• 한국기계연구소 소보
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• 통권9호
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• pp.193-208
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• 1982

Flap type wave-maker, wave absorber, motion measuring equipment and related instruments were newly installed at Ship Experimental Towing Tank, Ship Research Station, KIMM. The model tests in regular head and following waves were successfully carried out and the motion and wave loads in regular and long crested irregular waves were calculated for a container ship model which was adopted as the hull form for the comparative calculations of the ITTC Seakeeping Committee. The results of model tests show good agreement with calculated results and the latter are generally in good agreement with the results of the comparative calculations.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2007년도 한국컴퓨터종합학술대회논문집 Vol.34 No.1 (A)
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• pp.246-247
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• 2007

• 한국방재학회:학술대회논문집
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• 한국방재학회 2008년도 정기총회 및 학술발표대회
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• pp.217-220
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• 2008

The reflection coefficients and the run-up heights affected by submerged structures are studied by using the numerical and the laboratory experimental methods. The three-point method is chosen to calculate the reflection coefficients in both the experimental and the numerical methods. The results of numerical simulations are shown a good agreement with laboratory measurements. The reflection coefficients increase and the run-up heights decrease when the rubble mound breakwater is defended by low-crested structures.

• 한국어류학회지
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• 제26권3호
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• pp.235-238
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• 2014

갈치과에 속하는 Tentoriceps cristatus 1개체(표준체장 619.0 mm)가 제주도 주변해역에서 저층트롤로 처음으로 채집되었다. 이종은 머리의 외곽이 둥근 점(유사종 분장어는 직선을 이룸), 배지느러미는 등지느러미 12번째 기조 밑에 위치하는 점(유사종 분장어는 15~17번째 기조 밑에 위치), 등지느러미 기조수가 V, 131개, 가슴지느러미 기조수가 11개, 배지느러미가 비늘형태로 변형된 점, 그리고 뒷지느러미의 극조수가 2개(2번째 극조는 비늘모양으로 변형됨)인 점이 특징이다. 본 종의 속명과 종명은 "투구갈치속"과 "투구갈치"로 각각 명명하였다.

• 복식
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• 제58권8호
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• pp.91-105
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• 2008

Spatial multiplication phenomenon, expressed through de-constructive trend since the late of 20C, have got changed existing fixed and dis-variable space to smooth, fluid, and changeable space. Ex-form and fluidity of new spatial paradigm have been focused through lots of scientific theories studied between digital thought and indeterminacy and rankless nature phenomena. In 21C fashion, indeterminate and irregular form and space have been crested continuously, which could not explain simply according as the fluidity theory Different from the space crested for multi-function and multipurpose, this is revealed the characteristics of chaosmos that communizes the order and the disorder, deconstruction and creation. Ex-formal space of fashion have shown the relationship of de-centerizing, de-territorial, and do-structural phenomenon among different fashion elements. This paper intends to understand the concept of ex-form, and study expressive manners of ex-formal space of 21C fashion, and conclusion as follows. 1) Overlap changes single space of fashion to multi-layered space through the repeat system of pleats, origami, and folding. 2) Ex-gravity expressed in deviation of the gravity acting vertical direction, for example, twisting, curve, winding, portion. 3) Morphing is shown the change process from single fixed form to different complex form. 4) Blurring is expressed in re-combination and re-arrangement among elements of fashion. 5) Blob shows hybrid fashion space through the liberal compounding and separation of a lot of different elements.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.198-198
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• 2010

전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 Si3N4/HfAlO (3/3 nm)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 제 1 터널 산화막(Si3N4)의 두께를 wet etching 시간 (0, 10, 20 sec)에 따른 메모리 특성을 비교 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.127-127
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• 2011

전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 SiO2/Al2O3 (2/3 nm)와 SiO2/HfAlO (2/3 nm)의 이중 터널 산화막을 증착 시킨 MIS capacitor를 제작한 후 터널 산화막에 전하가 트랩되는 것을 피하기 위하여 다양한 열처리 온도에 따른 current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), constant current stress (CCS) 특성을 평가하였다. 급속열처리 공정온도는 600, 700, 800, 900 ${^{\circ}C}$에서 진행하였으며, 낮은 누설전류, 터널링 전류의 증가, 전하의 트랩현상이 최소화되는 열처리 공정의 최적화 실험을 진행하였다.

• Journal of Species Research
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• 제9권4호
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• pp.532-535
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• 2020

A total of 527 species of birds have been recorded in Korea. We summarize the records of three genera and six species that have been newly reported in Korea, discovered through the avian monitoring programs carried out by The National Institute of Biological Resources from 2013 to 2016. These six newly recorded species are; Ring-necked Duck (Aythya collaris), Lesser Scaup (Aythya affinis), Bufflehead (Bucephala albeola), Black-winged Kite (Elanus caeruleus), Mongolian Lark (Melanocorypha mongolica) and Crested Myna (Acridotheres cristatellus). One Ring-necked Duck was observed on March 23, 2014 in Jungrangcheon Stream. One male Lesser Scaup was recorded on February 24, 2014 in Gyeongpoho Lagoon. A male bufflehead was first seen in Yeongrangho Lagoon on January 26, 2013. The Black-winged Kite was first observed on January 23, 2013 at the Gangseo Wetland Ecological Park. One Mongolian Lark was also recorded on May 11, 2016 and May 12, 2017 in Marado Island. The Crested Myna was first observed on April 20, 2016 in Seomando, Island.

• 한국해안해양공학회지
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• 제5권1호
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• pp.1-10
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• 1993

1차 자유도를 갖는 해양구조물을 선정하여 long crested, stationary, Gaussian random waves가 구조물의 동적응답 스펙트럼에 미치는 영향에 대해 규명하였다. 해수면 부근에서 주기적으로 수면위로 부상하는 연직부재를 고려하기 위해 hybrid Morison equation을 제안했고 이 방정식을 기초로 파력을 계산했다. 주기적으로 수면위로 부상하는 효과를 고려한 결과 동적응답 스펙트럼은 감소하였으며 고차 응당성분이 발생했다. 또한 동적응답 스펙트럼은 주파수가 증가할수록 감소하는 경향을 보였으며 이는 해수면 위로 주기적으로 부상하는 현상을 고려할 때 발생하는 고차응답성분 때문인 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.148-148
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• 2010

플래시 메모리로 대표되는 비휘발성 메모리는 IT 기술의 발달에 힘입어 급격한 성장세를 나타내고 있지만, 메모리 소자의 크기가 작아짐에 따라서 그 물리적 한계에 이르러 차세대 메모리에 대한 요구가 점차 높아지고 있는 실정이다. 따라서, 이러한 문제점에 대한 대안으로서 고속 동작 및 정보의 저장 시간을 향상 시킬 수 있는 nano-floating gate memory (NFGM)가 제안되었다. Nano-floating gate에서 사용되는 nanocrystal (NCs) 중에서 Si nanocrystal은 비휘발성 메모리뿐만 아니라 발광 소자 및 태양 전지 등의 매우 다양한 분야에 광범위하게 응용되고 있지만, NCs의 크기와 밀도를 제어하는 것이 가장 중요한 문제로 이를 해결하기 위해서 많은 연구가 진행되고 있다. 또한, 소자의 소형화가 이루어지면서 기존의 플래시 메모리 한계를 극복하기 위해서 터널베리어에 관한 관심이 크게 증가했다. 특히, 최근에 많은 주목을 받고 있는 개량형 터널베리어는 크게 VARIOT (VARIable Oxide Thickness) barrier와 CRESTED barrier의 두 가지 종류가 제안되어 있다. VARIOT의 경우에는 매우 얇은 두께의low-k/high-k/low-k 의 적층구조를 가지며, CRESTED barrier의 경우에는 반대의 적층구조를 가진다. 이와 같은 개량형 터널 베리어는 전계에 대한 터널링 전류의 감도를 증가시켜서 쓰기/지우기 특성을 향상시키며, 물리적인 절연막 두께의 증가로 인해 데이터 보존 시간의 향상을 달성할 수 있다. 본 연구에서는 박막의 $SiO_2$와 $Si_3N_4$를 적층한 VARIOT 타입의 개량형 터널 절연막 위에 전하 축적층으로 $SiN_x$층의 내부에 Si-NCs를 갖는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. Si-NCs를 갖지 않는 $SiN_x$전하 축적층은 Si-NCs를 갖는 전하 축적층보다 더 작은 메모리 윈도우와 열화된 데이터 보존 특성을 나타내었다. 또한, Si-NCs의 크기가 감소됨에 따라 양자 구속 효과가 증가되어 느린 지우기 속도를 보였으나, 데이터 보존 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다. 그러므로, NFGM의 빠른 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 동시에 만족하기 위해서는 Si-NCs의 크기 조절이 매우 중요하며, NCs크기의 최적화를 통하여 고집적/고성능의 차세대 비휘발성 메모리에 적용될 수 있을 것이라 판단된다.