu^{++}$ was accelerated by sodium salicylate and this decomposition of $H_2O_2$ was found to be saturable in terms of concentration of this drugs. Thus it can be expected that $Cu^{++}$ -catalyzed peroxidation attacks collagen resulting in change of structural or functional integrity of collagen, and sodium salicylate may act on this peroxidative process, possibly through the enhancement of catalatic action of $Cu^{++}$. From these results $Cu^{++}$-catalyzed peroxidation can be in part responsible for degradation of joint tissue in rheumatoid arthritis and sodium salicylate may exert its anti-inflammatory action by this peroxidative reaction.
Shin, Hae Na Ra;Shin, Young Min;Kim, Ji Hye;Yun, Jae Ho;Park, Byung Kook;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.2
no.1
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pp.28-35
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2014
High-efficiency in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) solar cells were usually achieved on soda-lime glass substrates due to Na incorporation that reduces deep-level defects. However, this supply of sodium from sodalime glass to CIGS through Mo back electrode could be limited at low deposition temperature. Na content could be more precisely controlled by supplying Na from known amount of an outside source. For the purpose, an $Na_2S$ layer was deposited on Mo electrode prior to CIGS film deposition and supplied to CIGS during CIGS film. With the $Na_2S$ underlayer a more uniform component distribution was possible at $350^{\circ}C$ and efficiency was improved compared to the cell without $Na_2S$ layer. With more precise control of bulk and surface component profile, CIGS film can be deposited at low temperature and could be useful for flexible CIGS solar cells.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.234-238
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2004
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuInSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuInSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuInSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.62{\times}10^{l6}\;cm^{-3}$ and $296\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuInSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;1.1851\;eV\;-\;(8.99{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+153K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuInSe_2$ have been estimated to be 0.0087 eV and 0.2329 eV at 10K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}_{so}$ definitely exists in the $\Gamma_6$ states of the valence band of the $CuInSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
Lee, In Jae;Jo, Eunae;Jang, Jun Sung;Lee, Byeong Hoon;Lee, Dong Min;Kang, Chang Hyun;Moon, Jong Ha
Korean Journal of Materials Research
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v.30
no.2
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pp.68-73
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2020
Due to its favorable optical properties, Cu2SnS3 (CTS) is a promising material for thin film solar cells. Doping, which modifies the absorber properties, is one way to improve the conversion efficiency of CTS solar cells. In this work, CTS solar cells with selenium doping were fabricated on a flexible substrate using sputtering method and the effect of doping on the properties of CTS solar cells was investigated. In XRD analysis, a shift in the CTS peaks can be observed due to the doped selenium. XRF analysis confirmed the different ratios of Cu/Sn and (S+Se)/(Cu+Sn) depending on the amount of selenium doping. Selenium doping can help to lower the chemical potential of sulfur. This effectively reduces the point defects of CTS thin films. Overall improved electrical properties were observed in the CTS solar cell with a small amount of selenium doping, and a notable conversion efficiency of 1.02 % was achieved in the CTS solar cell doped with 1 at% of selenium.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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