• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.539-542
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• 2004

The $ZnGa_2O_4$ phosphor target is synthesized through solid-state reactions at the calcine temperature of $700^{\circ}C$ and sintering temperature of $1300^{\circ}C$ in order to deposit $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film by rf magnetron sputtering system. The $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is deposited on Si(100) substrate and prepared $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film is annealed by rapid thermal processor(RTP) at $700^{\circ}C$, 15sec. The x-ray diffraction patterns of $ZnGa_2O_4$ phosphor target and thin film show the position of (311) main peak. The cathodoluminescenre(CL) spectrums of $ZnGa_2O_4$ phosphor thin film show main peak of 420nm and maximum intensity at the substrate temperature of $500^{\circ}C$ and annealing temperature of $700^{\circ}C$ 15sec.

• 한국재료학회지
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• 제11권9호
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• pp.759-762
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• 2001

Mg$_2$SnO$_4$having an inverse spinel structure was selected as a new host material of $Mn^{2+}$ activator. The luminescence of the $Mg_2$SnO$_4$:Mn phosphor prepared by the solid-state reaction were investigated under ultraviolet and low-voltage electron excitation. The Mn-doped magnesium tin oxide exhibited strong green emission with the spectrum centered at 500nm wavelength. It was explained that the green emission in $Mg_2$SnO$_4$:Mn phosphor is due to energy transfer from $^4T_1to ^6A_1\;of\; Mn^{2+}$ ion at tetrahedral site in the spinel structure. The optimum concentration of $Mn^{2+}$/ion exhibiting maximum emission intensity by the low-voltage electron excitation was 0.6mol%. ？

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.646-651
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• 1998

In this present study, the luminescence characteristics and mechanism of energy $CaTiO_3$:Pr phosphor were studied using disk specimens sintered at various temperatures and envirenment. A single-phase $CaTiO_3$:Pr was synthesized by sintering above 140$0^{\circ}C$ and its crystal structure was found to be perovskite orthorhombic. A dominant peak around 360 nm and a broad peak around 395 nm were observed in the PLE(Photoluminescence Excitation) spectrum of $CaTiO_3$:Pr with fixed emission wavelength at 612 nm, the decay time of 360 nm excitation was found to be longer than that of 395 nm excitation. From this result, it is assumed that the free carrier excited to 360 nm is transferred to 395 nm energy level. Therefore, the decrease in 395 nm intensity observed in CaTiO$_3$:Pr specimens sintered in Ar gas environment induced shorter decay time and improved CL luminescence.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권5호
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• pp.432-436
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• 2006

The $ZnGa_2O_4$ and Mn, Cr-doped $ZnGa_2O_4$ Phosphors were synthesized through conventional solid state reactions. The XRD patterns show that the $ZnGa_2O_4$ has a (3 1 1) main peak and a spinel phase. The emission wavelength of $ZnGa_2O_4$ showed main peak of 420 nm and maximum intensity at the sintering temperature of $1100^{\circ}C$. In the crystalline $ZnGa_2O_4$, the Mn shows green emission (510 nm, $^4T_1-^6A_1$) with a quenching concentration of 0.6 mol%, and the Cr shows red emission (705 nm, $^4T_2-^4A_2$) with a quenching concentration of 2 mol%. These results indicate that $ZnGa_2O_4$ Phosphors hold promise for potential applications in field emission display devices with high brightness operating in full color regions.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.383-384
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• 2007

The nano and micro-sized $ZnGa_2O_4$ phosphor were prepared by precipitation method and solid-state method. The luminescence, formation process and structure of phosphor powders were investigated by means of XRD, SEM and PL. The result of XRD analysis showed that $ZnGa_2O_4$ spinel structure was formed at as-prepared in the case of precipitation method. However, micro-sized phosphor was required high heating treatment to have a satisfactory spinel structure. The CL intensity of nano-sized phosphor was about 4-fold higher than that of micro-sized phosphor. The emission spectra of all $ZnGa_2O_4$ phosphor show a self activated blue emission band at around 420 nm in the wide range of 300~600 nm.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권3호
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• pp.240-244
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• 2002

$Gd_2O_3,\;CeO_2$ 및 $NH_4Br$ 분말을 사용하여 GdOBr:Ce 형광체를 고상 반응으로 합성하였다. GdOBr:Ce 형광체는 370nm UV 여기 하에 410∼430nm의 영역에서 청색 발광스펙트럼을 보였으며, 2mol%의 Ce 농도에서 최대 발광특성을 나타냈다. FED용 형광체로의 응용 가능성을 알아보기 위해 GdOBr:Ce 형광체의 음극서 발광(CL)을 측정하였다. CL의 경우 PL과 동일한 영역인 410∼430nm에서 발광을 나타냈으며, Ce 농도가 1mol%일 때 발광의 최대치를 보였다. CL에서의 degradation 효과를 보기 위해 전자선을 10분간 조사하여 상용형광체와 비교하였다. 이로부터 GdOBr:Ce 형광체를 FED용 청색 형광체로 응용할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제8권7호
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• pp.601-606
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• 1998

고상반응법으로 $SrTiO_3$ : AI, Pr 적색 형광체를 합성하였다. PL 스펙트럼과 CL 스펙트럼의 발광 강도를 소결 온도와 소결 시간등의 형광체의 제조 변수에 대하여 최적화 하였다. 열처리한 분말은 XRD 분석 결과 페로브스카이트구조를 보였고, PSD 분석결과 평균입자크기는 약 3~5$\mu\textrm{m}$이었다. 또한 분말의 주사 전자 현미경 사진에 의한면 구형을 갖는잘 결정화된 입자들이 관찰되었다. 특히, 본 연구에서 합성된 분말의 특성은 상용화된 $Y_2O_3: Eu 형광체 보다 저전압에서의 CL 특성이 더 우수하였으며, 이 형광체는 저전압에서 구동하는 FED에 응용할 가능성이 높을 것으로 생각된다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.1013-1016
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• 2005

대기 중에서 Si 기판 상에 촉매를 사용하지 않고 Zn powder만을 사용하여 ZnO 나노 구조를 성장시켰다. 450$^{\circ}$C ${\sim}$ 600$^{\circ}C$의 성장 온도에서 형성된 ZnO 나노 구조는 다양한 측정 방법을 이용해 구조적, 광학적인 특성을 분석하였다. Scanning Electron Microscopy (SEM)로 관찰한 결과, 모든 성장 온도에서 tetrapod 형 나노 구조와 구형의 cluster가 관찰되었다. Tetrapod 형 나노 구조는 성장 온도에 의한 크기나 밀도에 큰 영향이 없었지만, 구형의 cluster의 경우 성장 온도에 따른 밀도와 크기의 변화가 관찰되었다. Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX)로 각각의 구조의 원소 조성비를 분석한 결과, tetrapod는 Zn:O가 1:1인 화학양론적인 조성을 보였으나, cluster는 산소 결핍형의 조성비를 가지고 있었다. 성장된 모든 샘플은 실온에서 매우 강한 발광을 보였으며, 380nm 중심의 UV 발광 피크와 500nm 중심의 green 발광 피크 (G-밴드)가 관찰되었고, UV 발광의 강도에 대한 G-밴드의 강도는 성장 온도가 높아질수록 증가하였다. 이러한 두 가지 발광 피크의 기원을 조사하기 위해 Cathodoluminescence(CL) 측정이 이루어졌고, UV 발광은 주로 tetrapod 구조에서, G-밴드 발광은 주로 cluster 구조에서 기인한다는 사실을 알 수 있었다.