Recently, mass spectrometers are widely used for in-situ chemical analysis. It has rapid response and high sensitivity. In this paper, we present the fabrication and test of a cold cathode emitter for micro mass spectrometer using CNTs(Carbon nano tubes). The CNTs have good mechanical, electrical and chemical characteristics. So they have a long life time and strong robustness. The micro mass spectrometer is composed of the glass substrate and the silicon substrate. The glass substrate is constructed by electrodes for TOF(Time-of-flight) which analyze an ion with mass to charge ratio as ion separator. The silicon substrate is highly doped wafer which is patterned for gate electrode and then 100 11m dry etching to grow the CNTs as the electron emitter. The CNTs are grown by HFCVD(Hot filament chemical vapor deposition) with sputtering the catalyst. We successfully attained to grow the CNTs and to test the characteristics.
LCD는 광변조기능을 가지는 수광 소자로서 발광원인 백라이트를 필요로 하는데 일반적으로 냉음극 방전램프(CCFL: Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 사용된다. 기존의 권선형 변압기를 이용한 인버터를 구성하여 멀티램프를 구동하고 있지만 이는 코어나 권선 손실에 의한 효율 저하와 부피나 중량의 증가, 그리고 과열에 의한 화재의 위험성을 가지고 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위해 본 논문에서는 압전 변압기를 이용한 멀티램프 구동용 인버터를 설계 지침에 따라 구성하였다. 인버터 하나로 압전 변압기를 병렬로 연결하는 방식을 이용하였고, 또한 전류 부담이 적은 외관 전극 형광 램프(EEFL: External Electrode Fluorescent Lamp)를 이용한 멀티램프 구동 방법이 압전 인버터에 적용 가능한지를 확인하였다.
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 표시장치로서 실용화된 후 많은 상품에 적용중이다. 그러나, LCD는 자체 발광능력이 없으므로 그후면에서 LCD 화면을 밝혀주는 BLU(Backlight Unit)를 필요로 한다. BLU는 내부 광원으로 밝기가 균일한 평면광을 만들어 LCD 화면을 균일하게 면조사하는 역할을 한다. LCD가 적용되는 분야중 Note PC에는 광원으로 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 적용되어 왔지만, 최근 고휘도, 박형화, 저소비 전력을 달성하기 위해 CCFL로는 한계가 있어 LED(Light Emitting Diode)를 적용한 BLU를 제작하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 점광원인 LED 적용한 LED에 있어서 요구되는 휘도 균일성을 향상시키기 위해서는 LED광원이 적용된 BLU의 외관 품질 향상을 위한 도광판 입광부 구조 최적화를 광추적 Simulation을 통해 예측하고 향상시킬 수 있는 구조를 제안한다. Simulation결과, 외관품질 개선을 위해 도광판 입광면에 130도의 Serration과 휘도를 향상하기 위해 도광판 밑면에 렌즈 형상의 바 구조를 도출해 적용한 결과 외관품질향상과 휘도향상을 얻었다.
In this study, among in various scenarios of the duration degradation of the fuel cell, countermeasures for the cathode carbon carrier oxidation and the deactivation of catalyst by hydrogen / air interface formation have been studied. so the system was applied to the air cutoff valve. In terms of the component, the cold start performance, electrical stability, the airtight performance were mainly designed and their performance was confirmed. And in terms of the system, the air electrode flow is blocked off, so the oxygen concentration drops when system is powered off, As a result, By reducing unit cell voltage which affect the durability of the fuel cell reached up to 0.8V, the improved durability of the fuel cell was confirmed.
LCD의 대형화에 따라 백라이트용 냉음극 방전램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp)는 길어지고 있으며, 하나의 램프를 이용한 백라이트는 휘도의 한계가 있어 대형 디스플레이에서는 여러 개의 램프를 사용하여 필요한 휘도를 만들고 있다. 본 논문에서는 냉음극 방전램프 20개를 사용하는 42인치 LCD TV용 대형 백라이트 구동을 위한 인버터를 각각의 램프들이 입력조건에 대해 동일한 출력을 갖도록 설계하였다. 기존의 냉음극 방전램프의 구동방식인 하이-로우(H-L) 방식에서의 문제점을 보완하여 하이-하이(H-H) 방식을 채택하여 램프 좌우측의 휘도 차이를 개선하였다. 또한 램프간의 휘도 편차를 개선하기 위해 램프와 직렬로 커패시터를 연결하는 방식을 사용하였다. 제안된 시스템을 실험을 통해 검증하였다.
LCD 모니터의 백라이트로 CCFL 형광체를 많이 사용하고 있으나 그 불량여부는 육안에 의존하고 있다. 육안 검사를 함으로써 부품에 대한 일관성 있는 검사가 결여되고, 노동집약적인 검사로 인해 산업적 재해가 발생할 수 있다. 따라서, CCFL 불량유무를 판별하기 위해서 물리적 촬영 환경과 영상처리 알고리즘은 중요하다. 본 논문에서는 CCFL 형광체를 검사하기 위한 촬영환경에 대하여 설명하고, 촬영환경 중 돔 근거리 조명과 점원거리 조명에서의 몇 가지 불량판별 알고리즘을 제시하였다. 불량을 포함한 CCFL 형광체를 사용하여 실험을 수행하였고, 그 결과 제안한 촬영환경과 알고리즘은 불량 판별율 98.32 %와 과검율 4.88 %의 성능을 나타내었다.
주어진 연료전지면적에서 반응면적이 넓을수록 성능이 향상되는 연료전지는 좁은 폭의 채널을 여러 개 존재하게 하는 구조를 선호하지만 채널 폭이 좁아질수록 압력이 커지는 문제가 고려되어져야 한다. 그러나 현재 채널 구조에 따른 압력에 대한 연구는 많이 진행되어져 왔지만 대부분 반응을 고려하지 않았으며, 반응을 고려한 경우에 어떤 경향을 나타내는지 알아보는 것이 연료전지 유로설계에 있어 매우 중요하다. 본 논문에서 화학반응을 고려한 평행류, 90도 밴드형, serpentine 세가지 종류의 유로채널를 가진 연료전지를 수치 해석하여 반응을 고려하지 않은 경우와 마찰계수(fRe), 속도, 압력강하를 비교하여 본 결과 parallel과 bend 형태의 채널은 반응을 고려한 경우 반응에 의한 밀도의 감소에 따라 근소하게 감소한 것을 알 수 있었다. 그러나 serpentine채널은 다공성매체인 확산층을 통해 인접한 채널로 가스가 이동하는 bypass flow 영향에 의하여 상대적으로 낮은 압력강하를 나타내는 것을 알 수 있었다.
In this paper, the characteristics of piezoelectric transformer is studied for driving CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp). In order to investigate the effects of geometrical dimensions, λvibration-mode type piezoelectric transformers with different sizes in the length(l), width$(\omega)$ and thickness(t) are made of ceramics with PZT-PMWS compositions. The increases in temperature and aging effect are also measured in the transformer of PT-3 sample under the condition of operation continuously for 10 hrs. As the results of dimensional effects, the output power and voltage step-up ratio are largely affected by the ratio of length to thickness(l/t) rather than that of length to $width(l/\omega)$. The output power and step-up ratio are increased with increasing l/t. On case of PT-3, the output voltages are 510[Vrms] at 36[Vrms] in input voltage, $100[k\Omega]$ in load resistance. Temperature increases and variation of output voltages are $10[^{\circ}C]$ and less than 5[%], respectively.
이 논문에서 LED로 구동되는 LCD 표시판의 백라이트 전체 화면의 밝기를 균일하게 제어할 수 있고, 필요에 따라 전체 화면 중 각 부분의 휘도 및 색의 특성을 정밀하게 제어할 수 있는 LED 백라이트용 제어 장치 및 백라이트 용 구동 장치를 제시한다. 백라이트 제어 장치는 clock 신호에 따라 직렬 데이터를 시프트 시키면서 병렬 데이터로 변환하여 출력하는 직렬-병렬 변환 시프트 레지스터, 복수의 레지스터들, 카운터, 복수의 비교기들, 그리고 PWM 제어 신호를 출력하는 복수의 동기화 게이트들을 포함한다. 이 논문에서 백 라이트 제어 장치 및 백라이트 구동 장치는 clock 주파수를 높이지 않으면서도 높은 분해능을 갖는 PWM 제어 신호를 생성할 수 있고 양자화 잡음을 분산하여 희석시킬 수 있는 PWM 제어 회로, 백라이트 제어 장치 장치를 제시한다.
Cold temperature development (CTD) of electron beam (EB) patterned resists and subsequent dry etching were investigated for fabrication of nano-patterned Niobium (Nb). Bulky Nb fims on GaAs substrates were deposited with EB evaporation. Line patterns on Nb cathode were fabricated by EB patterning and reactive ion etching (RIE). Size deviations of nano-sized line patterns from CAD designed patterns are dependent on the EB total exposure, but it can be improved by CTD of EB-exposed resist. Line patterns of 10 to 300 nm widths of EB-exposed resist patterns were drawn under various exposure conditions of $0.2{\mu}s$/dot (total 240,000 dot) with a constant current (50 pA). Compared with room temperature development (RTD), the CTD improves pattern resolution due to the suppression of backscattering effect. RIE with $CF_4$ was performed for formation of several nano-sized line patterns on Nb. Each EB-resist patterned samples with RTDs and CTDs were etched with two different $CF_4$ gas pressures of 5 Pa. Nb etching rate increases while GaAs (or ZEP) etching rate decreases as the chamber pressure increases. This different dependent of the etching rate on the $CF_4$ pressure between Nb and GaAs (or ZEP) has a significant meaning because selective etching of nano-sized Nb line patterns is possible without etching of the underlying active layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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