Effects of the V/III ratio on a-plane GaN epitaxial layer on r-plane sapphire grown by HVPE (r-Plane sapphire 위에 HVPE에 의해 성장한 a-plane GaN에피텍셜층의 V/III족 ratio에 따른 특성 변화)
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- Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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- v.24 no.3
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- pp.89-93
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- 2014