A strip-type bending actuator using perfluoro sulfonic acid film ($Nafion^{(R)}$ 117, Du Pont), which is a kind of conducting polymer, fabricated and characterized. Conducting polymer is a useful material as an actuator due to the simple structure, fabrication method and low driving voltage. Experimental results show that the fabricated bending actuator has about ${\pm}10^{\circ}$ of bending angle at 4 V and fast response, which means that the conducting polymer can be used practically as actuator material.
본 연구에서는 ABS(Acrylonitrile-Butadiene-Styrene)을 주-고분자로 사용하여 산화안정성이 개선된 ABS/Polypyrrole 복합박막을 전기화학적 방법으로 합성하였다 우선 acetonitrile계의 용매로 주-고분자를 팽창시켰으며, pyrrole과 지지전해질이 백금전극에 미리 코팅된 ABS내부로 투과하여 백금 전극표면에 ABS/PPy복합체가 형성되도록 하였다. 결과적으로 전도성 ABS/PPy 복합박막은 polypyrrole과 비교하여 일정한 저항을 유지하였으며, 산화안정성도 향상되는 것으로 나타났다.
Lee, Yeon-Ju;Lee, Woo-Suk;Jeong, Soo-Kyeong;Choi, Seok-Ju;Kim, Hye-Min;Chun, Jin-Young;Kim, Sung-Ho;Geckeler, Kurt E.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.920-922
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2009
Flexible, transparent thin-film transistor with active layers composed of carbon nanotube-based conducting ink were fabricated on a plastic substrate by ink-jet printing. The properties of the formulated conducting ink containing carbon nanotubes, a conducting polymer, and additives were characterized and optimized. The conducting ink was applied to flexible thin-film transistors using ink-jet printing.
전도성 고분자 박막의 스펙트럼, 가간섭 길이 및 3차 비선형 광학 감수율의 측정방법을 연구했다. 시료박막의 대한 Maker fringe를 용융석영에 대한 것과 비교하고 선형 굴절률에 의한 효과를 보정하여 3차 비선형 광학 감수율값을 계산했다. 선형 굴절률값의 계산을 위하여는 투과율 스펙트럼에서 투과율의 극대(극소) 값의 포락선이 사용되었다. Spin coating 방법을 사용하여 제작된Poly((1,4-phenylenevinylene$)_{0.34}$-co-(2-methoxy-1,4-phen ylene vinylene$)_{0.66}$) [PP$V_{0.34}$-PMP$V_{0.66}$] 박막에 대해서 투과율 스텍트럼과 Maker fringe를 측정한 후, 이들 data로부터 구한 1907 nm 펌프 파장에 대한 굴절률, 가간섭길이 및 3차 비선형 광학 감수율 값은 각각 1.786, 17.86 ${\mu}m$ 및 5.8${\times}10^{12}$esu였다.
ITO 투명 전극 필름은 디스플레이, 전기 자동차 등 산업 전 범위에서 널리 사용되는 전자 재료이다. 본 연구에서는 이러한 indium tin oxide (ITO) 필름의 열성형 안정성을 향상시키기 위하여 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) 전도성 고분자 코팅 용액 조성을 결정하였다. 1000 S/cm의 고 전도성을 보이는 PEDOT:PSS 용액에 끓는점이 각기 다른 4가지 종류의 용매를 희석하였고, 코팅 전 후 면저항 변화를 분석하였다. 또한 380~800 nm 영역의 광 투과율 분석 및 Raman 스펙트럼 분석을 통하여 PEDOT:PSS 박막이 코팅된 ITO 투명 전극의 전기적 특성 결정 메커니즘을 규명하였다. 230℃ 열성형 공정 결과 ITO 필름은 113% 연신 상태에서 이미 전기 전도성을 읽었지만, ethylene glycol을 희석 용매로 사용하여 얻어진 전도성 고분자 박막이 적용된 ITO 필름은 126% 고 연신 상태에서도 초기 60 Ω/sq 면저항을 246 Ω/sq로 유지하는 우수한 전기 전도성을 보였다.
We propose a novel direct writing technique with a femtosecond laser enabling selective modification of not only the morphology of conducting polymer thin films but also the orientation and alignment of the polymer crystal. Surface relief gratings resulting from photoexpansion on P3HT:PCBM and PEDOT:PSS thin films were fabricated by femtosecond laser direct writing. The photoexpansion was induced at laser fluence below the ablation threshold of the thin film. The morphology (size and shape) of photoexpansion could be quantitatively controlled by laser writing parameters such as focused beam size, writing speed, and laser fluence. GIWAX results showed that face-on P3HT crystals were largely increased in the photoexpansion in comparison with pristine region of the thin film. In addition, the face-on P3HTs in the photoexpansion were aligned with their orientation along the polarization of the laser. The micro-RAMAN spectra confirmed that neither chemical composition change nor the polymer chain breaking was observable after femtosecond laser irradiation. We believe that this laser direct writing technique opens a new door to the fabrication of more efficient OPVs via non-contact, toxic-free approach.
The electrical property of ultra thin PVA films(several hundreds .angs.-several .mu.m in thickness) formed by sphere bulb blowing technique, has been studied. The electrical conductivity of relatively thick films(>several thousands .angs.) has been very high and enhanced by the exposure either to high humidity of air or $NH_3$, which can be explained in terms of the role of ionic transport. The use of PVA films as NH$_{3}$ sensor is also proposed. In ultra thin PVA films less than 1500.angs., two conducting states ; high conducting and low conducting states, are observed. The nonlinear current-voltage characteristics in the low conducting state and the switching between these two states are also confirmed. These properties are discussed in terms of electronic conduction processes. The breakdown strength of the ultra thin PVA film is found to be very high(-30MV/cm), supporting the electron avalanche process in a thick polymer films.
The polypyrrole and polyaniline thin film sensors which were made by chemical polymerization were employed to detect ethanol gas. With a single sensor element we can obtain characteristic patterns of behaviour across a very wide frequency range when measuring either resistance or capacitance. Impedance spectroscopy was employed to study the gas sensing behavior of both capacitance and resistance based sensors with conducting polymer as the active sensing element.
As displays become larger and solar cells become cheaper, there is an increasing need for low-cost transparent electrodes. Intensive effort has been made to replace ITO (Indium Tin Oxide) based transparent electrode with cheap and flexible ones. Among those, silver nanowires have got limelight because of its great conductivity and flexibility. Even though the electric property of the Ag nanowire based transparent electrode surpassed ITO, the optical property needs to be improved (lower transmittance, higher haze). Here, we reported transparent electrode based on Ag nanowires and conducting polymer to improve optical properties. The Ag nanowires are coated onto PET films and the resulting transparent electrode film shows $200ohm/{\Box}$ resistance and > 90% optical transmittance.
Polycarbonate (PC)를 matrix로 사용하여 전도성 고분자인 polyaniline (PANI)과의 복합체를 블렌딩 방법에 의하여 제조하였다. 용매로는 chloroform을 사용하였으며 PANI는 전하수송을 가능하게 하고 유기용매에 잘 용해될 수 있도록 camphorsulfonic acid (CSA) 혹은 dodecylbenzenesulfonic acid (DBSA)와 같은 알킬 벤젠 술폰산으로 양성화시켰다. 또한, 전도성 복합체의 전기전도성은 압축성형이 아닌 solution casting법에 의하여 향상시켰다. 아울러 양성화제 유무, PANI의 함량 또는 온도에 따라 전기전도도, 몰포로지 및 인장강도 등을 측정 분석하였다. PANI 착체의 함량이 많을수록 전기전도도는 증가하였으며 알킬사슬이 긴 DBSA로 양성화된 25 wt % PANI 착체의 전도성 복합체의 전기전도도는 3.18 S/cm까지 향상되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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