• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.9-16
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• 1999

Flash EEPROM 셀에서 기존의 ONO 구조의 IPD를 사용하면 peripheral MOSFET의 게이트 산화막을 성장할 때에 사용되는 세정 공정을 인하여 ONO 막의 상층 산화막이 식각되어 전하 보존 특성이 크게 열화되었으나 IPD 공정에 ONON 막을 사용하면 그 세정 공정시에 상층 질화막이 상층 산호막이 식각되는 것을 방지시켜 줌으로 전하보존 특성이 크게 개선되었다. ONON IPD 막을 갖고 있는 Flash EEPROM 셀의 전화 보존 특성의 모델링을 위하여 여기서는 굽는(bake) 동안의 전하 손실로 인한 문턱전압 감소의 실험식으로 ${\Delta}V_t\; = \;{\beta}t^me^{-ea/kT}$을 사용하였으며, 측정 결과 ${\beta}$=184.7, m=0.224, Ea=0.31 eV의 값을 얻었다. 이러한 0.31 eV의 활성화 에너지 값은 굽기로 인한 문턱전압의 감소가 층간 질화막 내에서의 트립된 전자들의 이동에 의한 것임을 암시하고 있다. 한편, 그 모델을 사용한 전사 모사의 결과는 굽기의 thermal budget이 낮은 경우에 실험치와 잘 일치하였으나, 반면에 높은 경우에는 측정치가 전사 모사의 결과보다 훨씬 더 크게 나타났다. 이는 thermal budge가 높은 경우에는 프로그램시에 층간 질화막 내에 트립되어 누설전류의 흐름을 차단해 주었던 전자들이 빠져나감으로 인하여 터널링에 의한 누설전류가 발생하였기 때문으로 보여졌다. 이러한 누설전류의 발생을 차단하기 위해서는 ONON 막 중에서 층간 질화막의 두께는 가능한 얇게 하고 상층 산화막의 두께는 가능한 두껍게 하는 것이 요구된다.

• 정보처리학회논문지:소프트웨어 및 데이터공학
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• 제2권4호
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• pp.267-272
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• 2013

데이터 정제나 복사 탐지와 같은 많은 응용들을 가진 중요한 연산인 유사도 조인은 도전적인 주제로 데이터집합에서 주어진 한계치 이상의 유사도를 가지는 모든 쌍의 레코드들을 찾는 것이다. 우리는 빠른 유사도 조인을 위해 후보 쌍들의 생성 시에 접두 필터링 원리를 강한 제약 조건으로 사용하는 새 알고리즘을 제안한다. 그 원리에 의해 한정된 접두 토큰들내에서 탐색 레코드의 현재 접두 토큰이 인덱싱 레코드의 접두 토큰을 공유할 때에만 후보 쌍이 생성된다. 이 생성 방법은 두 레코드들 사이에 공통부분의 상한 값을 계산할 필요가 없어서 실행시간을 감소시킨다. 실제 데이터 집합에 적용된 실험 결과는 제안된 알고리즘이 이전의 접두 필터링 방법의 알고리즘들에 비해 상당히 우수함을 보여준다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제33권1호
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• pp.56-59
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• 2020

Porcelain insulators are typically exposed to surface discharge and lightning impulse in service. This study investigates the insulation characteristics of the external and internal discharges of a porcelain insulator with respect to its flashover for a 154 kV transmission line. The experiments are also conducted using a wet flashover test and an impulse test based on the external discharge and the internal penetration, to classify the flashover voltage-time curve of the porcelain insulator. When an impulse with a strength of 2,500 kV/㎲ was applied three times to 6.5 mm ceramic samples, electrical penetration of approximately 70% occurred. The impulse experiment confirmed that the electrical penetration inside the porcelain insulator coincided with the area where the electric field was concentrated. The wet flashover voltage test revealed that the flashover threshold voltage increases by approximately 7% after cleaning of the surface.

• 한국산업보건학회지
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• 제4권2호
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• pp.198-207
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• 1994

In order to evaluate the effectiveness of environmental intervention of work place, metal mercury concentration in air and in urine of the total 43 workers for 3years from December 1991 to October 1993 in a fluorescent lamp manufacturing industry exposed to mercury, was measured before and after implementation of controls such as establishing exhaust ventilation at the department of exhaustion, coating the floor of work place with epostane, cleaning of the floor, improved housekeeping, and etc. The results were as follows. 1. Before the intervention(December 1991) 39.0% exceeded metal mercury Threshold Limit Value(TLV, $0.05mg/m^3$). After the intervention(October 1993) 10.0% exceeded TLV and geometric mean of mercury in air was $0.1mg/m^3$, and showed effectiveness rate of intervention to be 74.4% 2. After the intervention, geometric means of mercury concentrations in air were 0.013, $0.019mg/m^3$ and showed effectiveness rate of intervention to be 76.6%, 65.5% in A factory(right tube lamp)and at exhaustion department, respectively, A follow up survey fround statistically significant reductions in mercury concetration in air three years later. 3. Mercury concentration in urine of 11 workers(29.7%) exceeded warning level of $100{\mu}l/l$ before the intervention. After the intervention, of 3workers(8.8%) exceeded warning level and geometric mean of mercury concentration($26.5{\mu}l/l$) in urine was 2.4 times than that of before the intervention. Geometric means of mercury concentrations in urine of workers at exhaustion department, at sealing and aging department were 44.0, $77.7{\mu}l/l$, respectively and they decreased 2.3, 3.2 times than that of before the intervention.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.71-72
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• 1998

반도체 집적 공정의 발달로 차세대 소자용으로 30 A 이하의 극 박막 Si02 절연막이 요구되고 있으며, 현재 제품으로 50-70 A 두께의 절연막을 사용한 것이 발표되고 있다. 절연막의 두께가 앓아질수록 많은 문제가 발생할 수 있는데 그 예로 절연막의 breakdo때둥에 의한 신뢰성 특성의 악화, 절연막올 통한 direct tunneling leakage current, boron풍의 dopant 침투로 인한 소자 특성 ( (Threshold Voltage)의 불안, 전기적 stress하에서의 leakage current증가와 c charge-trap 및 피terface s쩌.te의 생성으로 인한 소자 특성의 변화 둥으로 요약 된다. 절연막의 특성올 개선하기 위해 여러 가지 새로운 공정들이 제안되었다. 그 예로, Nitrogen올 Si/Si02 계면에 doping하여 절연막의 특성을 개선하는 방법 으로 고온 열처 리 를 NH3, N20, NO 분위 기 에서 실시 하거 나, polysilicon 또는 s silicon 기판에 nitrogen올 이온 주입하여 열처리 하는 방법, 그리고 Plasma분 위기에서 Nitrogen 함유 Gas를 이용하여 nitrogen을 doping시키는 방법 둥이 연구되고 있다. 또한 Oxide cleaning 후 상온에서 성장되는 oxide를 최소화 하여 절연막의 특성올 개선하기 위하여 LOAD-LOCK을 이용하는 방법, C뼈피ng 공정의 개선올 통한 contamination 감소와 silicon surface roughness 감소 로 oxide 신뢰성올 개선하는 방법 둥이 있다. 구조적 인 측면 에 서 는 Polysilicon 의 g없n size 를 최 적 화하여 OxideIPolysilicon 의 계면 특성올 개선하는 연구와 Isolation및 Gate ETCH공정이 절연막의 특성에 미 치 는 영 향도 많이 연구되 고 있다 .. Plasma damage 가 Oxide 에 미 치 는 효과 를 제어하는 방법과 Deuterium열처리 퉁올 이용하여 Hot electron Stress하에서 의 MOS 소자의 Si/Si02 계면의 신뢰성을 개선하고 있다. 또한 극 박막 전연막의 신뢰성 특성올 통계적 분석올 통하여 사용 가능한 수명 올 예 측 하는 방법 과 Direct Tunneling Leakage current 를 고려 한 허 용 가농 한 동작 전 압 예측 및 Stress Induced Leakage Current 둥에 관해서 도 최 근 활발 한 연구가 진행되고 있다.

• Membrane and Water Treatment
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• 제6권1호
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• pp.77-94
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• 2015

Ultrafiltration membranes have several advantages over conventional drinking-water treatment. However, this technology presents major limitations, such as irreversible fouling and low removal of natural organic matter. Fouling depends heavily on the raw-water quality as well as on the operating conditions of the process, including flux, permeate recovery, pre-treatment, chemical cleaning, and backwashing. Starting with the premise that the optimisation of operating variables can improve membrane performance, different experiments were conducted in a pilot plant located in Granada (Spain). Several combinations of permeate and backwashing flow rates, backwashing frequencies, and aeration flow rates were tested for low-quality water coming from Genil River with the following results: the effluent quality did not depend on the combination of operating conditions chosen; and the membrane was effective for the removal of microorganisms, turbidity and suspended solids but the yields for the removal of dissolved organic carbon were extremely low. In addition, the threshold transmembrane pressure (-0.7 bar) was reached within a few hours and it was difficult to recover due to the low efficiency of the chemical cleanings. Moreover, greater transmembrane pressure due to fouling also increased the energy consumption, and it was not possible to lower it without compromising the permeate recovery. Finally, the intensification of aeration contributed positively to lengthening the operation times but again raised energy consumption. In light of these findings, the feasibility of ultrafiltration as a single treatment is questioned for low-quality influents.

• 한국안광학회지
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• 제9권2호
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• pp.381-389
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• 2004

사용기간과 보관 온도에 따른 소프트콘택트렌즈 다목적용액의 변화를 알아보기 위해 4개 회사의 제품을 조사하였다. 실험에 사용한 다목적용액들을 각각 $4^{\circ}C$, $20^{\circ}C$ 및 $30^{\circ}C$로 보관하면서 24주간동안 단백질 제거 효능을 측정한 결과, 사용기간이나 보관용도에 따라 통계적으로 의미있는 변화가 나타나지 않았다. 다목적 용액들의 pH를 24주 동안 매주 측정한 결과, 개봉 직후 pH는 각기 7.0, 7.5, 7.6 및 8.2로 제품마다 큰 차이가 났으며 한 제품은 안자극을 유발시키지 않는 pH인 6.6~78 범위를 벗어났다. 24주간의 시험기간 동안 pH는 점점 산성화되어 24주에 이르러서는 제품들의 평균 pH는 6.6, 7.2, 7.2 및 7.7로 되어 제품에 따라서는 사용기간에 따라 역시 자극감을 느끼는 pH가 될 수 있음을 알 수 있었다. 그러나, 이러한 pH 변화는 보관온도와는 관계가 없었다. 또한 24주 동안 사용한 한 개의 다목적용액에서 세균의 오염이 관찰되었으며, 박층크로마토그라피와 UV 흡광 양상비교를 통한 성분의 변화여부 분석에서 성분의 변화가 나타남을 확인하였다. 본 연구로 다목적 용액의 변화가 보관온도와는 상관이 없었지만, 보관기간과는 큰 연관성이 있어 착용자에게 불편감을 초래할 수 있는 것으로 확인되었다.

• 한국산업보건학회지
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• 제15권2호
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• pp.90-103
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• 2005

Objective: This study was carried out to assess the status of working environments, to improve the working environments, and to be helpful to prevent occupational disease. Methods: The authors measured the noise level, concentration of dust, heavy metals, organic solvents, and other chemicals at 95 industries (22 working processes) by type of working process in manufacturing industry of parts and accessories for motor vehicles and its engines from January to December 2003. Samples were measured and analyzed by regulations of Korea Ministry of Labor, manuals of National Institute for Occupational Safety and Health (NIOSH) and Occupational Safety and Health Administration (OSHA). Results: Results are as follows. 1. Major processes exceeding mean noise levels provided the American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH) Threshold Limit Value (TLV) were shakeout [97.5 dB(A)]. shot-blast [94.2 dB(A)], pressing [92.9 dB(A)], crushing [91.2 dB(A)], and cleaning [90.6 dB(A)]. 2. Mean concentrations of dusts were not exceeded to the TLV. But concentration on some points of processes as like welding (6.50 mg/m3), foundry (5.24 mg/m3) were exceeded. 3. Mean concentrations of heavy metals were not exceeded to the TLV. 4. Mean concentrations of organic solvents and chemicals were not exceeded to the TLV. 5. Improving rate for working environment were significantly higher in industries with health manager than without (p<0.05), and by increasing the year of working environmental measurement (p<0.01). Conclusions: The results suggest that working processes of exceeding to the TLV will be needed rapid improvement of the working environment, and also the others will be needed positive management of the working environment. Health managers must be recommended to employ in the workplace, and further studies for relationship between working environment and health effects for the workers must be carried out.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.344-344
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• 2014

Transparent amorphous oxide semiconductors such as a In-Ga-Zn-O (a-IGZO) have advantages for large area electronic devices; e.g., uniform deposition at a large area, optical transparency, a smooth surface, and large electron mobility >10 cm2/Vs, which is more than an order of magnitude larger than that of hydrogen amorphous silicon (a-Si;H).1) Thin film transistors (TFTs) that employ amorphous oxide semiconductors such as ZnO, In-Ga-Zn-O, or Hf-In-Zn-O (HIZO) are currently subject of intensive study owing to their high potential for application in flat panel displays. The device fabrication process involves a series of thin film deposition and photolithographic patterning steps. In order to minimize contamination, the substrates usually undergo a cleaning procedure using deionized water, before and after the growth of thin films by sputtering methods. The devices structure were fabricated top-contact gate TFTs using the a-IGZO films on the plastic substrates. The channel width and length were 80 and 20 um, respectively. The source and drain electrode regions were defined by photolithography and wet etching process. The electrodes consisting of Ti(15 nm)/Al(120 nm)/Ti(15nm) trilayers were deposited by direct current sputtering. The 30 nm thickness active IGZO layer deposited by rf magnetron sputtering at room temperature. The deposition condition is as follows: a rf power 200 W, a pressure of 5 mtorr, 10% of oxygen [O2/(O2+Ar)=0.1], and room temperature. A 9-nm-thick Al2O3 layer was formed as a first, third gate insulator by ALD deposition. A 290-nm-thick SS6908 organic dielectrics formed as second gate insulator by spin-coating. The schematic structure of the IGZO TFT is top gate contact geometry device structure for typical TFTs fabricated in this study. Drain current (IDS) versus drain-source voltage (VDS) output characteristics curve of a IGZO TFTs fabricated using the 3-layer gate insulator on a plastic substrate and log(IDS)-gate voltage (VG) characteristics for typical IGZO TFTs. The TFTs device has a channel width (W) of $80{\mu}m$ and a channel length (L) of $20{\mu}m$. The IDS-VDS curves showed well-defined transistor characteristics with saturation effects at VG>-10 V and VDS>-20 V for the inkjet printing IGZO device. The carrier charge mobility was determined to be 15.18 cm^2 V-1s-1 with FET threshold voltage of -3 V and on/off current ratio 10^9.

• 대한환경공학회지
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• 제34권5호
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• pp.316-325
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• 2012

페인트제조시설에서 다량 발생하는 VOC/HAPs은 물질별 독성, 발암성 등의 특징으로 미량으로도 인체에 유해할 뿐만 아니라, 하절기 오존 생성과 악취 민원의 원인물질로 작용하고 있어 이들 시설에 대한 배출특성과 제어방안에 대한 연구가 시급한 실정이다. 본 연구에서는 부산지역에 소재한 페인트제조시설 4개소를 선정하여 VOC/HAPs 주 배출공정 및 주요 오염물질을 도출하고 적절한 제어방안을 제시 하였으며, 천연소재인 Kapok fiber의 흡착 시험을 통하여 상용 흡착제로서의 적용 가능성을 평가하였다. 연구결과, 발생되는 VOC/HAPs의 60% 이상이 방지시설로 유입되지 않고 공장내부로 자연 휘발되어 외기로 확산되는 것으로 조사되었고 주요 물질로는 Toluene, Ethylbenzene, Xylene이 70% 이상의 분포를 나타내었다. 주요 악취 원인물질은 A, B, C사는 Toluene, D사는 m/p-Xylene으로 나타났으며, 악취방지시설인 활성탄 흡착시설의 평균 제거효율은 66.2%로 평가되었다. 이 결과를 토대로 오염물질의 외부확산을 최소화하기 위한 방안으로 중앙제어식 환기장치의 설치 등 다양한 제어방안과 함께 실제 운영시설의 규모를 고려한 흡착시설의 규격, 흡착제량, 교체주기 등을 산출 제시하여 현장에 적용 가능하도록 하였다. 도출된 원인물질을 표준시료로 활용하여 유통 활성탄과 천연소재인 Kapok fiber의 Toluene 흡착시험을 실시한 결과, 활성탄의 제거율은 대부분 99% 이상 우수한 것으로 나타났으나 Kapok fiber는 Space Velocity의 차이에 따라 91.9%, 66.7%의 제거효율을 나타내어 Kapok fiber의 흡착능은 미흡한 것으로 나타났으나, 저렴한 소재 가격, 친환경성 등을 감안한다면 기초 흡착제로서의 적용은 가능한 것으로 판단되었고 향후 상용화에 필요한 추가연구가 필요할 것으로 사료된다.