• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1993.11a
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• pp.90-90
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• 1993

• Electrical & Electronic Materials
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• v.13 no.3
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• pp.1-8
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• 2000

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.4
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• pp.410-415
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• 1993

The direct growth OMVPE system, designed specificallyfor direct growth of Hg1-xCdxTe using annular rectant inlet inverted verticla (ARIIV) reactor, was constructed. This paper presents the detailed technical approach on a newly designed ARIIV reactor that increases Hg incorporation, imposes uniformity, and avoids the needs for temperature processing to create alloys by inter diffusion approach.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.406-410
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• 2000

Using the hot-wall epitaxy method, we grew a $Hg_{1-x}Cd_xTe$ (MCT) thin film in-situ after growing (111) CdTe of 9 $mu \textrm{m}$ as a buffer layer. The value of FWHM of double crystal x-ray diffraction rocking curve was 125 arcsec and the surface morphology was clean with a small roughness of 10 nm. From measuring the photocurrent of the grown MCT thin film, the maximum peak wavelength and the cut-off wavelength were 1.1050 $\mu\textrm{m}$ (1.1220 eV) and 1.2632 $\mu\textrm{m}$ (0.9815 eV), respectively. This peak wavelength corresponds to the peak of the band gap due to the intrinsic transition of the photoconductor. Therefore, the MCT thin film could be used as the photoconducting detector sensing a near-IR wavelength band from 1.0 to 1.6 $\mu\textrm{m}$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.484-484
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• 2013

기존 진단용 Digital X-ray Detector이 직접방식에서는 a-Se (Amorphous Selenium)이 대중화되었지만 고전압을 인가하여야한다는 점과 그로 인한 물질 자체의 Life time 감소 등 여러 단점들 때문에 기타 후보물질들로 HgI2, PbI2, PbO, CdTe, CdZnTe가 연구 되고 있다. 이러한 후보 물질들 중 본 연구에서는 PVD (Physical Vapor Deposition)방식을 이용하여 Polycrystalline CdTe 박막을 제작하고 특성 향상을 위해 유전물질을 Passive layer와 Protect layer로써 증착하였다. 또한 유전체층의 위치에 따른 특성 분석을 위해 제작된 박막은 FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope), XRD (X-ray Diffraction)을 통해 구조적인 특성을 확인하였다. 그리고 입사되는 X-ray 선량에 의해 생성되는 전기적 특성을 분석하였다, 그 결과 박막의 Grain Size는 약 $5{\mu}M$이며 (111)방향의 주 peak를 띄는 Poly CdTe형태로 증착된 것을 확인하였다. 전기적인 신호 결과 Passive layer와 Protect layer를 증착한 박막 모두 Darkcurrent가 감소된 것을 확인하였다. 또한 Sensitivity 측정 결과 Passive layer를 삽입한 경우 신호 값이 감소하였으며 Protect layer를 삽입한 경우 신호 값의 변화가 일어나지 않았다. 그러므로 Protect layer를 등착한 박막의 경우 SNR이 현저히 높아지는 결과를 낳았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.113-113
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• 1998

C CdTe와 HgCdTe는 광전소자나 태양전지,x 선 및 y 선 감지 소자 그리고 적외선 감지소 자로의 웅용둥으로 인하여 많은 연구가 진행되고 있다. 광전소자를 제작함에 있어서 깊은 준위나 얄은 준위에 있는 몇들은 운반자 수명에 매우 큰 영향을 미치고 있음에도 불구하고 광전도도 측정에 의한 운반자 수명 연구에 대하여는 보고된 것이 별로 없다. 이에 본 논문에서는 CdTe 시료의 광전도도를 측정하여 운반자 수명 및 깊은 준위의 위치를 알아보았다 M MBE방법을 이용하여 CdTe 기판위에 In을 도핑한 CdTe를 성장하였다. 광전도 붕괴(PCD) 측정은 300 K에서부터 400 K까지 온도를 변화시켜주면서 측정을 하였고 광원으로서 G GaP- LED를 사용하였으며 전압 신호를 읽기 위하여 Tektronix 2430A 오실로스코프를 이용하 였다 .. Fig. 1. 에서 보인바와 같이 광전도 붕괴곡선은 접선으로 나타낸 하나의 지수 함수적 붕 괴(a2exp( -t/ r 2))보다는 설선으로 나타낸 두 개의 지수함수적 붕괴(alexp( νr 1)+a2exp( -νr 2)) 가 더욱 잘 실험결과와 일치함을 알 수 있었다. 이러한 것은 과잉 전하에 대한 깊은준위를 가 지고 있는 반도체물질에서 일반적으로 관찰되는 것으로 시료가 n 형이기 때문에 소수 운반자 인 정공의 벚에 의한 것으로 생각된다 .. Fig. 2. 에서는 운반자 수명의 온도에 대한 변화를 나타 낸 것이다. 온도가 증가함에 따라 운반자 수명이 감소하는 경항올 보이고 있으며 이것올 이용 하여 딪익 활성화 에너지를 계산 하여 본 결과 0.35 eV 와 0.43 eV염을 알수 있었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.5
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• pp.463-469
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• 1996

The double insulating layer consisting of anodic oxide and ZnS was formed for HgCdTe metal insulator semiconductor(MIS) structure. ZnS was evaporated on the anodic oxide grown in H$_{2}$O$_{2}$ electrolyte. Recently, this insulating mechanism for HgCdTe MIS has been deeply studied for improving HgCdTe surface passivation. It was found through TEM observation that an interface layer is formed between ZnS and anodic oxide layers for the first time in the study of this area. EDS analysis of chemical compositions using by electron beam of 20.angs. in diameter and XPS depth composition profile indicated strongly that the new interface is composed of ZnO. Also TEM high resolution image showed that the structure of oxide layer has been changed from the amorphous state to the microsrystalline structure of 100.angs. in diameter after the evaporation of ZnS. The double insulating layer with the resistivity of 10$^{10}$ .ohm.cm was estimated to be proper insulating layer of HgCdTe MIS device. The optical reflectance of about 7% in the region of 5.mu.m showed anti-reflection effect of the insulating layer. The measured C-V curve showed the large shoft of flat band voltage due to the high density of fixed oxide charges about 1.2*10$^{12}$ /cm$^{2}$. The oxygen vacancies and possible cationic state of Zn in the anodic oxide layer are estimated to cause this high density of fixed oxide charges.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1994.07b
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• pp.1280-1282
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• 1994

The method of passivation for protecting the $Hg_{l-x}Cd_xTe$ surface is important device fabrication process, because the surface components are highly reactive leading to its chemical and electrical instability. Especially, the material of which composition is x=0.2 or 0.3, is narrow bandgap semiconductor and used as detector of infrared radiation. The device performance of narrow bandgap semiconductors are largely governed by the properties of the semiconductor surface. The electro-chemical processing of $Hg_{l-x}Cd_xTe$ allows rigorous control of the surface chemistry and provides an in-situ monitor of surface reaction. So electro-chemical reduction at specific potential can selectively eliminate the undesirable species on the surface and manipulated to reproducibly attain the desired stoichiometry. This method shows to assess the quality or chemically treated $Hg_{l-x}Cd_xTe$ good surface.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.15 no.10
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• pp.7-11
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• 2002

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1997.02a
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• pp.122-123
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• 1997