$SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ 적층구조 터널링 절연막을 적용한 차세대 비휘발성 메모리의 제작
(Fabrication of engineered tunnel-barrier memory with $SiO_2/HfO_2/Al_2O_3$ tunnel layer)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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- pp.129-130
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- 2009