• 한국진공학회지
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• 제5권3호
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• pp.218-222
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• 1996

STrained layers and strain depth profile of high dose As ion implanted (100) si wafer annealed at various temperatures have been investigated by means of X-ray double crystal diffractometry (X-ray DCD). The results obtained by x-ray rocking curve analysis showed a defect layer at the original amorphous /crystalline interface of 1400$\AA$ depth. In addition arsenic ion concentrtion profiles and defect distributions in depth were obtained by the SIMS and TRIM -code simulation . the positive strain depth profile determined from the rocking curve analysis were only presented under 0.14 $\mu$m from the surface for samples ananelaed at $600^{\circ}C$. The results was shown that the thickness of amprphous layer is 0.14 $\mu$m indirectry, and it was good agreement with the TRIM -Code simulation. Additionally, it could be thought that the positive strain have been affected residual intersitial atoms under the amorphous/crystalline interface formed by ion implantation.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권1호
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• pp.143-150
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• 1997

본 연구는 수소로 희석된 $B_2H_6$를 도판트 소스 가스로 사용하여 이온 질량 주입(ion mass doping)을 하였을 때 다결정 박막의 전기적 특성과 도판트의 활성화시 방사 손상(radiation damage)의 효과에 대하여 고찰하였다. 다결정 박막에서 보론(boron)의 SIMS 분석과 컴퓨터 시뮬레이션인 TRIM92를 비교해서 가장 주입 확률이 높은 이온의 종류는 $B_2H_x\;^+$(x=1, 2, 3‥‥) 형태의 분자 이온임을 알았다. 높은 에너지의 질량 이온 주입 결과 시간에 따라 변화하는 비정질화된 층의 분율이 다결정 박막 내에 연속적인 비정질 충으로 존재하였다. 주입 이온의 질량 분리가 일어나지 않는 이온 질량 주입법(ion mass doping technique)에 의해 비정질화는 유발된다. 손상된 시편의 중간 열처리 온도 범위에서 도판트 활성화 거동과 역 열처리(reverse annealing) 효과가 관찰되었다. 이와 같은 연구의 결과 p-채널 다결정 박막 트랜지스터의 오프 스테이트(off-state) 전류는 방사 손상(radiation damage)에 의존한다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제6권2호
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• pp.97-100
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• 2002

NaEr(WO$_4$)$_2$ is a new laser material. The planar optical waveguide was formed in NaEr(WO$_4$)$_2$ crystal by 2.6 MeV He$^{+}$ ion implantation at doses of 1.0-1.5 $\times$ 10$^{16}$ ions/cm$^2$ at room temperature. The effective refractive indices of the dark modes were measured using the prism coupling method. foul n modes and five TM modes were observed in the waveguide. The refractive index profiles were analyzed using the reflectivity calculation method (RCM). The influence of heat treatment at moderate temperature on the refractive index profiles of the waveguide was also investigated. We used the TRIM'98 (Transport of ton in Matter) code to simulate the damage profile in the NaEr(WO$_4$) crystal by 2.6 MeV He$^{+}$ion implantation which is helpful for a better understanding of the waveguide formation.ion.

• 한국진공학회지
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• 제20권2호
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• pp.100-105
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• 2011

이온을 Si(100) 기판에 주입할 때 조사량과 에너지, 빔 전류가 면저항에 영향을 미치는 원인을 규명하기 위해 여러 연구자가 행하였던 실험과 동일한 조건으로 Crystal TRIM 프로그램을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실행하였다. 주입한 $As^+$이온의 조사량을 $1{\times}10^{15}/cm^2$로 일정하게 하고 에너지를 5, 10, 15 keV로 변화시켜 계산한 결과 에너지가 커질수록 Rp값은 표면에서 깊어지는 반면에, 표면근방에 축적되는 격자손상은 증가하였다. 20keV의 B+이온을 $5{\times}10^{15}/cm^2$의 동일한 조사량으로 1mA와 7 mA의 빔 전류에 해당하는 값을 이용하여 계산한 결과 빔 전류가 커질수록 표면근방 100 nm 이내에서 격자손상이 증가하였다. 20 keV의 일정한 에너지로 B+이온을 $1{\times}10^{15}$, $3{\times}10^{15}/cm^2$ 조사량과 0.8 mA와 8 mA의 빔 전류로 각각 계산한 결과 조사량이 많아질수록, 빔 전류가 커질수록 표면 근방에 축적되는 격자손상의 양이 증가하였다. 이러한 에너지, 조사량과 빔 전류증가에 의한 시료표면의 격자손상 증가는 시료표면의 면저항을 감소시킨다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.188-188
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• 2010

동일한 에너지와 일정한 dose량을 유지하고 dose rate만을 변화시켜가며 이온을 Si(100) 표면에 주입하였다. 이러한 조건하에서 이온의 dose rate가 커지게 되면 시료 내에서 relaxation되는 시간이 짧아져서 damage의 양이 증가하게 되고 depth profile의 꼬리부분이 표면 쪽으로 올라오게 된다. 이와 같은 damage profile의 변화가 sheet resistance에 영향을 준다는 실험결과가 있다. 본 연구에서는 Crystal-TRIM computer simulation을 통해서 depth profile과 damage profile의 결과를 얻고, dose rate가 커질수록 시료표면 근방에 잔류 damage의 양이 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 또한, 잔류 damage의 표면근방에서의 분포가 annealing 이후 sheet resistance를 변화시키는데 이에 대한 mechanism을 규명하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.242-242
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• 2010

Si(100) 표면에 이온을 일정한 에너지로 dose량을 동일하게 유지하고, dose rate만을 변화시켜가며 주입한 후에 depth profile과 damage, 그리고 sheet resistance를 조사하였다. 일정한 에너지로 이온을 주입하여도 dose rate의 변화에 따라서 depth profile에 변화를 보이는 것을 확인할 수 있었고 sheet resistance역시 dose rate변화에 비례하여 변화하는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구는 Crystal-TRIM program으로 computer simulation 하여 damage profile의 결과를 통해 dose rate가 클수록 시료 표면 근처에 잔류 damage의 양이 높게 나타나는 것을 알 수 있었고 그 잔류 damage의 표면근방 분포가 sheet resistance에 직접적인 영향을 미친다는 것을 확인할 수 있었다.