The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.7
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pp.1259-1264
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2010
This paper was researched about effectiveness of the electrochemical cell which is composed of the sea water and the Cu/Zn electrode. The electric potential difference between copper and zinc finally reached 0.51 volts. Short current decreased with time. It might depend on the electromotive force decreasing. Confirmed the load resistance and electrode affect in electromotive force and electric current. The resistance which shows a maximum output power was 20[$\Omega$], and the maximum output power from this resistance was evaluated as 0.736mW. In order to calculate the energy which creates from electrochemical cell, charging voltage of the capacitor with various capacitance was investigated. It was found that energy harvesting possibility of the cell which is made of a sea water electrolyte and the copper/the zinc.
The purpose of this paper is a investigation of sensing mechanism for the carbon monoxide gas in CuO infiltrated ZnO ceramics. Potential barriers between CuO and ZnO can explain the selective sensing of carbon monoxide gas in the physically contacted CuO/ZnO ceramics. A specimen having no potential barrier between CuO and ZnO was prepared to see whether the gas sensing mechanism is related to the potential barrier. CuO and ZnO was prepared to see whether the gas sensing mechanism is related to the potential barrier. CuO was painted on the non electrode sides of ZnO ceramics. The CuO painted ZnO ceramics showed that the sensitivityfor the carbon moxnoxide gas was 1.3 times as high as that for the hydrogen gas. It is almost same gas sensitivity as that of the CuO infiltrated ZnO ceramics.
This thesis described the optical and electrical properties of the alternating current powder electroluminescent device based on Ag nanowire as a transparent electrode. The Ag nanowire electrode showed the morphology of 20 nm in diameter and 15 ㎛ in length. The transparent electroluminescent devices that were fabricated using the nanomilled ZnS : Cu, Mn phosphor by bar-coating process showed the transmittance of 67%. In order to improve the luminous efficiency, it is necessary to apply the transparent dielectric layer and increase the amount of the nanophosphor while maintaining the transmittance.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2000.05a
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pp.735-738
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2000
The characteristics of wire electrical discharge machining (WEDM) are governed by many factors such as the power supply type, operating condition and electrode material. This work deals with the effect of wire electrode materials on the machining characteristics such as, metal removal rate, surface characteristics and surface roughness during WEDM A wire's thermal physical properties are melting point, electrical conductivity and vapor pressure. One of the desired qualities of wire is a low melting point and high vapor pressure to help expel the contaminants from the gap. They are determined by the mix of alloying elements (in the case of plain brass and coated wire) or the base core material(i.e. molybdenum). Experiments have been conducted regarding the choice of suitable wire electrode materials and influence of the properties of these materials on the machinability and surface characteristics in WEDM, the experimental results are presented and discussed from their metallurgical aspect. And the coating effect of various alloying elements(Au, Ag, Cu, Zn, Cr, Mn, etc.) to the Cu or 65-35 brass core on them was reviewed also. The removal rate of some coated wires are higher than that of 65-35 brass electrode wire because the wire is difficult to break due to the wire cooling effect of Zn evaporation latent heat and the Zn oxide on the surface is effective in preventing short circuit. The removal rate increases with increasing Zn content from 35, 40 and Zn coated wire
Park, Sewoong;Park, Taejun;Lee, Sangyeob;Chung, Choong-Heui
Korean Journal of Materials Research
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v.30
no.3
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pp.131-135
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2020
Silver nanowire (AgNW) networks have been adopted as a front electrode in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin film solar cells due to their low cost and compatibility with the solution process. When an AgNW network is applied to a CIGS thin film solar cell, reflection loss can increase because the CdS layer, with a relatively high refractive index (n ~ 2.5 at 550 nm), is exposed to air. To resolve the issue, we apply solution-processed ZnO nanorods to the AgNW network as an anti-reflective coating. To obtain high performance of the optical and electrical properties of the ZnO nanorod and AgNW network composite, we optimize the process parameters - the spin coating of AgNWs and the concentration of zinc nitrate and hexamethylene tetramine (HMT - to fabricate ZnO nanorods. We verify that 10 mM of zinc nitrate and HMT show the lowest reflectance and 10% cell efficiency increase when applied to CIGS thin film solar cells.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.59
no.9
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pp.1626-1631
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2010
The characteristics of electric current for the voltaic cell are important for electric power applications. In this paper, an electrical equivalent model consist of three resisters and a capacitance for the Cu/NaCl solution/Zn electrochemical cell is proposed. The capacitance which exists in the Zn electrode/electrolytic interface increased according to Zn electrode area, but cannot affect almost in electric current. Complex impedance plot was used to analysis the interface effect for Zn/electrolyte. This result shows that the interface is similar with the electric transmission line. The short current measurements were conducted to investigate the effects of hydrogen peroxide, the watery sulfuric acid and NaCl aqueous solution. As the hydrogen peroxide increased, the electric current increased because the hydrogen gas being converted with the water. Also electric current increased significantly with increase of the hydrogen ion with the watery sulfuric acid and increased with increase of $Na^+$ ion and $Cl^-$ion in the NaCl electrolyte.
The purpose of this study is to investigate the effect of $V_2$$O_{5}$ addition on the Ag and Cu precipitation in the NiCuZn ferrite layers of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2$$O_{5}$ -doped ferrite pastes. With increasing the $V_2$$O_{5}$ content and sintering temperature, Ag and Cu oxide coprecipitated more and more at the polished surface of ferrite layers during re-annealing at $840^{\circ}C$. It was thought that during the sintering process, V dissolved in the NiCuZn ferrite lattice and the Ag-Cu liquid phase of low melting point was formed in the ferrite layers due to the Cu segregation from the ferrite lattice and Ag diffusion from the internal electrode. During re-annealing at $840^{\circ}C$, the Ag-Cu liquid phase came out the polished surface of ferrite layers, and was decomposed into the isolated Ag particles and the Cu oxide phase during the cooling process.
Lee, Wun Ho;Jang, Won Tae;Kim, Jong Su;Lee, Sang Nam
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.16
no.2
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pp.44-48
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2017
We explain optical and electrical properties of top and bottom-emission structured alternating-current powder electroluminescent devices (ACPELDs) with Ga-doped ZnO(GZO) transparent electrode. The top-emission ACPELDs were layered as the metal electrode/dielectric layer/emission layer/top transparent electrode and the bottom-emission ACPELDs were structured as the bottom transparent electrode/emission layer/dielectric layer/metal electrode. The yellow-emitting ZnS:Mn, Cu phosphor and the barium titanate dielectric layers were layered through the screen printing method. The GZO transparent electrode was deposited by the sputtering, its sheet resistivity is $275{\Omega}/{\Box}$. The transparency at the yellow EL peak was 98 % for GZO. Regardless of EL structures, EL spectra of ACPELDs were exponentially increased with increasing voltages and they were linearly increased with increasing frequencies. It suggests that the EL mechanism was attributed to the impact ionization by charges injected from the interface between emitting phosphor layer and the transparent electrode. The top-emission structure obtained higher EL intensity than the bottom-structure. In addition, charge densities for sinusoidal applied voltages were measured through Sawyer-Tower method.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.315.1-315.1
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2014
The use of cellulose papers has recently attracted much attention in various device applications owing to their natural advantageous properties of earth's abundance, bio-friendly, large-scale production, and flexibility. Conventional metal oxides with novel structures of nanorods, nanospindles, nanowires and nanobelts are being developed for emerging electronic and chemical sensing applications. In this work, both ZnO (n-type) nanorod arrays (NRAs) and CuO (p-type) nanospindles (NSs) were synthesized on cellulose papers and the p-n junction property was investigated using the electrode of indium tin oxide coated polyethylene terephthalate film. To synthesize ZnO and CuO nanostructures on cellulose paper, a simple and facile hydrothermal method was utilized. First, the CuO NSs were synthesized on cellulose paper by a simple soaking process, yielding the well adhered CuO NSs on cellulose paper. After that, the ZnO NRAs were grown on CuO NSs/cellulose paper via a facile hydrothermal route. The as-grown ZnO/CuO NSs on cellulose paper exhibited good crystalline and optical properties. The fabricated p-n junction device showed the I-V characteristics with a rectifying behaviour.
Cho, Bo Hwan;Kim, Seon Cheol;Mun, Sun Hong;Kim, Seung Tae;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.1
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pp.32-38
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2015
CIGS solar cell consisted of various films. In this research, we investigated electrode materials in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) cells, including Al-doped ZnO (ZnO:Al), intrinsic ZnO (i-ZnO), and Al films. The sputtered ZnO:Al film with a sputtering power at 200W showed the lowest series resistance and highest cell efficiency. The electrical resistivity of the 200-W sputtered ZnO:Al film was $5.2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ by the rapid thermal annealing at $200^{\circ}C$ for 1 min. The electrical resistivity of i-ZnO was not measurable due to its high resistance. But the optical transmittance was highest with less oxygen supply and high efficiency cell was achieved with $O_2/(Ar+O_2)$ ratio was 1% due to the increase of short-circuit current. No significant change in the cell performance by inserting a Ni layer between Al and ZnO:Al films was observed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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