• 한국재료학회지
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• 제13권3호
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• pp.195-199
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• 2003

The $p-CdIn_2$$Te_4$single crystal was grown in the three-stage vertical electric furnace by using Bridgman method. The quality of the grown crystal has been investigated by the x-ray diffraction and the photoluminescence measurements. From the photoluminescence spectra of the as-grown $CdIn_2$$Te_4$crystal and the various heat-treated crystals, the ($D^{\circ}$, X) emission was found to be the dominant intensity in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_2$T $e_4$:Cd, while the ($A^{\circ}$, X) emission completely disappeared in the $CdIn_2$T $e_4$:Cd. However, the ($A^{\circ}$, X) emission in the photoluminescence spectrum of the $CdIn_2$T $e_4$:Te was the dominant intensity like an as-grown $CdIn_2$T $e_4$crystal. These results indicated that the ($D^{\circ}$, X) is associated with $V_{Te}$ acted as donor and that the ($A^{\circ}$, X) emission is related to $V_{cd}$ acted as acceptor, respectively. The $p-CdIn_2$T $e_4$crystal was found to be obviously converted into the n-type after annealing in the Cd atmosphere. The origin of ( $D^{\circ}$, $A^{\circ}$) emission and its TO phonon replicas is related to the interaction between donors such as $V_{Te}$ or $Cd_{int}$, and accepters such as $V_{cd}$ or T $e_{int}$. Also, the In in the $CdIn_2$X$CdIn_4$was confirmed not to form the native defects because it existed in the stable form of bonds.

• 센서학회지
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• 제6권5호
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• pp.423-429
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• 1997

PLT 절연막을 평판표시소자의 재료로 사용하고자 ITO 기판위에 제조하여 그 특성을 조사하였으며 이를 전계 발광소자의 절연층으로 사용하여 그 응용가능성을 조사하였다. PLT 절연막은 기판온도 $500^{\circ}C$, 분위기압 30mTorr에서 증착한 경우 비유전율과 전계파괴강도가 각각 120 및 3.2MV/cm였으며, 성능지수인 $E_{BC}{\cdot}{\epsilon}_r$값이 384로 가장 높았다. 전기저항율은 $2.0{\times}10^{12}{\Omega}{\cdot}cm$ 였다. 또한 증착시 기판온도 및 분위기압에 따른 결정성장을 조사한 결과 기판온도가 $400^{\circ}C$로 낯을 경우에는 비정질 상태였으나 $450^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 perovskite와 pyrochlore 구조의 다정질상태의 결정이 성장하였고, 분위기압이 높을수록 결정성장이 더 잘 되었다. 이 PLT 절연막과 ZnS:Mn 형광막을 이용하여 ITO/PLT/ZnS:Mn/PLT/Al 구조의 박막 EL소자를 제작한 결과 문턱전압은 $35.2V_{rms}$였으며, $50V_{rms}$ 1kHz의 구동조건에서 EL의 휘도는 $2400cd/m^{2}$이었으며, 본 실험에서 제조된 박막 EL소자의 최대 발광효율은 0.811m/W였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.435-440
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• 2002

In this study, we have investigated photo-induced changes of optical energy gap( $E_{OP)}$ and photoluminescence (PL) in amorphous ($\alpha$-) S $e_{100-x}$G $e_{x}$ (x=5, 25 and 33) thin films prepared by conventional thermal evaporation method. In the $\alpha$-S $e_{100-x}$G $e_{x}$ thin film, the $E_{OP}$ is obtained by a linear extrapolation of the ($\alpha$hν)$^{\frac{1}{2}}$ versus hν plot to the energy axis using the optical absorption coefficient ($\alpha$) calculated from the extinction coefficient k measured in the wavelength range of 290~900nm. Although the values of $\Delta$ $E_{OP}$ are very different, all films exhibit photo-induced photo-darkening (PD) effect that is a red shift of $E_{OP}$ . In particular, $\Delta$ $E_{OP}$ in $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ thin film exhibits the largest value (i, e., $\Delta$ $E^{OP}$ ~40meV for $\alpha$-S $e_{95}$ G $e_{5}$ , $\Delta$ $E_{OP}$ ~200meV for $\alpha$-S $e_{75}$ G $e_{25}$ , $\Delta$ $E_{OP}$ ~130meV for $\alpha$-S $e_{67}$ G $e_{33}$ ). PL spectra in $\alpha$-SeGe by hν$_{HeCd}$ have no-Stokes shift (SS) and show a tendency dependent on both composition and illumination time. We explain the energy-induced phenomena such as the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..the PD and thermal bleaching, the native charged-defect generation and the no-SS PL, etc..tc..

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.293-297
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• 2020

본 논문은 multiplex deposition sputter system을 이용하여 ITO 유리에 CdS 박막을 증착하여 태양전지에 적용될 수 있는 가장 좋은 조건을 찾고자 하였다. RF power를 50W, 100W, 150W로 변화주었고 스퍼터링시간은 10분으로 하였다. 투과율을 측정한 결과, 400~800 nm 영역에서 평균 투과율은 60%에서 80% 까지 측정되었으며 150W일 때 84%로 가장 좋은 특성이 측정되었다. 또한 밴드갭은 50W일 때 3.762eV, 100W일 때 4.037eV, 150W일 때 4.052eV로 측정되었다. XRD 분석에서는 RF power가 증가하여도 CdS의 구조인 Wurtzite(hexagonal)로 관찰되었다. 그리고 RF power가 증가할수록 입자가 크고 균일하게 증착 되었나, 100W 일 때 입자들이 조밀하게 구성되었고 밀도가 크다는 것을 알 수 있었다. 그리고 두께 측정 결과 RF power 가 증가할수록 균일성 있게 증가되었다.

• Journal of Ceramic Processing Research
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• 제13권spc1호
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• pp.140-144
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• 2012

Ga-doped ZnO (GZO) was a limit of application on the photovoltaic devices such as CIGS, CdTe and DSSC requiring high process temperature, because it's electrical resistivity is unstable above 300 ℃ at atmosphere. Therefore, ZTO (zinc tin oxide) was introduced in order to improve permeability and thermal stability of GZO film. The resistivity of GZO (300 nm) single layer increased remarkably from 1.8 × 10-3Ωcm to 5.5 × 10-1Ωcm, when GZO was post-annealed at 400 ℃ in air atmosphere. In the case of the ZTO (150 nm)/GZO (150 nm) double layer, resistivity showed relatively small change from 3.1 × 10-3Ωcm (RT) to 1.2 × 10-2Ωcm (400 ℃), which showed good agreement with change of carrier density. This result means that ZTO upper layer act as a barrier for oxygen at high temperature. Also ZTO (150 nm)/GZO (150 nm) double layer showed lower WVTR compared to GZO (300 nm) single layer. Because ZTO has lower WVTR compared to GZO, ZTO thin film acts as a barrier by preventing oxygen and water molecules to penetrate on top of GZO thin film.

• 태양에너지
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• 제20권2호
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• pp.55-65
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• 2000

이온빔 스퍼터링을 이용하여 Indium tin oxide (ITO)박막을 증착하였다. Ar 가스만을 이용하여 플라즈마를 형성한 경우와 $O_2$를 첨가한 경우에 대해 기판온도를 상온에서 $200^{\circ}C$까지 증가시키면서 온도의 영향을 관찰하였으며 이온빔 에너지의 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 관찰하였다. Ar 이온만으로 증착한 ITO 박막은 domain 구조를 보였으며 Ar+$O_2$ 이온으로 증착한 경우 grain 구조를 나타내었다. Ar 이온만으로 증착된 ITO박막의 전기 비저항의 최소값은 $100^{\circ}C$ 기판온도에서 $1.5\times10^{-4}{\Omega}cm$ 값을 보였으며 산소 첨가의 경우에는 $150^{\circ}C$에서 $4.3\times10^{-4}{\Omega}cm$이었다. 모든 박막이 $100^{\circ}C$이상의 기판 온도에서 가시광 영역에서의 투과도는 80%이상의 값을 보였다.

• 한국레이저가공학회지
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• 제7권3호
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• pp.37-46
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• 2004

The shape and size variations of the nanopatterns produced on a polymer film using a near-field scanning optical microscope(NSOM) are investigated with respect to the process variables. A cantilever type nanoprobe having a 100nm aperture at the apex of the pyramidal tip is used with the NSOM and a He-Cd laser at a wavelength of 442nm as the illumination source. Patterning characteristics are examined for different laser beam power at the entrance side of the aperture($P_{in}$), scan speed of the piezo stage(V), repeated scanning over the same pattern, and operation modes of the NSOM(DC and AC modes). The pattern size remained almost the same for equal linear energy density. Pattern size decreased for lower laser beam power and greater scan speed, leading to a minimum pattern width of around 50nm at $P_{in}=1.2{\mu}W\;and\;V=12{\mu}m/s$. Direct writing of an arbitrary pattern with a line width of about 150nm was demonstrated to verify the feasibility of this technique for nanomask fabrication. Application on high-density data storage is discussed.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.146-151
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• 2002

전자빔 증착장비를 이용하여 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S:CuCl TFEL소자를 제작한 후 발광특성을 평가하였다. 형광체 모체 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S는 CaS와 SrS 미분말을 혼합, 성형하여 제작하였으며, 발광중심체 CuCl은 0.2 at%를 첨가시켰다. CaS:CuCl TFEL 소자의 휘도(L$_{30}$)와 최대 발광파장은 각각 9.5 cd/$m^2$와 492 nm였으며 SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도(L$_{30}$)와 최대 발광파장은 각각 633 cd/$m^2$와 500 nm였다. SrS에 CaS가 첨가된 $Ca_{1-x}$Sr$_{x}$S:CuCl TFEL 소자에서 청색 색순도는 좋아졌으나, 휘도와 효율은 급격히 감소하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제4권1호
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• pp.1-12
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• 1997

본 연구에서는 용액성장법에 의해 양자 입자로 구성된 CdS 박막을 슬라이드 유리기 판위에 성장시키고 이들의 구조적 광학적 특성에 대하여 연구하였고 이들 결과를 토대로 용 액성장법으로 성장된 CdS 박막의 양자 사이즈 효과에 대하여 연구하였다. 성장시간은 1, 3, 10, 20분이었고 성장온도는 75$^{\circ}C$였다. X-선 회절 분석결과 본 연구에서 합성된 CdS 박막은 hexagonal상의 결정구조를 갖는 것으로 나타났고 성장시간에 따라 막의 투께는 61~195nm, 입자사이즈는 8.5~22.5nm로 나타났다. 광에너지 변화에 따른 투과도 측정결과 본 연구의 CdS 시료는 성장시간에 따라 에너지 밴드갭이 2.43~2.51 eV로 나타나서 벌크 CdS의 에너 지 밴드갭인 2.42 ev보다 높은 에너지 밴드갭을 갖게 되어 양자 사이즈 효과에 의한 blue shift 현상이 용액성장법에 의해 합성된 CdS 시료에도 존재한다는 것이 밝혀졌다 그리고 이 같은 용액성장법으로 성장된 CdS에 대해 최초로 수행된 Raman 산란 실험결과 이성장방법 으로 성장된 CdS에는 1TO, E2, 1LO 포논 모드가 존재함을 알수 있었고 또한 입자 사이즈 감소에 의한 1LO포논 모드의저주파수 shift 현상 즉 포논 모드의 softening 현상이 있음이 밝혀졌고 softening은 최대6.2%까지 발생하였다. 이와같은 높은 softening은 본연구의 CdS 박막 내 양자 입자의 입도가 작은것에 기인하는 것으로 밝혀졌다. 또한 본 CdS 시료의 양 자 사이즈 효과의 결과로 1TO 포논도 나타났는데 이 1TO 포논과 E2 포논의 Raman shift 는 성장시간 즉 막의 두께와는 무관한 것으로 나타났다.행렬모형(二重比例行列模型)을 이용하여, 산업구조의 변화로 인한 직업별 인력수요 변화가 충분히 고려되도록 하였다. 전망의 결과에 따르면 향후 우리 경제는 지식기반경제(knowledge-based economy)로 이행하고 있다고 볼 수 있다. 우선 산업구조면에서 지식집약적산업으로의 구조조정이 일어나게 되고 이에 따라 산업별 취업구조에서도 고기술산업의 취업준비중이 급속히 증가하게 된다. 직업별 취업분포에 있어서도 전문기술직 행정관리직 등의 고숙련 사무직의 비중은 크게 증가하는 반면 생산관련직과 농림어업직의 비중은 감소하게 된다. 이처럼 경제가 지식집약화되어 감에 따라 고학력자에 대한 수요는 지속적으로 증가하지만 현재 적절한 인력양성과 공급이 이루어지지 않고 있어 향후 기술이나 기능에 따른 수급부일정(需給不一政)(skill mismatch)현상이 매우 심해질 것으로 보인다. 따라서 앞으로의 인력정책에서 가장 주안점을 두어야 할 부분은 첨단기술산업과 관련된 인력의 양성에 있다고 하겠다.2시간까지 LPDG용액은 MEC용액보다 비교적 나은 회복을 보였고 재관류 3일과 7일의 폐기능 평가에서 두 용액 모두에서 폐기능의 점차적 소실을 보였으며 이는 병리조직검사에서 보듯이 폐혐에 의한 외적인 요소라고 생각되며 따라서 LPDG용액은 허혈재관류손상 방지 및 급성폐렴 등 염증을 잘 관리한다면 20시간 이상 LPDG용액의 안전한 폐보존의 가능성 을 얻을 수 있었다.ic 형태로 외래유전자가 발현되었지만 대조구에서 87.0% (26/30개) 배반포기가 $\beta$-Gal 활력을 보인 반면, G418 처리구에서는 모든 배반포기가 $\beta$-Gal 활력을 보였다 (P<0.05). 그러나 대조구 및 G418 처리구의 ICM

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권1호
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• pp.29-35
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• 2000

전자빔 증착 장비를 이용하여 SrS:Cu,X TFEL 소자를 제작한 후, 발광 특성을 분석하였다. 형광체 모체는 SrS 분말을 사용하였고 발광 중심체로는 Cu, $CuF_2,\;Cu_2S$ 또는 CuCl 등의 미분말을 사용하였다. SrS:Cu,X TFEL 소자의 발광 특성은 부활성제에 따라 매우 많은 변화를 나타내었다. SrS:$Cu_2$ TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율 (${\eta}_{20}$)은 각각 1443 cd/$m^2$와 2.44 lm/w를 나타내었고, 녹색 빛의 발광 효율은 ZnS:Tb TFEL 소자보다 높아 새로운 녹색 형광체로의 활용이 기대되었다. SrS:CuCl TFEL 소자의 휘도($L_{40}$)와 효율(${\eta}_{20}$)은 각각 262 cd/$m^2$와 0.26 lm/w를 나타내었고 청색 빛을 방출하여 새로운 청색 형광체로의 활용 가능성을 확인하였다.