Silicon nitride is one of the most successful engineering ceramics, owing to a favorable combination of properties, including high strength, high hardness, low thermal expansion coefficient, and high fracture toughness. However, the impact damage behavior of $Si_3N_4$ ceramics has not been widely characterized. In this study, sphere and explosive indentations were used to characterize the static and dynamic damage behavior of $Si_3N_4$ ceramics with different microstructures. Three grades of $Si_3N_4$ with different grain size and shape, fine-equiaxed, medium, and coarse-elongated, were prepared. In order to observe the subsurface damaged zone, a bonded-interface technique was adopted. Subsurface damage evolution of the specimens was then characterized extensively using optical and electron microscopy. It was found that the damage response depends strongly on the microstructure of the ceramics, particularly on the glassy grain boundary phase. In the case of static indentation, examination of subsurface damage revealed competition between brittle and ductile damage modes. In contrast to static indentation results, dynamic indentation induces a massive subsurface yield zone that contains severe micro-failures. In this study, it is suggested that the weak glassy grain boundary phase plays an important role in the resistance to dynamic fracture.
PZT ceramics substituted by La3+ and Nd3+ were fabricated according to the formula: [Pb1-x(La or Nd)x][Zr0.58Ti0.42]1-x/4$\square$x/4O3(x=0.00, 0.02, 0.05, 0.08, 0.15, 0.20). The crystal structure and microstructure were investigated by XRD and SEM. It was observed that the phase transitions among rhombohedral, tetragonal, and cubic symmetry occured as the substitutional quantity increased. Dielectric constant, dissipation factor and piezoelectric coefficient (d33), of each sample were measured. The dielectric properties were changed as the substitutional quanity of rare earth ion increased. These changes could be explained by crystal structure and compositional fluctuaction. Its d33 was higher at tetragonal region near to phase boundry between rhombohedral and tetragonal, which was explained by reorientation of domain wall.
During the last decade there have been many studies on the new ceramics especially engineering ceramics. Sintered silicon carbide is one of the main materials in engineering ceramics. This study shows the effects of surface treatment and microstructure especially the abnormal grain growth on the strength of sintered SiC. Surface of sintered SiC and treated with 400, 800 and 1200 grit diamond wheel. Grain growth is introduced by increasing the sintering times at 205$0^{\circ}C$. The $\beta$longrightarrow$\alpha$ transformation occurs during the sintering of $\beta$-starting materials and is often accompanied by abnormal grain growth. The overall strength distribution are estimated using the Weibull statistics. The results show that the strength of sintered SiC is limited by extrinsic surface flaws in normal-sintered specimens. And it is sound that the finer the surface finishing and the grain size the higher the strength results. But the strength of abnormal sintering specimens is limited by the abnormally-grown large tabular grains. The Weibull modulus increases with the decreasing grain size and the decreasing grit size of grinding.
Porous SiC ceramics were proposed to be promising materials for high-temperature thermoelectric energy conversion. Throughthe thermoelectric property measurements and microstructure observations on the porous alpha SiC and the mixture of $\alpha$-and $\beta$-SiC, it was experimentally clarified that elimination of stacking faults and twin boundaries by grain growth is effective to increase the seebeck coefficient and increasing content of $\alpha$-SiC gives rise to lower electrical conductivity. Furthermore, the effects of additives on the thermoelectric properties of 6H-SiC ceramics were also studied. The electrical conductivity and the seebeck coefficient were measured at 35$0^{\circ}C$ to 105$0^{\circ}C$ in argon atmospehre. The thermoelectric conversion efficiency of $\alpha$-SiC ceramics was lower than that of $\beta$-SiC ceramics. The phase homogeneity would be needed to improve the seebeck coefficient and electrical conductivity decreased with increasing the content of $\alpha$-phase. In the case of B addition, XRD analysis showed that the phase transformation did not occur during sintering. On the other hand, AlN addiiton enhanced the reverse phase transformation from 6H-SiC to 4H-SiC, and this phenomenon had a great effect upon the electrical conductivity.
The phase separation of low-alkali borosilicate glass with the composition of $6.25Na_2O$.$18.75B_2O_3$.$75.00SiO_2$(mole%) substituting $Li_2O$ for $Na_2O$ was studied. The phase separation in the temperature range of transformation was examined with various heating temperatures and soaking times. Durability to water, thermal expansion and specific density of the specimen were investigated and the microstructure of the separated phase was also observed by transmission electron micrograph techniques. The maximum alkali extraction result with the best phase separation effect was obtained when $Na_2O$ of the base glass was replaced with $1.88Li_2O$ (mole %) and electron micrograph of carbon film replica of $1.88Li_2O$$4.37Na_2O$.$18.75B_2O_3$.$75.00SiO_2$ (mole %) glass showed that the glass consisted of homogeneous two phases. The minimum specific density was shown with the specimen treated at 57$0^{\circ}C$ and it was also shown that the longer the treating time the lower the specific density. The apparent activation energies of approximately 45 kcal/mole by the alkali extraction and 43kcal/mole by the thermal expansion method were derived from the Arrhenius plots, respectively.
Microstructure, room temperature resistivity and temperature coefficient of resistance of BaTiO3 ceramics were studied by varying cooling rates and additives such as TiO2, SiO2 and Al2O3. The basic composition of the BaTiO3 ceramics was formed by adding 0.25 mol% Dy2O3 and 0.07 mol% MnO2 to the BaTiO3 composition. Unlike the additives of SiO2 and Al2O3, an addition of 2 mol% TiO2 to the basic composition was effective to control the grain size of the fired specimens. The room temperature resistivity and the temperature coefficient of resistance for the specimen of this particular compostion were measured as about 102 ohm.cm and 16.5%/$^{\circ}C$, respectively. The observed grain boundary phase of the sample with Al2O3 additive was BaTi3O7, while that of the samples with SiO2 additive was confirmed as BaTiSiO5.
The dielectric properties and microstructure of SrTiO3-based grain boundary layer (GBL) capacitor were investigated, and SrTiO3 GBL capacitor was made by penetrating the Frit (PbO-Bi2O3-B2O3 system). The Nb2O5-doped SrTiO3 ceramics were fired for 4-hours, at 145$0^{\circ}C$ in H2-N2 atomsphere to get semiconductive ceramics. The grain size of SrTiO3 sintered at reduction atmosphere had increased as the amount of Nb2O5 increases and then decreased as the amount of Nb2O5 exceeded 0.2 mole%. Insulating reagents which contained PbO-Bi2O3-B2O3 system frit and oxide mixture were printed on the each semiconductive ceramics and fired at varying temperature and for different holding time. The optimum dielectric properties could be obtained by second heat treatment at 110$0^{\circ}C$ for 1 hour, when frit paste was printed. A SrTiO3-based GBLC had the apparent permitivity of about 3.2$\times$104, the dielectric loss of 0.01~0.02 and the stable temperature coefficient of capacitance. The influence of frit paste on dielectric properties was similiar to that of oxide paste but the stability of temperature property of capacitance was improved.
Ferroelectric Ce-doped $Bi_4Ti_3O_{12}$ (BCT) thin films were deposited by liquid delivery metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) onto a $Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrate. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) were used to identify the crystal structure, the surface, and the cross-section morphology of the deposited ferroelectric flims. After annealing above $640^{\circ}C$, the BCT films exhibited a polycrystalline structure with preferred (001) and (117) orientations. The BCT lam capacitor with a top Pt electrode showed a large remnant polarization ($2P_r$) of $44.56{\mu}C/cm^2$ at an applied voltage of 5 V and exhibited fatigue-free behavior up to $1.0{\times}10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz. This study clearly reveals that BCT thin film has potential for application in non-volatile ferroelectric random access memories and dynamic random access memories.
In this article, the influence of a hydrolyzed wheat protein retarder on the hydration process, ion concentration in liquid phase, degree of supersaturation, and crystal morphology of plaster was investigated. Furthermore, the retarding mechanism and the strength loss of gypsum were also studied by scanning electron microscopy (SEM). The results indicate that the use of the hydrolyzed wheat protein retarder for plaster achieved a better retarding effect and lower strength loss. The combination of gypsum plaster with the retarder not only decreased the plaster's early hydration rate and prolonged its setting time efficiently, but also militated against the crystal morphology of dihydrate gypsum. For example, the crystal dimensions changed little, but the proportion of needle-shaped crystals decreased. Combination with calcium ions on the surface of dihydrate gypsum crystal nuclei may form a chemisorbed layer, reduce the surface energy of the crystal nuclei, and inhibit the growth of the crystal nuclei of dihydrate gypsum. Consequently, the hydration process of building gypsum becomes greatly extended and is slowed down significantly.
The effect of $SrCO_3$ content on the microstructure, porosity, flexural strength, and pore size distribution of clay-based membrane supports was investigated. Green compacts prepared from low cost materials such as kaolin, bentonite, talc, sodium borate, and strontium carbonate were sintered at $1000^{\circ}C$ for 8 h in air. It was possible to control the porosity of the clay-based membrane supports within the range of 33% to 37% by adjusting the $SrCO_3$ content. The flexural strength of the clay-based membrane supports was found to strongly depend on their porosity. In turn, the porosity was affected by the $SrCO_3$ content. The average pore size and flexural strength of the clay-based membrane supports containing 4 wt% $SrCO_3$ were $0.62{\mu}m$ and 33 MPa at 34% porosity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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