Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.243-243
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2007
We have studied the electrical properties and microstructure of $(Y_{0.5}Nd_{0.25}Sm_{0.25})Ba_2Cu_3O_y[(YNS)-123]$ Oxides by rod-type seeded melt growth process(RSMG) in air atmosphere. Rod-type $NdBa_2Cu_3O_y${Nd-123) seed crystals made a extrusion process method, were used for achieving the ab-plane alignment having large grains perpendicular to the center of (YNS)-123 samples. The observations using SEM and TEM micrographs of the melt-textured (YNS)-123 samples revealed that the nonsuperconducting $(Y_{0.5}Nd_{0.25}Sm_{0.25})Ba_2Cu_3O_y[(YNS)-211]$ inclusions are uniformly distributed in the superconducting matrix. The microstructure and electrical properties were investigated by XRD, SEM, TEM and DC SQUID magnetometer. The sample showed a sharp superconducting transition at 90 K. The magnetization values of the (YNS)-123 sample exhibited the enhanced electrical properties, compared with $YBa_2Cu_3O_y$(Y-123) sample.
Kim, Young-Hwan;Lee, Kang-Min;Kim, Byoung-Yong;Oh, Byeong-Yun;Han, Jeong-Min;Lee, Sang-Keuk;Seo, Dae-Shik
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.9
no.5
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pp.198-201
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2008
The electro-optical (EO) characteristics of the one-side rubbing twisted nematic (TN) - liquid crystal display (LCD) on the polyimide (PI) surface with one-side ion beam (IB) irradiation were successfully studied. The good LC alignment for the one-side rubbing TN-LCD on the PI surface with one-side IB irradiation was observed. The suitable transmittance-voltage curves for the one-side rubbing TN-LCD on the PI surface with one-side IB irradiation were measured. Also, the good response time characteristics of the one-side rubbing TN-LCD on the PI surface with one-side IB irradiation were measured. The fast response time can be achieved for the one-side rubbing TN-LCD on the PI surface with one-side IB irradiation.
Kim, Dae-Hyun;Kim, Sung-Min;Cho, In-Young;Kim, Woo-Il;Kwon, Dong-Won;Son, Jong-Ho;Ryu, Jae-Jin;Kim, Kyeong-Hyeon;Lee, Seung-Hee
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.269-270
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2009
The biased vertical alignment (BVA) liquid crystal (LC) mode shows a has a distinct advantage of lower manufacture cost due to the elimination of a lithographic process step to form either ITO-patterning or protrusions on the color-filter substrates. However, those devices have complex voltage conditions which is the respective induce voltage on common electrode, pixel electrode and bias electrode when positive and negative frame. In order to overcome the complex voltage condition, the pretilt angles is controlled by photo polymerization of the UV-curable reactive mesogen (RM). According to our studies, voltages to the cell are critical to achieve an optimized surface-modified quality BVA (Q-BVA) mode which provides the well defined reorientation of the LCs with respect to an electric field.
Y-Ra-Cu-0 oxide superconductors were fabricated by the sinter-forging method to make the critical current density improve through controlling of microstructure and crystal texture. The grain alignment of oxide superconductor was formed by the sinter-forging process and it's c-axis orientation was parallel to the press direction.The orientation factor of texture increased with sinking temperature and pressure, and also grain alignment was improved by the addition of Ag. As for the sinterforged Y-Ba-Cu-O/Ag sample, the $T_c$(on-set) was not almost varied with the sinter-forging temperature, but $T_c\;^{zero}$ decreased more or less at high sinter-forging temperatures. In addition, it was observed that added-Ag was mainly distributed along the grain boundar~es in the (123) matrix, resulting in the densification of microstructure. From these results, i t was thought that the improvement of $J_c$ over 2000A/$\textrm{cm}^2$ was attributed to the texture, densification of microstructure, and (123) grain growth due to the Ag addition.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.15
no.4
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pp.665-670
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2020
Buffer layer in CIGS thin-film solar cells improves energy conversion efficiency through band alignment between the absorption layer and the window layer. ZnS is a non-toxic II-VI compound semiconductor with direct-transition band gaps and n-conductivity as well as with excellent lattice matching for CIGS absorbent layers. In this study, the structural and optical properties of ZnS thin films, deposited by RF magnetron sputtering method and subsequently performed by the rapid thermal annealing treatment, were investigated for the buffer layer. The zincblende cubic structures along (111), (220), and (311) were shown in all specimens. The rapid thermal annealed specimens at the relatively low temperatures were polycrystalline structure with the wurtzite hexagonal structures along (002). Rapid thermal annealing at high temperatures changed the polycrystalline structure to the single crystal of the zincblende cubic structures. Through the chemical analysis, the zincblende cubic structure was obtained in the specimen with the ratio of Zn/S near stoichiometry. ZnS thin film showed the shifted absorption edge towards the lower wavelength as annealing temperature increased, and the mean optical transmittance in the visible light range increased to 80.40% under 500℃ conditions.
Optically compensated bend liquid crystal display (OCB-LCD) has many application fields owing to its fast response time and wide viewing angle. However, in order to operate the OCB-LCD in bend state, this device needs quick transitions from the initial splay state to bend state. Unlike conventional approach using transient high voltage for the transition, the OCB-LCD with high surface tilt angle, which was achieved by polymerization of UV curable reactive mesogen monomer under certain voltage, was manufactured and the cell showed bend state initially. Electro-optic and electrical characteristics of the cell were analyzed. The cell shows a fast response time owing to high surface pretilt angle and very low residual DC less than 0.1 V although another polymer layer is formed above polymer alignment layers.
Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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2002.11a
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pp.5-6
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2002
The new spectrometer for X-ray Induced Electron Emission Spectroscopy (XIEES) .has been recently developed in KRISS in collaboration with PTI (Russia). The spectrometer allows to perform research using the XAFS, SXAFS, XANES techniques (D.C.Koningsberger and R.Prins, 1988) as well as the number of techniques from XIEES field(L.A.Bakaleinikov et all, 1992). The experiments may be carried out with registration of transmitted through the sample x-rays (to investigate bulk samples) or/and total electron yield (TEY) from the sample surface that gives the high (down to several atomic mono-layers in soft x-ray region) near surface sensitivity. The combination of these methods together give the possibility to obtain a quantitative information on elemental composition, chemical state, atomic structure for powder samples and solids, including non-crystalline materials (the long range order is not required). The optical design of spectrometer is made according to Johannesson true focusing schematics and presented on the Fig.1. Five stepping motors are used to maintain the focusing condition during the photon energy scan (crystal angle, crystal position along rail, sample goniometer rail angle, sample goniometer position along rail and sample goniometer angle relatively of rail). All movements can be done independently and simultaneously that speeds up the setting of photon energy and allows the using of crystals with different Rowland radil. At present six curved crystals with different d-values and one flat synthetic multilayer are installed on revolver-type monochromator. This arrangement allows the wide range of x-rays from 100 eV up to 25 keV to be obtained. Another 4 stepping motors set exit slit width, sample angle, channeltron position and x-ray detector position. The differential pumping allows to unite vacuum chambers of spectrometer and x-ray generator avoiding the absorption of soft x-rays on Be foil of a window and in atmosphere. Another feature of vacuum system is separation of walls of vacuum chamber (which are deformed by the atmospheric pressure) from optical elements of spectrometer. This warrantees that the optical elements are precisely positioned. The detecting system of the spectrometer consists of two proportional counters, one scintillating detector and one channeltron detector. First proportional counter can be used as I/sub 0/-detector in transmission mode or by measuring the fluorescence from exit slit edge. The last installation can be used to measure the reference data (that is necessary in XANES measurements), in this case the reference sample is installed on slit knife edge. The second proportional counter measures the intensity of x-rays transmitted through the sample. The scintillating detector is used in the same way but on the air for the hard x-rays and for alignment purposes. Total electron yield from the sample is measured by channeltron. The spectrometer is fully controlled by special software that gives the high flexibility and reliability in carrying out of the experiments. Fig.2 and fig.3 present the typical XAFS spectra measured with spectrometer.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.8
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pp.6-11
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2009
The electro-optical characteristics of the Liquid Crystal on Silicon (hereinafter "LCOS") micro-display on vertically alignment (VA) mode were studied with 3-dimensional LC code. 5 different cell gaps, such as 1.4 ${\mu}m$, 1.8 ${\mu}m$, 2.1 ${\mu}m$, 2.4 ${\mu}m$ and 2.8 ${\mu}m$, were selected. The reflectance-voltage (R-V) characteristics, distribution of reflected light, reflectance, optical fill factor and contrast ratio were calculated and investigated depending on various cell gaps. Due to the surface anchoring effect, higher cell gap showed higher reflectance. However, considering the optical fill factor and contrast ratio, middle-height 2.1 ${\mu}m$ showed the best electro-optical characteristic. 0.7 inch Full-HD LCOS panels having same geometry and material property were fabricated. The reflected light intensity and contrast ratio were measured and the measured results were well-matched to the calculated results.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.11a
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pp.5.2-5.2
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2009
From 10 years ago, the development of nano-devices endeavored to achieve reconstruction of information technology (IT) and nano technology (NT) industry. Among the many materials for the IT and NT industry, zinc oxide (ZnO) is a very promising candidate material for the research of nano-device development. Nano-structures of ZnO-based materials were grown easily via various methods and it attracts huge attention because of their superior electrical and optical properties for optoelectronic devices. Recently, among the various growth methods, MOCVD has attracted considerable attention because it is suitable process with benefits such as large area growth, vertical alignment, and accurate doping for nano-device fabrication. However, ZnO based nanowires grown by MOCVD process were had the principal problems of 1st interfacial layers between substrate and nanowire, 2nd a broad diameter (about 100 nm), and 3rd high density, and 4th critical evaporation temperature of Zinc precursors. In particular, the growth of high performance nanowire for high efficiency nano-devices must be formed at high temperature growth, but zinc precursors were evaporated at high temperature.These problems should be repaired for materialization of ultra high performance quantum devices with quantum effect. For this reason, we firstly proposed the growth method of vertical aligned slim MgZnO nanowires (< 10 nm) without interfacial layers using self-phase separation by introduced Mg at critical evaporation temperature of Zinc precursors ($500^{\circ}C$). Here, the self-phase separation was reported that MgO-rich and the ZnO-rich phases were spontaneously formed by additionally introduced Mg precursors. In the growth of nanowires, the nanowires were only grown on the wurzite single crystal seeds as ZnO-rich phases with relatively low Mg composition (~36 at %). In this study, we investigated the microstructural behaviors of self-phase separation with increasing the Mg fluxes in the growth of MZO NWs, in order to secure drastic control engineering of density,diameter, and shape of nanowires.
A gene coding for epoxide hydrolase (EH) of Aspergillus niger LK, a fungus possessing the enantioselective hydrolysis activity for racemic epoxides, was characterized by phylogenetic analysis. The deduced protein of A. niger LK epoxide hydrolase shares significant sequence similarity with several bacterial EHs and mammalian microsomal EHs (mEH) and belongs to the a/${\beta}$ hydrolase fold family. EH from A. niger LK had 90.6% identity with 3D crystal structure of lqo7 in Protein Data Bank. Sequence comparison with other source EHs suggested that Asp$\^$l92/, Asp$\^$374/ and His$\^$374/ constituted the catalytic triad. Based on the multiple sequence comparison of the functional and structural domain sequence, the phylogenetic tree between relevant epoxide hydrolases from various species were reconstructed by using Neighbor-Joining method. Genetic distances were so far as 1.841-2.682 but characteristic oxyanion hole and catalytic triad were highly conserved, which means they have diverged from a common ancestor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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