• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.253-254
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• 2006

We have manufactured CdS and Cd(Cu)S thin films by chemical bath deposition(CBD) process, and examined the effects of $NH_4Cl$ and TEA. The addition of $NH_4Cl$ remarkably enhanced the film thickness of CdS, however, TEA slightly decreased the film thickness. The thickness of CdS film prepared from the aqueous solution of 0.003 M $CdSO_4$ 0.00008 M $CuSO_4$, 1.3M NH3, 0.03 M $SC(NH_2)_2$ and 0.0009 M $NH_4Cl$ was 210 nm and resistivity of that was $1.2{\times}10^3{\Omega}cm$.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.365-365
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• 2009

CBD 증착 방법은 저비용으로 양질의 CdS 박막을 얻을 수 있는 증착 밥법으로, 고효율의 CdTe/CdS 태양전지를 얻기에도 적당하다. CdS 박막의 증착 과정에서 수산화 암모늄 (ammonium hydroxide) 은 박막의 특성을 결정하는 주요한 요소 인자 이다. ITO가 증착된 유리기판위에 CdS 박막 증착 과정에서 동일한 조건에서 산화 암모늄 (ammonium hydroxide) 의 농도만을 조절하여서, XRD, Raman spectrometer, UV-Vis, SEM 분석 장치를 이용하여 구조 및 광학 특성의 변화를 살펴보았다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2011년도 춘계학술대회 초록집
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• pp.106.2-106.2
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• 2011

다층 박막 구조로 이루어진 CdS/CdTe 태양전지의 경우, 각각의 박막이 다양한 제조 공정을 거치면서 물성특성의 변화를 겪게 된다. 각각의 박막이 고온의 열처리 공정과, $CdCl_2$ 용액 처리 및 후면 산화막 제거 공정 등을 거치게 되면서 겪게 되는 물성 변화 분석을 살펴보고자 한다. 각각의 박막 제조 방식은 일반적으로 사용되는 방식으로, CdS의 경우는 용액성장법(Chemical Bath Deposition, CBD), CdTe의 경우는 근접승화법(Closed Space Sublimaition, CSS)을 사용했으며, X-Ray Diffractometer (XRD), Raman spectroscopy, Field Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) 등을 이용하여 분석하였다. 각각의 셀 제조 공정을 거치면서 CdS, CdTe 박막들은 결정, 광 특성, 성분 변화를 보였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1995년도 추계 학술발표 강연 및 논문개요집
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• pp.86-86
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• 1995

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.101-104
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• 1992

In-doped CdS thin films have been deposited at 150$^{\circ}C$ by simultaneous thermal evaporation of CdS and In. Deposition rate and film thickness were 8A/sec and about 1um, respectively. Indium doping concentration of films varied as Indium source temperature from 500$^{\circ}C$ to 700˚. Properties of In-CdS films have been investigatied by measurements of electrical resistivity, Hall effect, X-ray diffraction and optical trasmission spectra. The conductivity of these films was always n-type. The resistivity, carrier concentration, mobility and optical band gap dependence on Indium source temperature are reported. Carrier concentration and mobility of In-CdS films increased with increasing Indium source temperature: then they decreased. The variation of the optical band gap of In-CdS thin films are related to carrier concentration.

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.493-498
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• 1998

인쇄 및 소결법으로 제조한 Te-rich CdTe 소스를 근접 승화시켜 CdTe막을 Cd 기판 위에 증착하였다. 기판온도, 태양전지의 유효면적, 그리고 CdTD막과 ITO막의 두께를 변화시켜 CdTe 박막제조한 후 CdS/CdTe 태양전지의 광전압 특성을 연구하였다. 최적기판온도와 CdTe 두께는 각각 $600^{\circ}C$와 5-6${\mu}m$이다. 근접승화 동안 기판온도를 변화시키는 경우는 Cds와 접합부에 CdTe의 입자크기를 증가시키기 위하여 CdTe 증착초기에 기판온도를 62$0^{\circ}C$로 유지한 후, 이로 인해 발생될수 있는 핀홀을 줄이기 위하여 $540^{\circ}C$로 낮게 기판의 온도를 떨어뜨린후 기존의 막질을 유지하기 위하여 추가적으로 $620^{\circ}C$에서 어닐링 시키는 "two-wave"온도 곡선을 사용하였을 때 단락전류밀도가 증가하였다. CdTe 막의 두께가 $6\mu\textrm{m}$보다 커지면 CdTe 의 벌크 저항이 커져 태양전지의 피라미터를 감소시켰다. 이때 CdTe 막의 비저항은 3$\times$$10^{4}$$\Omega$cm이었다. 태양전지의 유효면적이 증가함에 따라, 개방 전압은 일정하나 ITO면저항의 증가에 의해 단락 전류밀도와 충실도가 감소하였다. 본 연구에 ITO의 최적 두께는 300-450nm 이었다. 유효면적 0.5$\textrm{cm}^2$에서 9.4%의 효율을 얻을수 있었으며 충실도와 효율 증가를 위해서는 직결저항의 감소가 필수적임을 알았다.

• 신재생에너지
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• 제17권4호
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• pp.36-45
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• 2021

To remove the Cu secondary phase remaining on the surface of a CIGSSe absorber layer manufactured by the two-step process, KCN etching was applied before depositing the CdS buffer layer. In addition, it was possible to increase the conversion efficiency by air annealing after forming the CdS buffer layer. In this study, various pre-treatment/post-treatment conditions wereapplied to the S-containing CIGSSe absorber layerbefore and after formation of the CdS buffer layer to experimentally confirm whether similareffects as those of Se-terminated CIGSe were exhibited. Contrary to expectations, it was noted that CdS air annealing had negative effects.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2008년도 추계학술발표대회 및 제15회 신소재 심포지엄
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• pp.19.2-19.2
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• 2008

• 센서학회지
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• 제4권3호
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• pp.60-70
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• 1995

Chemical bath deposition(C.B.D.)방법으로 다결정 $Cd_{1-x}Zn_{x}S$ 박막을 스라이드 유리(coming-2948) 기판위에 성장시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $550^{\circ}C$로 $N_{2}$ 속에서 열처리한 시료의 X-선 회절무늬로부터 외삽법으로 구한 격자상수는 CdS인 경우 $a_{0}\;=\;4.1364{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.7129{\AA}$였으며 ZnS인 경우는 $a_{0}\;=\;3.8062{\AA}$, $c_{0}\;=\;6.2681{\AA}$였다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도 의존성을 연구하였다. 광전도 셀의 특성으로 스펙트럼응답 감도, 최대허용소비전력 및 응답시간을 측정하였다.

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 한국태양에너지학회 2012년도 춘계학술발표대회 논문집
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• pp.394-396
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• 2012

Chemical bath deposition (CBD) process conditions for depositing CdS buffer layers was studied for high efficiencies of CIGS thin film solar cells. Growth rate of CdS thin films has an effect on surface morphology and quality of thin films. By the change of growth rate, CdS buffer layers showed a large difference in surface morphology and this difference was closely related with the photovoltaic properties of CIGS solar cells.