SEI (solid electrolyte interphase) layers are generated on a graphite negative electrode from three different electrolytes and low-temperature ($-30^{\circ}C$) charge/discharge performance of the graphite electrode is examined. The electrolytes are prepared by adding 2 wt% of vinylene carbonate (VC) and fluoroethylene carbonate (FEC) into a standard electrolyte solution. The charge-discharge capacity of graphite electrode shows the following decreasing order; FEC-added one>standard>VC-added one. The polarization during a constant-current charging shows the reverse order. These observations illustrate that the SEI film resistance and charge transfer resistance differ according to the used additives. This feature has been confirmed by analyzing the chemical composition and thickness of three SEI layers. The SEI layer generated from the standard electrolyte is composed of polymeric carbon-oxygen species and the decomposition products ($Li_xPF_yO_z$) of lithium salt. The VC-derived surface film shows the largest resistance value even if the salt decomposition is not severe due to the presence of dense film comprising C-O species. The FEC-derived SEI layer shows the lowest resistance value as the C-O species are less populated and salt decomposition is not serious. In short, the FEC-added electrolyte generates the SEI layer of the smallest resistance to give the best low-temperature performance for the graphite negative electrode.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2010.05a
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pp.3.1-3.1
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2010
Water splitting reaction using photocatalysts is of great interest in the utilization of solar energy [1]. In the present work, visible light-responsive $TiO_2$ thin films (Vis-$TiO_2$) were prepared by a radio frequency magnetron sputtering (RF-MS) deposition method and applied for the separate evolution of $H_2$ and $O_2$ from water as well as the photofuel cell. Special attentions will be focused on the effect of HF treatment of Vis-$TiO_2$ thin films on their photocatalytic activities. Vis-$TiO_2$ thin films were prepared by an RF-MS method using a calcined $TiO_2$ plate and Ar as the sputtering gas. The Vis-$TiO_2$ thin films were then deposited on the Ti foil substrate with the substrate temperature at 873 K (Vis-$TiO_2$/Ti). Vis-$TiO_2$/Ti thin films were immersed in a 0.045 vol% HF solution at room temperature. The effect of HF treatments on the activity of Vis-$TiO_2$/Ti thin films for the photocatalytic water splitting reaction have been investigated. Vis-$TiO_2$/Ti thin films treated with HF solution (HF-Vis-$TiO_2$/Ti) exhibited remarkable enhancement in the photocatalytic activity for $H_2$ evolution from a methanol aqueous solution as well as in the photoelectrochemical performance under visible light irradiation as compared with the untreated Vis-$TiO_2$/Ti thin films. Moreover, Pt-loaded HF-Vis-$TiO_2$/Ti thin films act as efficient and stable photocatalysts for the separate evolution of $H_2$ and $O_2$ from water under visible light irradiation in the presence of chemical bias. Thus, HF treatment was found to be an effective way to improve the photocatalytic activity of Vis-$TiO_2$/Ti thin films. Furthermore, unique separate type photofuel cell was fabricated using a Vis-$TiO_2$ thin film as an electrode, which can generate electrical power under solar light irradiation by using various kinds of biomass derivatives as fuel. It was found that the introduction of an iodine ($I^-/{I_3}^-$) redox solution at the cathode side enables the development of a highly efficient photofuel cell which can utilize a cost-efficient carbon electrode as an alternative to the Pt cathode.
The monomer N,N'-bis(3-pyrrol-1-yl-propyl)-4,4'-bipyridinium$(PF_6)_2$ was electrochemically polymerized on glassy carbon electrode surface. This polymer film electrode has electroactive sites on its bipyridinium ions distributed at the polymer strands. The formal potentials of the electrodes were -0.41V and -0.81V(vs. SSCE) for each step at phosphate buffer(pH=5.70). The diffusion coefficients of the dopants ions into the polymer matrix were $1.57{\times}10^{-4}$ and $4.35{\times}10^{-5}cm^2s^{-1}$ for first and second redox couple, respectively. The rate constants of electron transfer at $V^{2+/+}$ of the first step was a $57.53s^{-1}$, which was 22 times higher than $V^{+/0}$ one having $2.63s^{-1}$ in the solution. The charge transfer resistance of the polymer film was influenced by the dopant ion of the electrolyte. Thus the resistances were 22.63, 16.81, 12.44 and $11.36k{\Omega}$ for $LiClO_4,\;NaClO_4,\;KClO_4$, and phosphate buffer, respectively. The reaction order of the electropolymerization was first order and the rate constant of the polymerization was $1.31{\times}10^{-1}s^{-1}$ as determined by EQCM method. The G.C./p-BPB type electrode doped with phosphate ions showed a stability and reproducibility in CV procedure over 20 cycles.
Thin films of titanium nitride are formed using the tetrakis-dimethyl-amino-titanium (TDMAT(Ti[N($CH_3$)$_2$]$_4$)) under various conditions. The formation of TiN films has been obtained from the thermal decomposition of the Ti-precursor and the gas phase reaction between TDMAT and ammonia(NH$_3$). The resistivity of the MOCVD film can be attributed to their impurity. Especially the curve fitting graph of XPS data is revealed that main impurities in the films as carbon and oxygen make various interstitial compounds which has influenced physical and electrical properties of the film. In the contact hole with the aspect ratio of 3:1 and the diameter of 0.5${\mu}{\textrm}{m}$, the SEM morphology shows that the step coverage is more decreased in the films formed y flowing ammonia additionally than the films formed by pyrolysis of TDMAT and the phenomenon is probably related with the activation energy.
Ha, Tae-Min;Son, Seung-Nam;Lee, Jun-Yong;Hong, Sang-Jeen
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.434-435
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2012
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon dioxide thin films have many applications in semiconductor manufacturing such as inter-level dielectric and gate dielectric metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Fundamental chemical reaction for the formation of SiO2 includes SiH4 and O2, but mixture of SiH4 and N2O is preferable because of lower hydrogen concentration in the deposited film [1]. It is also known that binding energy of N-N is higher than that of N-O, so the particle generation by molecular reaction can be reduced by reducing reactive nitrogen during the deposition process. However, nitrous oxide (N2O) gives rise to nitric oxide (NO) on reaction with oxygen atoms, which in turn reacts with ozone. NO became a greenhouse gas which is naturally occurred regulating of stratospheric ozone. In fact, it takes global warming effect about 300 times higher than carbon dioxide (CO2). Industries regard that N2O is inevitable for their device fabrication; however, it is worthwhile to develop a marginable nitrous oxide free process for university lab classes considering educational and environmental purpose. In this paper, we developed environmental friendly and material cost efficient SiO2 deposition process by substituting N2O with O2 targeting university hands-on laboratory course. Experiment was performed by two level statistical design of experiment (DOE) with three process parameters including RF power, susceptor temperature, and oxygen gas flow. Responses of interests to optimize the process were deposition rate, film uniformity, surface roughness, and electrical dielectric property. We observed some power like particle formation on wafer in some experiment, and we postulate that the thermal and electrical energy to dissociate gas molecule was relatively lower than other runs. However, we were able to find a marginable process region with less than 3% uniformity requirement in our process optimization goal. Surface roughness measured by atomic force microscopy (AFM) presented some evidence of the agglomeration of silane related particles, and the result was still satisfactory for the purpose of this research. This newly developed SiO2 deposition process is currently under verification with repeated experimental run on 4 inches wafer, and it will be adopted to Semiconductor Material and Process course offered in the Department of Electronic Engineering at Myongji University from spring semester in 2012.
Kim, Sung Joon;Kim, Dong Hyun;Lim, Joosup;Lee, Sang Wook;Kim, Tae-Uk;Kim, Seungho
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.43
no.8
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pp.699-705
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2015
Aircraft needs high lift-to-drag ratio and weight reduction of the structure for long endurance flight with a small power. Generally high aspect ratio wing is applied to HALE(High Altitude Long Endurance) aircraft. Also high modulus, and high strength CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic) has been used in primary structures. and thin mylar(membrane material) film has been applied to skin of wing. As a result, wing is more flexible than the other structures. and the stiffness of thin mylar film has an affect on dynamic stability. In this study, the membrane characteristic of mylar film has been simulated using nonlinear gap elements. And equivalent modeling method using shell elements is presented using the nonlinear simulation result. The linear equivalent model has verified using the results of nonlinear membrane method. Proposed linear equivalent shell model has applied to mode analysis for estimate the effect of mylar mechanical properties on natural frequency.
To increase the oxidation-resistance of graphite substrate, we have tried to form SiC film on its surface by Sol-Gel method. TEOS(Tetraethyl orthosilicate) and phenol resin have been used as silicon(Si) and carbon(C) sources, respectively. In order to know the effect of the TEOS Sol concentration on the forming of SiC film, we have taken 5 different $H_2O$/TEOS mol ratios of 2, 4, 6, 8 and 10. And the coating states of SiC on the graphite substrate have been analyzed with X-ray diffractometer and scanning electron microscope (SEM), and we have obtained about 5${\mu}m$, 12${\mu}m$, 7${\mu}m$, 7${\mu}m$ and 2 ${\mu}m$ as the thickness of SiC coating layers, respectively. For also knowing the oxidation resistance the SiC coated graphites at $1600^{\circ}C$ were heated again at $1000^{\circ}C$ under air atmosphere for 1 hr, and as a result we have received the weight losses of 26.17%, 20.97%, 17.28%, 21.73% and 28.13%, respectively.
Atomic layer deposition(ALD) of amorphous TiN films on $SiO_2$ between 17$0^{\circ}C$ and 21O$^{\circ}C$ has been investigated by alternate supply of reactant sources, Ti[N($C_2,H_5,CH_3)_2]_4$ [tetrakis(ethylmethylamminoltitanium: TEMAT] and $NH_3$. Reactant sources were injected into the reactor in the order of TEMAT vapor pulse, Ar gas pulse, $NH_3$. gas pulse and Ar gas pulse. Film thickness per cycle was saturated at around 1.6 monolayer(MU per cycle with sufficient pulse times of reactant sources at 20$0^{\circ}C$. The results suggest that film thickness per cycle could be beyond 1 MLicycie in ALD, which were explained by rechemisorption mechanisms of reactant sources. The ideal linear relationship be¬tween number of cycles and film thickness is confirmed. As a results of surface limited reactions of ALD, step cover¬age was excellent. Particles caused by the gas phase reactions between TEMAT and NH3 were almost free because TEMAT was seperated from $NH_3$ by the Ar pulse. In spite of relatively low substrate temperature, carbon impurity was incorporated below 4 at%.
Studies have been carried out on the fabrication of PPy/GC and PPy/Pt electrode modified with polypyrrole film and determination of Cr(VI) by using 3-electrode system with modified electrodes. Modified electrodes were able to easily fabricated by cyclic voltammetry scanned from +1.0V to -1.0V(vs. Ag/AgCl) at 50 mV/sec. Film thickness could be controlled at same condition by the number of cycling up to 26 times. Reduction behaviour of Cr(VI) at PPy/GC electrode could be seen at wide potential ranges from +0.6V to -0.5V(vs. Ag/AgCl), and maximum reduction peak potential of the ion was observed at -0.25V(vs.Ag/AgCl). Calibration graph at its potential was linear from 0.1 ppm to 80.O ppm. Slope factor and relative coefficient were 1.75 mA/ppm and 0.998, respectively. Reduction behaviour of Cr(VI) at PPy/Pt electrode was similar to PPy/GC electrode, Calibration graph was linear from l.0 ppm to 60.0 ppm. Slope factor and relative coefficient were 0.5mA/ppm and 0.923, respectively. But PPy/GC modified electrode had about 3 times higher sensitivity than PPy/Pt modified electrode. Reduction behaviour of Cu(II), As(IlI), Pb(II), and Cd(II) couldn't be seen at PPy/GC electrode,Its metals had not lnterfered with Cr (VI) determination.
This study was carried out to investigate the MA response of fresh lemongrass (Cymbopogon citratus) depending upon film sources and storage temperatures. The fresh weight loss was significantly lower at 5 and $0^{\circ}C$ than those of higher temperatures. And ceramic $80{\mu}m$ film (CE 80) was more effective in preventing weight loss than CE40. The contents of $CO_2$ and ethylene were much higher in CE 80 wrapping than those in CE 40 ones. Rapid accumulation of $CO_2$ was observed at high storage temperature. However, the ethylene content during whole storage period was higher at $0^{\circ}C$ than those at $5^{\circ}C$, but the level of ethylene was remained below 1ppm and did not adversely affected to lemongrass quality. The treatment of CE 80 at $5^{\circ}C$ was most effective on keeping visual quality and chlorophyll content. The storage durations were up to 48 days at $5^{\circ}C$ and 35 days at $0^{\circ}C$, respectively. Results indicated that CE 80 at $5^{\circ}C$ is an optimal condition for MA storage of lemongrass.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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