We have calculated the electronic structure of impurity atoms in metal host by using the tight binding model in the recursion method. For a self-consistent calculation, we assumed that the effect of impurity introduction was localized only at the impurity site and its neighbours. We calculated the Madelung term by limiting the contribution to Vm of the charge perturbations to the first shell around the impurity with Evjen technique. The calculated local density of states and charge transfer values have been compared with the experimental values for a single impurity in metal host. We fund that d-reso-nance state came from the repulsive interaction between impurity d-state and host band, and the position of d-resonance state depended on the difference of valence electrons between the host and the impurity. the results also showed that the charge transfer value between an impurity and host metal was comparable to the ionicity difference between them.
This paper deals with analytical solution concerning the image method using the magnetic charge instead of 3D FEA(finite element analysis) in the slotless single air-gap motor. The theory of analytical method and the design procedures are introduced. The reliability and validity of proposed analytical solution are verified through the comparison with the results of commercial 3D FE software. In addition, calculation time between proposed analytical solution and 3D FEA is compared. Finally, characteristics, such as Back-EMF and phase resistance, between calculated and experimental results are compared. From the verification with 3D FEA and experimental results, it is proved that presented analytical method provided very effective and precise results.
As the demand on displays increases, new thin-film transistors such as metal oxide transistor are continuously being invented. When designing a circuit consisting of such new transistors, a new transistor model based on proper charge transport mechanisms is needed for each of them. In this paper, a modeling framework which enables to choose charge transport mechanisms that are limited to certain operation regions and assemble them into a transistor model instead of making an integrated transistor model dedicated to each transistor. The framework consists of a graphic user interface to choose charge transport models and a current calculation part, which is also implemented in AIM-SPICE for circuit simulation.
The purpose of the research is to investigate of diesel spray combustion for simultaneously reduce way NOx and PM. The pressure diesel injection were done into intermediates that are generated by very lean DME HCCI combustion using a RCM. The concentration of intermediate could not be directly measured; we estimated it by CHEMKIN calculation. DME HCCI characteristic is surveyed. Validations of the CHEMKIN calculation were confirmed pressure rise of an experiment and pressure rise of a calculation. Using a framing streak camera captured two dimensional spontaneous luminescence images from chemical species at low temperature reaction(LTR) and high temperature reaction (HTR). Also, the combustion events were observed by high-speed direct photography, the ignition and combustion were analyzed by the combustion chamber pressure profiles.
Based on Deutsch assumption, a calculation method on the electric field over the ground surface under HVDC transmission lines in the wind is proposed. Analyzing the wind effects on the electric field and the space charge density the existing method based on Deutsch assumption is improved through adding the wind speed to the ion flow field equations. The programming details are illustrated. The calculation results at zero wind speed are compared with available data to validate the code program. Then the ionized fields which resulted from corona of ±800kV HVDC lines are analyzed. Both the electric field and the current density on the ground level are computed under different wind direction and speed. The computation results are in good agreement with measurements. The presented method and code program can be used to rapidly predict and evaluate the wind effects in HVDC transmission engineering.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.43
no.3
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pp.420-431
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1994
The HgCdTe material, which is II-VI compound semiconductor, is important materials for the fabrication of the infrared detectros. To suggest the model of accurate MIS C-V calculation for narrow band gap semiconductors such as HgCdTe, non-parabolicity from k.p theory and degeneracy effect are considered. And partially ionized effect and compensation effect which are material's properties are also considerd. Especially, degenerated material C-V characteristics from Fermi-Dirac statistics and exact charge theory are presented to get more accurate analysis of the experimental results. Also the comparison with calculation results between the general MIS theory from Boltzmann appoximation method and this model which is considered the narrow band gap semiconductor properties, show that this model is more useful theory to determination of accurate low and high frequency C-V characteristics.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.135-135
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2013
The electronic and adsorption structures of Mg and p-tert-butylcalix[4]arene (p-TBCA) adsorbed onto a Ge(100) surface under a variety of sample conditions were characterized using high-resolution photoemission spectroscopy (HRPES) and their corresponding DFT calculation results. Interestingly, after 0.10 ML p-TBCA molecules had been adsorbed onto a Ge(100) surface, subsequent adsorption of a small amount of metallic Mg (~0.10 ML) resulted in the formation of a capped structure inside the pre-adsorbed p-TBCA molecules. The adsorption structures resulting from further deposition of Mg (~0.50 ML) onto the Ge(100) surface were monitored based on the surface charge state and Mg 2s core level spectrum. Work function measurements clearly indicated the electronic structures of the Mg and p-TBCA adsorbed onto the Ge(100) surface. Moreover, we confirmed that three different adsorption structures are experimentally favorable at room temperature through DFT calculation results.
To use commercial software, most software users purchase the software. Some software users, who do not use the software frequently, regard purchasing the software as undue expense. Software rental service can be an effective substitute. To support the software rental service, charging scheme is necessary. Two categories of charging scheme can be considered. One is charging a fixed amount of fee for a fixed period of time and the other is charging a fee based on the actual usage time. In this paper, the software pay-per-use approach based on the amount of time that the software user has used is proposed. The proposed approach gives the capability to calculate the usage time.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.3
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pp.548-558
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2009
This paper attempts to develop an algorithm which optimizes the electric field through the so-called NURB(Non-Uniform Rational B-spline) curve in order to improve the insulation capacity. In particular, the NURB curve is a kind of interpolation curve that can be expressed by a few variables. The electric field of a conductor is computed by Charge Simulation Method(CSM) while that of a spacer by Surface Charge Method(SCM); this mixed calculation method is adopted for the electric field optimization. For calculation of the initial and optimal shapes, the Gauss-Newton method, which is quite easy to formulate and has slightly faster convergence rate than other optimization techniques, was used. The tangential electric field, the total electric field, and the product of the tangential electric field and area (Area Effect) were chosen as the optimization objective function by the average value of electric field for the determined initial shape.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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