• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권2호
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• pp.92-97
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• 2021

The importance of processes in cryogenic environments is increasing in a way to address problems such as critical dimension (CD) narrow and bottlenecks in micro-processing. Accordingly, in this paper, we proceed with the design and analysis of Electrostatic Chuck(ESC) and Coolant in cryogenic environments, and present optimal model conditions to provide the temperature distribution analysis of ESC in these environments and the appropriate optimal design. The wafer temperature uniformity was selected as the reference model that the operating conditions of the refrigerant of the liquid nitrogen in the doubled aluminum path were excellent. Design of simulation (DOS) was carried out based on the wheel settings within the selected reference model and the classification of three mass flow and diameter case, respectively. The comparison between factors with p-value less than 0.05 indicates that the optimal design point is when five turns of coolant have a flow rate of 0.3 kg/s and a diameter of 12 mm. ANOVA determines the interactions between the above factor, indicating that mass flow is the most significant among the parameters of interests. In variable selection procedure, Case 2 was also determined to be superior through the two-Sample T-Test of the mean and variance values by dividing five coolant wheels into two (Case 1 : 2+3, Case 2: 3+2). Finally, heat transfer analysis processes such as final difference method (FDM) and heat transfer were also performed to demonstrate the feasibility and adequacy of the analysis process.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.35-39
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• 2000

$ZnIn_2S_4$ and $ZnGaInS_4:Er^{3+}$ single crystals crystallized in the rhombohedral (hexagonal) space group $C_{3v}^5(R3m)$, with lattice constants $a=3.852{\AA},\;c=37.215{\AA}$ for $ZnIn_2S_4$, and $a=3.823{\AA}$, and $c=35.975{\AA}$ for $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of there compounds had a direct and indirect band gap, the direct and indirect energy gaps are found to be 2.778 and 2.682 eV for $ZnIn_2S_4$, and 2.725 and 2.651eV for $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$ at 293 K. The photoluminescence spectra of $ZnIn_2S_4:Er^{3+}$ measured in the wavelength ranges of $500nm{\sim}900nm$ at 10 K. Eight sharp emission peaks due to $Er^{3+}$ ion are observed in the regions of $549.5{\sim}550.0nm,\;661.3{\sim}676.5nm$, and $811.1{\sim}834.1nm$, and $1528.2{\sim}1556.0nm$ in $CdGaInS_4:Er^{3+}$ single crystal. These PL peaks were attributed to the radiative transitions between the split electron energy levels of the $Er^{3+}$ ions occupied at $C_{2v}$, symmetry of the $ZnIn_2S_4$ single crystals host lattice.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.373-373
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• 2011

$Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) 박막 태양전지는 Chalcopyrite계 박막 태양전지로 Cu, In, Ga, Se 각 원소의 조성을 적절히 조절하여 박막을 성장시킨다. 성장시킨 CIGS 박막은 광흡수계수가 105cm-1로 다른 물질 보다 뛰어나고 직접 천이형 반도체로서 얇은 두께로도 고효율의 박막 제작이 가능하다. 얇은 두께로도 충분히 빛의 흡수가 가능하지만, cell 표면 반사에 의한 광 손실은 cell 효율을 떨어뜨리게 된다. 본 연구에서는 CIGS 박막 태양전지의 광 흡수 향상을 위해 굴절률이 1.86인 ITO 위에 ITO보다 굴절률이 작은 $MgF_2$ (n=1.377) [1]를 80, 100, 120, 140 nm로 증착하여 $MgF_2$/Al/Ni/ITO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 시료를 제작하고, optical reflectance, Quantum Efficiency를 이용하여 분석하였다. optical reflectance 분석 결과, $MgF_2$ AR coating을 한 경우, 두께가 두꺼워짐에 따라 광 반사도가 감소하는 경향을 보였다. 또한 AR coating 두께가 커짐에 따라 fluctuation이 점점 커지며, 파형이 장파장 쪽으로 shift하는 것을 관찰 할 수 있었다. Quantum efficiency (QE)를 분석한 결과 $MgF_2$ AR coating 할 경우, 측정된 대부분의 파장에서 QE가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 하지만 AR coating 두께에 따른 변화는 뚜렷한 차이를 보이지 않았다. AR coating 결과, JSC가 증가하여 efficiency가 향상되는 것을 확인 할 수 있다. 그러나 $MgF_2$ AR coating 80~140 nm 범위에서 cell 효율 변화의 뚜렷한 차이는 관찰할 수 없었다.

• 센서학회지
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• 제11권2호
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• pp.77-83
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• 2002

저비용과 휴대성을 고려한 알코올 경보기의 제작을 위해 동작온도가 낮고 감도가 높은 반도체 가스 센서를 제작하였다. $Fe_2O_3$에 금속 산화물인 $MoO_3$, $V_2O_5$, $TiO_2$, 그리고 CdO 등을 첨가하여 스크린 프린팅법을 이용하여 센서를 제작하였다. 센서의 전기적 안정성을 위하여 질소 분위기에서 $700^{\circ}C$, 2시간 동안 열처리를 하였다. 알코올, 탄화수소계 가스와 담배연기 등을 사용하여 센서의 가스 감도를 조사하였다. $V_2O_5$를 첨가한 센서가 알코올 가스 1,000 ppm에 대해서 약 $80{\sim}90%$의 감도를 보이며, 타 가스에 대한 선택성도 가짐을 알 수 있었다. 제작된 센서와 PIC-chip을 사용하여 휴대 가능한 경보기를 제작할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2013

초고집적 회로에 적용되는 반도체 소자의critical dimension (CD)이 수 nano 사이즈로 줄어들고 있기 때문에, 다양한 물질의 식각을 할 때, 건식식각의 중요성이 더 강조되고 있다. 특히 $SiO_2$와 같은 유전체 물질을 식각할 때, plasma process induced damages (P2IDs)가 관찰되어 왔고, 이러한 P2IDs를 줄이기 위해, pulsed-time modulation plasma가 광범위하게 연구되어 왔다. Pulsed plasma는 정기적으로 radio frequency (RF) power on과 off를 반복하여 rf power가 off된 동안, 평균전자 온도를 낮춤으로써, 웨이퍼로 입사되는 전하 축적을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한 fluorocarbon plasmas를 사용하여 $SiO_2$를 식각하기 위해 Dual-Frequency Capacitive coupled plasma (DF-CCP)도 널리 연구되어 왔는데, 이것은 기존의 방법과는 다르게 plasma 밀도와 ion bombardment energy를 독립적으로 조절 가능하다는 장점이 있어서 미세 패턴을 식각할 때 효과적이다. 본 연구에서는 Source power에는 60 MHz pulsed radio frequency (RF)를, bias power에는 2 MHz continuous wave (CW) rf power가 사용된 system에서 Ar/$C_4$ F8/$O_2$ 가스 조합으로, amorphous carbon layer (ACL)가 hard mask로 사용된 $SiO_2$를 식각했다. 그리고 source pulse의 duty ratio와 pulse frequency의 효과에 따른 $SiO_2$의 식각특성을 연구하였다. 그 결과, duty ratio의 감소에 따라 $SiO_2$, ACL의 etch rate이 감소했지만, $SiO_2$/ACL의 etch selectivity는 증가하였다. 반면에 pulse frequency의 변화에 따른 두 물질의 etch selectivity는 크게 변화가 없었다. 그 이유는 pulse 조건인 duty ratio의 감소가 전자 온도 및 전자 에너지를 낮춰 $C_2F8$가스의 분해를 감소시켰으며, 이로 인해 식각된 $SiO_2$의 surface와 sidewall에 fluorocarbon polymer의 형성이 증가하였기 때문이다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 etch selectivity뿐만 아니라 etch profile까지 향상되는 것을 확인할 수 있었다.