Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.10
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pp.865-870
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2003
The MFIS (Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor) capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition method. Thin layers of CeO$_2$ were deposited as a buffer layer on Si substrate and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated. X -ray diffraction was used to determine the phase of the BLT thin films and the quality of the CeO$_2$ layer. The morphology of films and the interface structures of the BLT and the CeO$_2$ layers were investigated by scanning electron microscopy. The width of the memory window in the C-V curves for the MFIS structure is 2.82 V. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.
ZrO2 powders stabilized with Y2O3 and CeO2 of various compositions were prepared by the coprecipitation of water-soluble ZrOCl2.8H2O, YCl3.6H2O and Ce(NO3)3.6H2O, and their compacts were pressurelessly sintered at 1400 and 150$0^{\circ}C$ for 2hrs in air. 2mol% Y2O3-ZrO3 showed the most superior strength (1003MPa) and microhardness (12.6GPa), while 10 mol%CeO2-ZrO2 had the hightest toughness (13.3 MPa.m1/2) after sintering at 140$0^{\circ}C$. The addition of Y2O3 into Y2O3-ZrO3 decreased mean grain size and increased strength and hardness but decrease toughness. On the other hand, the addition of CeO2 into Y2O3-ZrO2 enhanced the stability of tetragonal phase during low-temperature aging for a long time under hydrothermal atmosphere.
In this work, nano size $BaCeO_3$, which is a possible flux pinning medium of melt processed $YBa_{2}Cu_{3}O_x$ superconductor, was synthesized by the conventional solid state reaction method using powders. $BaCeO_3$ and $CeO_2$ were mixed thoroughly using a ball milling for 24 hours and calcined at $1200^{\circ}C$ for 5 hours for the formation $BaCeO_3$ powder. The obtained $BaCeO_3$ powder was attrition milled at various milling times of 60 min, 120 min and 240 min. The $BaCeO_3$ powders of various milling times were mixed with $YBa_{2}Cu_{3}O_x$ powder. Seed melt processed $YBa_{2}Cu_{3}O_x$-$BaCeO_3$ (15wt.%) superconductors were prepared and the superconducting properties were investigated. It was found that $T_c$ of $Y_{1.5}Ba_{2}Cu_{3}O_x$ samples was not significantly affected by $BaCeO_3$ addition, but $J_c$ of samples was increased by $BaCeO_3$ addition. The $J_c$ improvement by fine $BaCeO_3$ powder (120 min attrition-milled) was effective at low magnetic fields less than 2 T.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.590-593
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1999
$Y_2SiO_5$:Ce was considered as blue phosphor for field emission display because it had an excellent resistance against brightness saturation. But unfortunately It hadn't a sufficient brightness to be applied to FED. In this experiment It-$In_2O_3$, MgO and $SiO_2$ were coated onto $Y_2SiO_5$:Ce phosphor in order to improve the cathodoluminance(CL properties. The coating structures were identified to be the crystalline phases of $In_2O_3$ and MgO respectively. They had fine particle-like shape and were distributed on the surface of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor. It was found that the CL efficiency of $Y_2SiO_5$:Ce phosphors were decreased after coatings with In20:j and MgO in voltage range from 500 V to 5 kV. But the brightness of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor was increased after coating of 5 0 2 . And also the aging test showed that $In_2O_3$ coating improved the life time of $Y_2SiO_5$:Ce phosphor.
Pyrochlore is known as one of the most promising materials for the immobilization of radionuclide in high level waste. This study included the synthesis, phase relation and characteristics of $pyrochlore(CaCeZr_xTi_{2-x}O_{7,\;x=0.2\~2.0)$ in the system of Ca-Ce-Zr-Ti-O. Using the CPS(Cold pressing and sintering) method, the mixtures of $CaCO3_,\;CeO_2,\;ZrO_2\;and\;TiO_2$ oxides were pressed, and sintered at $1100\~1600^{\circ}C$ for 20 hours. The optimal synthetic conditions at various compositions were differed from 1300 to $1600^{\circ}C$ Even in the optimal temperatures, pyrochlore or fluorite coexisted with minor amount of perovskite, $CeO_2\;or\;Ce_{0.75}Zr_{0.25}O_2$. It was confirmed that pyrochlore and fluorite structures were stable at $x\leq0.6\;and\;x\geq1.0$, respectively. Especially, the compositions of pyrochlore or fluorite showed non-stoichiometric compositions in that contents of Ca and Ti were more deficient and those of Zr and Ce were more excess than batch compositions with the increase of x value. These characteristics stemmed from the behavior of elements occupied at eight- and six-coordinated site, and then caused the coexistence of perovskite, $CeO_2\;or\;Ce_{0.75}Zr_{0.25}O_2$ along with pyrochlore or fluorite.
The effect of alloy compositions of the bond coating on the plasma sprayed-thermal barrier coatings was investigated. The performance of the coating composed of Rene80/NiCrAl/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$ and Rene80/CoNiCrAlY/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$was evaluated by isothermal and thermal cyclic test in an ambient atmosphere at 115$0^{\circ}C$. The failure of Rene80/NiCrAl/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$ coatings was occurred at the bond coating/ceramic coating interface while Rene80/CoNiCrAlY/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$ coating was failed at the substrate/bond coating interface after thermal cyclic test. The lifetime of Rene80/NiCrAl/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$coatings was longer than Rene80/CoNiCrAlY/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$coating. The oxidation rate of the NiCrAl bond coating examined by TGA was lower than CoNiCrAlY bond coatings. In summary, these results suggest that Rene80/CoNiCrAlY/ZrO$_2$-CeO$_2$-Y$_2$O$_3$system as thermal barrier coating be not suitable considering the durability of the coating layer for high temperature oxidation and thermal stress.
Structurally, the rare earth cuprate superconductor of Nd2-xCexCuO4-$\delta$ has T' structure and has been known as having a quite complicated microstructural phenomena, so far. In order to be superconductivity, both small amount of cation substitution of Nd3+ by Ce4+ and oxygen reduction are required. In the present study the crystallographic study on the structural transition for the Nd2-xCexCuO4-$\delta$ crystal has been con-ducted by observing the CBED (Convergent Beam Electron Diffraction) pattern with STEM(Scanning Transmission Electron Microscope). Three different samples of Nd2CuO3,Nd1.85Ce0.15CuO4 and Nd1.85Ce0.15CuO3.965 were prepared by solid-state sintering and their CBED patterns were observed by STEM to study the structural transition accompanying the substitution of Ce and the reduction of oxygen. Experimental HOLZ lines of these samples were compared with those plotted by a computer-programmed simulation to de-termine the lattice parameter of Nd2-xCexCuO4-$\delta$ crystal.
A series of catalysts, NiO/$CeO_2-ZrO_2/WO_3$, for ethylene dimerization was prepared by the precipitation and impregnation methods. For NiO/$CeO_2-ZrO_2/WO_3$ sample, no diffraction line of nickel oxide was observed up to 40 wt%, indicating good dispersion of nickel oxide on the surface of catalyst. The hexagonal and monoclinic phases of $WO_3$ up to the calcination temperature of 500 ${^{\circ}C}$ were observed, whereas the hexagonal phase of WO3 completely was transformed into monoclinic phase of $WO_3$ at 600 ${^{\circ}C}$ and above. The role of $CeO_2$ in the catalysts was to form a thermally stable solid solution with zirconia and consequently to give high surface area and acidity. The catalytic activities for ethylene dimerization were correlated with the acidity of catalysts measured by the ammonia chemisorption method. 25-NiO/5-$CeO_2-ZrO_2/15-WO_3$ containing 25 wt% NiO, 15 wt% $WO_3$ and 5 mol% $CeO_2$, and calcined at 400 ${^{\circ}C}$ exhibited a maximum catalytic activity due to the effects of $WO_3$ modifying and $CeO_2$ doping.
Ceria supported on various commercial $TiO_2$ catalysts were prepared by wet-impregnation method. We confirmed that the correlation between physicochemical properties of $TiO_2$ supports and SCR activities. Physicochemical properties of the various $TiO_2$ were evaluated using X-ray diffraction (XRD), Brunauer-Emmett-Teller (BET) surface area, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and pH analysis. Ce/Ti catalyst exhibited different SCR activities with respect to physicochemical properties of $TiO_2$. An excellent activity was obtained as the surface area of $TiO_2$ increased. In the case of CeOx surface density, the excellent activity in a range of $2.5{\sim}14.5CeOx/nm^2$ was achieved and the activity tended to decrease above $14.5CeOx/nm^2$. The O/Ti mole ratio of $TiO_2$ in the range of 1.32 to 1.79 showed an excellent SCR activity. It was also confirmed that the pH of the $TiO_2$ has no effects on the SCR activity. In order to achieve excellent SCR activities, ceria oxide should be supported on $TiO_2$ possessing a high specific surface area and certain O/Ti mole ratio. In addition, the catalyst with the low CeOx surface density resulted from the high dispersed ceria oxide should be prepared.
We have investigated the crystal structure and electrical properties of Pt/SBT/$CeO_2$/Si(MFIS) and Pt/SBT/Si(MFS) structures for the gate oxide of ferroelectric memory. XRD spectra and SEM showed that the SBT film of SBT/$CeO_2$/Si structure had larger grain than that of SBT/Si structure. Furthermore HRTEM showed that SBT/$CeO_2$/Si had 5 nm thick $SiO_2$layer and very smooth interface but SBT/Si had 6nm thick $SiO_2$layer and 7nm thick amorphous intermediate interface. Therefore, $CeO_2$film between SBT film and Si substrate is confirmed as a good candidate for a diffusion barrier. The remanent polarization decreased and coercive voltage increased in Pt/SBT/$CeO_2/Pt/SiO_2$/Si structure. This effect may increase memory window of MFIS structure directly related to the coercive voltage. From the capacitance-voltage characteristics, the memory of Pt/SBT(140 nm)/$CeO_2$(25 nm)/Si structure were in the range of 1~2 V at the applied voltage of 4~6 V. The memory window increased with the thickness of SBT film. These results may be due to voltage applied at SBT films. The leakage currents of Pt/SBT/$CeO_2$/Si and Pt/SBT/Si were $ 10^8A/\textrm{cm}^2$ and $ 10^6 A/\textrm{cm}^2$, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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