• 제목/요약/키워드: Chlorine gas

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금속황화물의 염소화 반응 (Chlorination of Metal Sulfide with Chlorine Gas)

  • 송연호;홍정선;이철태
    • 공업화학
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    • 제5권6호
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    • pp.1078-1091
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    • 1994
  • 기존의 자료로부터 얻을 수 있는 열역학적 계산에 의하면 금속 황화물을 염소가스에 의하여 금속 염화물로 얻을 수 있음을 알 수 있다. 실제로 AgS, $AS_2S_3$, CdS, CuS, $Cu_2S$, FeS, HgS, $MoS_2$, $Ni_3S_2$, PbS, $Sb_2S_3$, ZnS의 황화금속을 염소가스와 반응시켜 이를 열중량법에 의하여 고찰하였다. 이론적 계산이나 실험적 연구에서 황화물의 염소화 반응은 황화광물의 추출 야금 공정에 대한 좋은 대체 방법임을 알 수 있었다.

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염소처리가 밀가루의 지방질 조성에 미치는 영향 (Effect of Chlorine Treatment on the Lipid Composition of Wheat Flour)

  • 한명규;신효선
    • 한국식품과학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.132-136
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    • 1992
  • 밀가루의 지방질 조성에 대한 염소처리의 영향을 연구하기 위하여 밀가루 100파운드당 1, 2 및 4 oz의 액화염소가스를 각각 처리하여 각종 지방질 성분의 변화를 비교하였다. 염소처리에 의해 극히 적은 양이지만 유리 지방질 함량은 증가한 반면 결합지방질은 감소하였다. 중성 지방질함량은 염소처리량 증가에 따라 유리 및 결합지방질에서 모두 증가하였다. 당지방질 함량은 염소처리량 증가에 따라 유리지방질에서는 증가한 반면 결합지방질에서는 감소하는 경향이었다. Triglyceride의 함량은 염소처리량 증가에 따라 유리 및 결합지방질에서 모두 감소하였다. Digalactosyl diglyceride의 함량은 염소처리량 증가에 따라 결합지방질에서는 감소하였으며, 유리지방질에서는 4 oz 처리는 급격히 감소하였다. 유리 및 결합지방질 중 phosphatidylcholine 함량은 염소처리량 증가에 따라 감소한 반면 lysophosphatidylcholine은 증가하였다. 염소처리량 증가에 따라 유리 및 결합지방질에서 포화지방산 함량은 증가하였고 불포화지방산의 함량은 감소하는 경향이었다.

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이산화염소수 처리에 의한 잔류농약 분해 효과 (Effect of Aqueous Chlorine Dioxide Treatment on the Decomposition of Pesticide Residues)

  • 김규리;송경빈
    • 한국식품영양과학회지
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    • 제38권5호
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    • pp.601-604
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    • 2009
  • 본 연구는 이산화염소수 처리가 식품에서의 잔류농약 제거에 효과가 있는지 조사하기 위해서 수행되었다. 10, 50, 100 ppm 이산화염소수로 채소류에 흔히 쓰이는 농약인chlrpyrifos, diazinon, metalaxyl을 처리하여 GC를 이용하여 농약의 분해율을 측정하였다. 상기 세 가지 농약 성분은 이산화염소수 처리 농도뿐만 아니라 처리시간에 비례하여 분해되었으며 특히 100 ppm 이산화염소수 처리가 가장 효과적이었다. 또한, 인위적으로 농약을 오염시킨 상추를 증류수, 100 ppm 이산화염소수에 각각 침지하여 농약의 제거율을 비교해 보았을 때, 100 ppm 이산화염소수에 10분 동안 침지하였을 때가 가장 효과가 좋았다. 본 연구 결과, 이산화염소수 처리는 신선농산물에서의 잔류농약을 제거하기 위한 세척수로 이용될 수 있을 것으로 판단된다.

CHARACTERISITCS OF CHLORINE IND DUCTIVELY COUPLED PLASMAS AND THEIR SILICON ETCH PROPERTIES

  • Lee, Young-Jun;Kim, Hyeon-Soo;Yeom, Geun-Young;Oho, Kyung-Hee
    • 한국표면공학회지
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    • 제29권6호
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    • pp.816-823
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    • 1996
  • Chlorine containing high density plasmas are widely used to etch various materials in the microelectronic device fabrication. In this study, the characteristics of inductively coupled $Cl_2(O_2/N_2$) plasmas and their effects on the formation of silicon etching have been investigated using a Langmuir probe, quadrupole mass spectrometry(QMS), X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), and Scanning Electron Microscopy(SEM). The addition of oxygen for chlorine plasmas reduced ion current densities and chlorine radical densities compared to the nitrogen addition by the recombination of oxygen with chlorine. Also, when silicon is etched in $Cl_2/O_2$ plasmas, etch products recombined with oxygen such as $SiCl_xO_y$ emerged. However, when nitrogen is added to chlorine, etch products recombined with nitrogen or Si-N bondings on the etched silicon surface were not found. All the silicon etch characteristics were dependent on the plasma conditions such as ion density, radical density, etc. As a result sub micron vertical silicon trench etch profiles could be effectively formed using optimized etch conditions for $Cl_2/O_2\; and \;Cl_2/N_2$ gas combinations.

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The Influence of He flow on the Si etching procedure using chlorine gas

  • Kim, J.W.;Park, J.H.;M.Y. Jung;Kim, D.W.;Park, S.S.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.65-65
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    • 1999
  • Dry etching technique provides more easy controllability on the etch profile such as anisotropic etching than wet etching process and the results of lots of researches on the characterization of various plasmas or ion beams for semiconductor etching have been reported. Chlorine-based plasmas or chlorine ion beam have been often used to etch several semiconductor materials, in particular Si-based materials. We have studied the effect of He flow rate on the Si and SiO2 dry etching using chlorine-based plasma. Experiments were performed using reactive ion etching system. RF power was 300W. Cl2 gas flow rate was fixed at 58.6 sccm, and the He flow rate was varied from 0 to 120 sccm. Fig. 1 presents the etch depth of si layer versus the etching time at various He flow rate. In case of low He flow rate, the etch rate was measured to be negligible for both Si and SiO2. As the He flow increases over 30% of the total inlet gas flow, the plasma state becomes stable and the etch rate starts to increase. In high Ge flow rate (over 60%), the relation between the etch depth and the time was observed to be nearly linear. Fig. 2 presents the variation of the etch rate depending on the He flow rate. The etch rate increases linearly with He flow rate. The results of this preliminary study show that Cl2/He mixture plasma is good candidate for the controllable si dry etching.

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RDF 유동층 연소시 Cl의 거동 (Chlorine behavior during fluidized bed combustion of RDF)

  • 이혜문;곽연호;김우현
    • 한국연소학회:학술대회논문집
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    • 한국연소학회 2001년도 제23회 KOSCO SYMPOSIUM 논문집
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    • pp.137-141
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    • 2001
  • The behavior of Cl is important to prevent HCl exhausted by incineration of RDF. Because RDF is composed of municipal wastes, its calorific value is very various. Thus components of RDF are to be analyzed and elemental analyze and calorific value are to be done. And in order to find the behavior of Cl during RDF combustion, Cl included in exhaust gas and ash is captured and analyzed. RDF which made by municipal and $Ca(OH)_2$ with regular ratio(Ca/0.5Cl) is incinerated in fluidized bed combustor. Cl included in exhaust gas and fly ash is captured and analyzed. Finally the change of Cl concentration included in exhaust gas and ash is analyzed and the behavior of Cl is investigated.

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펄프 표백시 산소와 이산화염소의 상호작용 (제1보) - 리그닌 모델화합물 연구 - (Interaction of Oxygen and Chlorine Dioxide in Pulp Bleaching (I) -Studies on the Degradation of Lignin Model Compounds-)

  • 윤병호;황병호;김세종;최경화
    • 펄프종이기술
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    • 제35권3호
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    • pp.74-78
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    • 2003
  • The structural property of phenolic and non-phenolic lignin has an effect on the reaction rate of lignin by oxygen and chlorine dioxide respectively. Moreover, the undesirable degradation of cellulose followed by lignin degradation is influenced by chemical charge and reaction time. In this paper, several lignin model compounds were used to illuminate the interaction of oxygen and chlorine dioxide by varying the position of O and D(OD, DO, ODO and DOD), and gas chromatography method was used to investigate the degradation of lignin by determining the content of methoxyl groups in lignin. It was shown that structural properties of lignin models were more influential on the degradation and demethylation of lignin than the above combination. Combination of oxygen and chlorine dioxide, however, was more effective in degradation of lignin than only one stage, and three stages than two stages.

Effects of chlorine dioxide gas fumigation on the storage quality of astringent persimmon (Diospyros kaki T.) Cheongdobansi

  • Jiyoon Kim;Jung Soo Kim;Minhyun Kim;Ji Hye Kim;Insun Kim;Inju Nam;Jong-Kuk Kim;Kwang-Deog Moon
    • 한국식품저장유통학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.190-204
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    • 2023
  • Because of their short harvest season, large quantities of persimmons must often be processed within a limited time. Therefore, new methods to extend their storage life are required. This study examined the effects of chlorine dioxide (ClO2) gas fumigation for various treatment periods on the storage quality of astringent persimmons Cheongdobansi under low-temperature conditions. The conditions consisted of continuous treatment with ClO2, treatment for 2 weeks with ClO2, and no treatment, all of which are stored at low temperatures. Control samples (storage 0 days) without any treatment were prepared and all experiments were conducted for 10 weeks at two-week intervals. The ClO2 gas treatment maintained the moisture content, color value, hardness, soluble tannin content, and sensory characteristics. However, ClO2 gas treatment did not affect the soluble solids, pH, and total sugar content. In particular, continuous treatment with ClO2 maintained the storage quality after 6-8 weeks of storage, particularly the hardness and weakness (sensory evaluation). The results suggest the potential of continuous treatment with ClO2 as a highly effective method for maintaining the freshness of Cheongdobansi.

염소(鹽素) 및 염화수소(鹽化水素)가스가 수도(水稻)와 대두(大豆)에 미치는 영향(影響) (Effects of Chlorine and Hydrogen Chloride Gas Fumigation on Rice and Soybean Plants)

  • 김복영;김규식;한기학
    • 한국환경농학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.53-58
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    • 1982
  • 수도(水稻) 및 대두(大豆)를 pot재배(栽培)하여 가스접촉실내(接觸室內)에서 $Cl_2$가스 및 HCl가스를 0.1, 0.25, 0.50, $1.0g/m^3$의 농도(濃度)로 1시간(時間)씩 접촉(接觸)시켜 가스접촉후(接觸後)에 나타나는 피해증상(被害症狀), 피해엽률(被害葉率), 수풍(收豊) 및 chlorophyll함양등(含量等)을 조사(調査)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1) 염소(鹽素)가스는 수도(水稻), 대두(大豆) 모두 엽전면(葉全面)에 회백색(灰白色)의 미세(微細)한 반점(斑點)이 나타나며 심(甚)할 경우(境遇)는 백색(白色)으로 고사(枯死)하나, 염화수소(鹽化水素)가스는 엽(葉)의 가장자리에서부터 회백색(灰白色)으로 고사(枯死)한다. 2) 가스농도(濃度) 증가(增加)에 따라서 감수(減收)가 컸으며 수도(水稻)는 염화수소(鹽化水素)가스에서 대두(大豆)는 염소(鹽素)가스에서 피해(被害)가 컸다. 3) 동일농도(同一濃度)에서의 피해엽률(被害葉率)은 염소(鹽素)가스에서는 대두(大豆)가, 염화수소(鹽化水素)가스에서는 수도(水稻)가 크게 나타났다. 4) 수도엽(水稻葉)의 chlorophyll함량(含量)은염소(鹽素)가스접촉(接觸)이 염화수소(鹽化水素)가스 접촉(接觸)보다 피해(被害)가 적었다. 5) 수도엽(水稻葉)의 chlorophyll함양(含量)과 피해엽률(被害葉率)과는 고도(高度)의 유의성(有意性)있는 부(否)의 상관(相關)을 나타내었다.

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염소의 토양 침적특성에 미치는 토양 내 유기물 함량의 영향 (A Study on the Influence of the Organic Matter Contents in Soil Deposited of Chlorine Gas)

  • 송보희;이경은;임상식;이진한;조영도
    • 한국가스학회지
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    • 제21권1호
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    • pp.1-5
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    • 2017
  • 독성가스 사고 시 토양 침적은 사고피해범위에 영향을 미치는 주요 변수이다. 본 연구에서는 토양의 깊이 및 유기물 함량 비율이 독성가스 염소의 토양 침적 특성에 미치는 영향을 연구하였다. 실험에 이용된 장치로는 미국의 Air Force Research Laboratory에서 구축한 장치를 벤치마킹하였다. 다양한 합성토양을 이용해 유기물의 함량을 변화시키면서 토양 침적실험을 진행하였다. 다양한 합성토양에 일정 농도의 염소를 노출시킨 후, 염소 침적의 정도를 정량화하기 위해 음이온 크로마토그래피를 이용하여 침적량을 측정하였다. 그 결과, 토양 표면에서의 침적량 변화에 비해 깊이에 따른 침적량의 변화 경향은 볼 수 없었으나, 염소 노출 시간에 따른 표면 침적량의 차이는 증가함을 확인 할 수 있었다. 또한, 유기물 함량에 따른 침적량은 유기물 함량이 증가함에 따라 비례관계를 보였다. 토양 표면에서의 염소 침적량의 증가는 주로 토양 내 유기물 함량에 의존함을 확인하였다.