본 연구는 자기공명영상을 이용한 TOF MRA 검사에서 flow rate 2.0 ml 이하의 유속을 표현함에 있어 Compressed sensing의 사용에 따른 영상의 변화를 정량적으로 측정하고자 하였다. Auto-injector와 Flow phantom을 이용하여 각각의 혈류속도 구간을 설정하고 CS를 사용하지 않은 TOF without CS 기법과 CS를 이용한 TOF with CS 기법에서 CS factor의 변화에 따른 SNR, CNR, SSIM, RMSE 등을 측정하여 비교하였다. CS factor의 증가에 따라 나타나는 영상의 영향을 검증하고자 일원배치 분산분석(One-way ANOVA)을 시행하였다. 실험 결과 CS를 사용한 TOF MRA는 CS를 사용하지 않은 TOF MRA와 비교하여 SNR 및 CNR의 유의한 차이 없이 scan time이 현저하게 감소하였다. 반면 CS factor의 증가에 따라 SSIM 및 RMSE는 TOF without CS 영상과의 차이가 증가함을 나타내었다. 따라서 TOF MRA 검사 시 CS 기법을 통해 scan time을 효율적으로 감소시키되 적절한 CS factor의 범위를 충분히 고려해야 한다. 또한 CS factor와 영상의 유사도, 정밀성에 대한 지속적인 연구가 필요할 것으로 사료된다.
$Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온으로 치환되고 완전히 탈수된 제올라이트 X, $Ca_{35}Cs_{22}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{35}Cs_{22}$-X; a=25.071(1) $\AA)와Ca_{29}Cs_{34}Si_{100}Al_{92}O_{384}$($Ca_{29}Cs_{34}$-X; a=24.949(1) $\AA)$의 두 개의 결정 구조를 $21^{\circ}C$에서 입방공간군 Fd3을 사용하여 단결정 X-선 회절법으로 해석하고 구조를 정밀화하였다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조를 Full-matrix 최소자승법 정밀화 계산에서 $I>3\sigma(I)$인 322개의 독립 반사를 사용하여 최종 오차 인자를 $R_1$=0.051, $R_2$=0.044까지 정밀화 계산하였고, 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X의 구조는 260개의 독립 반사를 사용하여 $R_1$=0.058, $R_2$=0.055까지 정밀화시켰다. 이들 구조에서 $Ca^{2+}$ 이온과 $Cs^+$ 이온은 서로 다른 5개의 결정학적 자리에 위치하고 있다. 탈수한 $Ca_{35}Cs_{22}$-X 구조에서는 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 D6R의 중심, 자리 I에 모두 채워져 있다(Ca-O=2.41(1) $\AA$, $O-Ca-O=93.4(3)^{\circ}).$ 다른 19개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 (Ca-O=2.29(1) $\AA$, $O-Ca-O=118.7(4)^{\circ})$, 10개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동에서 6-링 맞은편 II에 채워져 있고, 각각 3개의 산소로 만들어지는 산소 평면으로부터 $1.95\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=2.99(1)\AA$, $O-Cs-O=82.3(3)^{\circ}).$ 3개의 $Cs^+$ 이온은 산소 평면에서 소다라이트 공동쪽으로 $2.27\AA$ 들어간 자리 II'에서 위치하고 $있다(Cs-O=3.23\AA$, $O-Cs-O=75.2(3)^{\circ}).$ 나머지 9개의 $Cs^+$ 이온은 각각 큰 공동내 2회 회전축을 가지고 있는 48(f) 위치인 자리 III에 통계학적으로 분포하고 $있다(Cs-O=3.25(1)\AA$, Cs-O=3.49(1) $\AA).$ 탈수한 $Ca_{29}Cs_{34}$-X에서 16개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 I에 채워지고 (Ca-O=2.38(1) $\AA$, $O-Ca-O=94.1(4)^{\circ})$ 13개의 $Ca^{2+}$ 이온은 자리 II에 채워져 있다(Ca-O=2.32(2) $\AA$, $O-Ca-O=119.7(6)^{\circ}).$ 다른 12개의 $Cs^+$ 이온은 자리 II에 채워져 있고, 이들은 산소 평면으로부터 각각 $1.93\AA$ 들어가 위치하고 $있다(Cs-O=3.02(1)\AA$, $O-Cs-O=83.1(4)^{\circ}).$ 7개의 $Cs^+$ 이온은 각각 자리 II'에 위치하고 있고, 산소 평면으로부터 소다라이트 공동으로 $2.22\AA$ 들어가 위치하고 있다(Cs-O=3.21(2) $\AA$, $O-Cs-O=77.2(4)^{\circ}).$ 나머지 16개의 $Cs^+$ 이온은 큰 공동내의 자리 III에 있다(Cs-O=3.11(1) $\AA$, Cs-O=3.46(2) $\AA).Ca^{2+}$ 이온은 자리 I과 자리 II에 우선적으로 위치하고 $Cs^+$ 이온은 너무 커서 자리 I에 채워질 수 없으며 나머지 자리에 채워진다.
본 연구에서는 발아 후 2일된 옥수수 유식물의 뿌리 생장에 미치는 영향을 조사하였다. 5 mM에서 30 mM에 이르는 CsCl을 처리하였을 때 옥수수 뿌리와 자엽초 마디 위쪽 shoot의 생중량이 감소하였다. 뿌리의 길이 생장도 역시 동일한 농도 범위의 CsCl에 의하여 감소하였는데 CsCl을 처리할 때 60 mM의 KCl을 함께 처리하면 CsCl에 의하여 감소되었던 신장 생장이 일부 회복되었다. CsCl과 KCl의 관계를 Lineweaver-Burk plot으로 분석한 결과 10 mM - 30 mM CsCl은 KCl과 경쟁 관계에 있는 것으로 나타났지만 5 mM CsCl은 경쟁관계에서 벗어나는 것으로 나타나 주변의 CsCl 농도에 따라 KCl의 작용 모드가 다른 또 하나의 메커니즘이 존재하는 것으로 사료되었다. CsCl의 농도에 따라서 KCl과의 상호작용 모드가 달라지는 현상은 CsCl에 의하여 유도되는 옥수수뿌리 정단 하부의 횡축 팽창에서도 관찰되었다. 또한, CsCl은 10 mM 이상에서 농도 증가에 비례하여 $K^+$ transporter인 ZmKUP1의 발현을 유도하였지만 5 mM CsCl의 ZmKUP1 발현 효과는 뚜렷하게 관찰되지 않았다. 한편, CsCl 존재 하에서도 근단 분열 조직의 수축은 관찰되지 않았다. 종합하면, 외부에서 처리된 CsCl은 2일된 옥수수 유식물의 뿌리의 생중량과 신장을 감소시켰으며 정단 하부의 횡축 팽창을 유도하고 ZmKUP1의 발현을 촉진하였다. 그러나 근단 분열조직의 수축은 없었으므로 CsCl의 효과는 주로 세포 팽창과 관련되는 것으로 판단되며 $Cs^+$와 $K^+$의 경쟁 및 비경쟁적 상호작용을 모두 포함하는 복합적인 메커니즘이 존재하는 것으로 사료된다.
Adsorption of alkali metals on a silicon surface has attracted much attention due to its importance in metal-semiconductor interface technology, In particular, the bonding nature of alkali metal to silicon substrate has been a focus of fundamental research efforts. We examined the adsorbed layer of Cs on a Si(111)-(7$\times$) surface by reactive ion scattering (RIS) of hyperthermal Cs+ beams. RIS from a Cs-adsorbed surface gives rise to Cs, representing pickup of surface Cs by Cs projectile. The Cs intensity is proportional to surface coverage of Cs at a high substrate temperature (473 K), while it varies anomalously with Cs coverage at low temperatures (130-170 K). This observation indicates that RIS selectively detects metallic Cs on surface, but discriminates ionic Cs. Transition from ionic to metallic Cs adlayer is driven by thermal diffusion of Cs and their clustering process.
우라늄산화물중 Cs의 전자탐침 미세분석시 우라늄에 의한 방해와 몇 가지 Cs 화합물의 Cs $L_{\alpha}$ X-선 세기 안정도를 측정하였다. Cs 화합물 중 CsI의 Cs $L_{\alpha}$ X-선 세기가 가속전압과 결정의 종류에 관계없이 가장 높았다. 빔전류량 100 nA 사용시 Cs $L_{\alpha}$ X-선 세기는 측정시간이 경과함에 따라 감소하였으며, X-선 세기의 감소율은 가속전압과 빔전류량에 비례하였으나 빔직경에 반비례하였다. $UO_2$ 시편에 함유된 Cs의 전자탐침미세분석시 LiF결정의 Cs $L_{\alpha}$ X-선 파장을 사용하면 우라늄에 의한 방해를 제거 할 수 있었다.
The crystal structure of partially $Ag^+$-exchanged zeolite A, $Ag_{3.2}Na_{8.8}$-A, vacuum dehydrated at $360^{\circ}C$ and then exposed to 0.1 torr of cesium vapor for 12 hours at $250^{\circ}C$ has been determined by single-crystal X-ray diffraction techniques in the cubic space group Pm3m (a = 12.262(2)${\AA})\;at\;21(1)^{\circ}C$. The structure was refined to the final error indexes $R_1=0.068\;and\;R_2=0.072$ by using 338 reflections for which $I_o\;>\;3{\sigma}(I_o)$ and the composition of unit cell is $Ag_{3.2}Cs_{8.8}-A.\;3\;Cs^+$ ions lie on the centers of the 8-rings at sites of D4h symmetry. Two crystallographycally different 6-ring $Cs^+$ ions were found: 1.5 $Cs^+$ ions at Cs(2) are located inside of sodalite cavity and 4.3 $Cs^+$ ions at Cs(3) are located in the large cavity. The fractional occupancies observed at Cs(2) and Cs(3) indicate that the existence of at least three types of unit cells with regard to the 6-ring $Cs^+$ ions. For example, 50% of unit cells may have two $Cs^+$ ions at Cs(2) and 4 $Cs^+$ ions at Cs(3). 30% of unit cells may have one Cs+ ion at Cs(2) and 5 $Cs^+$ ions at Cs(3). The remaining 20% would have one $Cs^+$ ion at Cs(2) and 4 $Cs^+$ ions at Cs(3). On threefold axes of the unit cell two non-equivalent Ag atom positions are found in the large cavity, each containing 0.64 and 1.92 Ag atoms, respectively. A crystallographic analysis may be interpreted to indicate that 0.64 $(Ag_5)^+$ clusters are present in each large cavity. This cluster may be viewed as a tetrasilver molecule $(Ag_4)^0$(bond length, 2.84${\AA}$) stabilized by the coordination of one $Ag^+$ ion.
식품가공 공장에서 1차 가공되고 버려지는 게껍질을 화학처리하여 chitin을 제조한 후, 탈아세틸화하여 chitosan(Cs)을 제조하여 이 chitosan에 acrylic acid, maleic acid, fumalic acid를 그라프트공중합시켜 CsAa, CsMa와 CsFa를 합성하였다. 제조한 Cs, CsAa, CsMa와 CsFa의 구조 확인은 FT-IR, 전자현미경, X-Ray회절분석기로 하였으며, 응집제로서의 가능성을 검토하기 위하여 제지공장 폐수를 대상으로 응집제의 투입량을 변화시켜 본 결과 투과도, COD, SS의 제거율이 투입량 40ppm에서 제일 좋았으며, chitosan 보다 그라프트중합체를 사용했을 때의 제거율이 월등히 개선되었다. pH 변화에 따라서는 투과도, COD, SS의 제거율이 pH 5에서 가장 우수한 결과를 나타내었다. Chitosan 보다 그라프트공중합체인 CsAa, CsFa와 CsMa가 월등히 우수한 제거율을 나타내고 있는 것은 chitosan에 카르복시기를 가진 단량체가 공중합됨으로서 양쪽성을 띠기 때문으로 예측된다.
Park, Chan Woo;Kim, Ilgook;Yoon, In-Ho;Yang, Hee-Man;Seo, Bum-Kyung
방사성폐기물학회지
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제19권1호
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pp.39-49
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2021
The behaviors of various desorption agents were investigated during the desorption of cesium (Cs) from samples of clay minerals and actual soil. Results showed that polymeric cation exchange agents (polyethyleneimine (PEI)) efficiently desorbed Cs from expandable montmorillonite, whereas acidic desorption solutions containing HCl or PEI removed considerable Cs from hydrobiotite. However, most desorption agents could desorb only 54% of Cs from illite because of Cs's specific adsorption to selective adsorption sites. Cs desorption from an actual soil sample containing Cs-selective clay mineral illite (< 200 ㎛) and extracted from near South Korea's Kori Nuclear Power Plant was also investigated. Considerable adsorbed 137Cs was expected to be located at Cs-selective sites when the 137Cs loading was much lower than the sample's cation exchange capacity. At this low 137Cs loading, the total Cs amount desorbed by repeated washing varied by desorption agent in the order HCl > PEI > NH4+, and the highest Cs desorption amount achieved using HCl was 83%. Unlike other desorption agents with only cation exchange capabilities, HCl can attack minerals and induce dissolution of metallic elements. HCl's ability to both alter minerals and induce H+/Cs+ ion exchange is expected to promote Cs desorption from actual soil samples.
본 연구에서는 SiPM에 열진공증착법을 이용하여 증착한 미세기둥 구조의 CsI:Tl의 감마선 분광특성연구를 진행하였다. SEM장비를 사용하여 미세기둥 구조의 CsI:Tl의 두께와 각각의 CsI:Tl 미세기둥의 두께를 측정하였다. SEM 관측 결과 CsI:Tl의 두께는 $450{\mu}m$, $600{\mu}m$이다. SiPM에 $450{\mu}m$, $600{\mu}m$ 두께로 증착한 미세기둥 구조의 CsI:Tl은 표준 감마선원인 $^{133}Ba$, $^{137}Cs$를 사용하여 감마선의 분광특성 평가를 진행하였다. SiPM에 증착한 미세기둥 구조 CsI:Tl의 분광특성 평가는 $^{137}Cs$ 감마선 세기에 따른 응답 선형성과, 감마선 에너지 스펙트럼을 측정하였다. SiPM에 증착한 두께 $450{\mu}m$와 $600{\mu}m$ CsI:Tl은 감마선 세기에 따라 선형성을 나타났다. 또한 $^{133}Ba$과 $^{137}Cs$의 감마선 에너지 스펙트럼 측정 결과 $450{\mu}m$ 두께의 CsI:Tl은 $^{133}Ba$에 대한 특성이 좋게 평가되었고, $600{\mu}m$ 두께의 CsI:Tl은 $^{137}Cs$에서 우수한 특성을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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