• 제목/요약/키워드: CIS 박막

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$CulnSe2$계 화합물 박막 태양전지 연구 (A Study on the Cu-based $I-III-VI_2$ Compound Thin Film Solar Cells)

  • 윤재호;안세진;김석기;이정철;송진수;김기환;안병태;윤경훈
    • 신재생에너지
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    • 제1권2호
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    • pp.6-10
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    • 2005
  • [ $CulnSe2$ ]계 화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다. 또한 화학적으로 안정하며 Ga, Al 등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다. CIS 물질에서 In을 $20-30\%$ 정도 치환한 $Cu(In,\;Ga)Se_2(CIGS)$ 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 질공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막 및 $CuGaSe_2(CGS)$ 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판 온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼층으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al 구조의 태양전지를 제조하여 면적 $0.5cm^2$에서 각각 $17\%(CIGS)$$7\%(CGS)$의 효율을 얻었다.

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아조벤젠 유기박막의 광자격 특성에 관한 연구 (A Study on the Light Stimulus Properties by Azobenzene Organic Thin Films)

  • 조수영;김성진;송진원;이순형;정헌상;이경섭
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.41-44
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    • 1999
  • Displacement current was generated in the pressure stimulus and light stimulus. Solution of azobenzene molecules (8A5H) have to character trans-to-cis. Pressure stimulus generate in the pressure and current. light stimulus generate in the displasement current. The Maxwell displacement current measuring technique has been applied for the investigation of azobenzene organic thin films under alternating photoirradiation with ultraviolet(360nm) and visible (450nm) light. The displacement current was generated due to the trans-to-cis photoisomerization by irradiation with ultraviolet light(λ$_1$=360 nm) Whereas the displacement current was generated in the opposite direction due to the cis-to-trans photoisomerization by irradiation with visible light(λ$_2$=450nm). As result, To show twice reaction certainly phase transition in pressure. A first range generated from 24$\AA$$^2$ to 29$\AA$$^2$and second range generated from 20$\AA$$^2$to 24$\AA$$^2$. Also, cetainfy stimulus apper low pressure and high pressure in photoirradiation. To see different every moment phase transition.

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CuInSe2 태양전지 박막의 전해증착 및 성장형상 (Electrodeposition of CuInSe2 Photovoltaic Thin Films and Growth Morphology)

  • 고정환;김명한
    • 한국재료학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.12-18
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    • 2010
  • $CuInSe_2$ (CIS) thin films were electrodeposited on Mo-coated glass substrates in acidic solutions containing $Cu^{2+}$, $In^{3+}$, and $Se^{4+}$ ions, depending on deposition parameters such as deposition potential (-0.4 to -0.8 V[SCE]) and pH (1.7 to 1.9). The influences of PH and deposition potential on the atomic composition of Cu, In, and Se in the deposited films were observed. The best chemical composition, approaching 1:1:2 atomic ratio for the elements, was achieved at -0.5 V (SCE) and pH 1.8. The as-deposited films showed low crystallinity and were annealed at 300 to $500^{\circ}C$ for 30 min to improve crystallization. The surface morphologies, microstructures, and crystallographic structures of the annealed films as well as the as-deposited films were analyzed with AFM, SEM, and XRD. The defects of spherical particles appeared on the surfaces of CIS thin films in the as-deposited state and decreased in size and number with increasing annealing temperatures. Additionally, the crystallization to chalcopyrite structure and surface roughness (Ra) of the as-deposited thin films were improved with the annealing process.

고효율 CIGS 박막 태양전지 개발 (Development of High Efficiency CIGS Thin Film Solar Cells)

  • 윤재호;송진섭;김기환;김민식;안병태;윤경훈
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2006년도 춘계학술대회
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    • pp.149-151
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    • 2006
  • Cu계 $I-III-VI_2$화합물은 직접천이형 반도체로 광흡수계수가 매우 높아 박막형 태양전지 제조에 매우 유리하다. 또한 화학적으로 안정하며 Ga, Al 등을 첨가하면 에너지 금지대폭을 조절할 수 있어 Wide Bandgap 태양전지 및 탠덤구조 태양전지를 제조하기에도 용이하다 $CulnSe_2(CIS)$ 물질에서 In을 20-30% 정도 치환한 $Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)$ 태양전지의 경우 19.5%의 세계 최고 효율을 보고하고 있으며 이는 다결정 실리콘 태양전지의 효율과 비슷한 수준이다. 본 연구에서는 동시 진공증발법을 이용하여 증착한 CIGS 박막을 이용하여 태양전지를 제조하였다. 공정의 재현성 및 결정립계가 큰 광흡수층 제조를 위하여 실시간 기판온도 모니터링 시스템을 도입하였으며 버퍼충으로는 용액성장한 CdS 박막을 사용하였다. SLG/MO/CIGS(CGS)/CdS/ZnO/Al 구조의 태양전지를 제조하여 면적 $0.5cm^2$에서 각각 17.5%의 효율을 얻었다.

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정전기 스프레이 기술을 이용한 CIS 박막코팅에 관한 실험적 연구 (Experimental study on CIS thin film deposition via electrostatic spray technique)

  • 윤현;윤석구;김호영
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.37.2-37.2
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    • 2010
  • Electrostatic spray deposition is an innovative coating technique that produces fine, uniform, self-dispersive (due to the Coulombic repulsion), and highly wettable, atomized drops. Copper-indium salts are dissolved in an alcohol-based solvent, which is then electrostatically sprayed onto a moderately heated, molybdenum-coated substrate. Solvent flowrates range from 0.02 to 5 ml/hr under applied voltages of 1 to 20 kV yielding drop sizes around a few hundred nanometers. By comparing the scanning electron miscrscope images of coated samples, the substrate temperature, applied voltage, solvent flowrate, and nozzle-substrate distance are demonstrated to be the primary parameters controlling coating quality. Also, the most stable electrostatic spray mode that reliably produces uniform and fine drops is the cone-jet mode with a Taylor cone issuing from the nozzle.

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혼합 유기박막의 자격 전류 (Stimulus Current of Mixed Organic Thin Films)

  • 조수영;이경섭
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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    • pp.464-466
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    • 2000
  • In the study We measured the MDC across lipidazobenzene monolayer system was the substrate. We discuss the cis-trans isomerization in Langmuir-Blodgett(LB) films and examine the relationship between the structure of mixed LB films and the generation of MDCs due to photoisomerization. As results, mixed induce monolayer of view to memory and switching, it's own function by particles level think. Also, transmission results of stimulus signal it's form by current to appear.

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광이성화 유기박막의 스위칭 특성에 관한 연구 (The Study on Swtiching Characterics of Organic Film by Photoisomerization)

  • 강용철;이우선;이경섭
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.306-308
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    • 1997
  • The Maxwell displacement current was investigated in the connection with stwiching characteristics by photoisomerization of monolayers. The displacement current was generated due to the trans-to-cis photoisomerization by irradiation with ultraviolet light( λ$_1$1=360nm). whereas the displacement current was generated in the opposite direction due to the sis-to-trans photoisomerization by irradiation with visible light( λ$_1$=450nm). The reversible displacement current generation was found to be sustained by alternative irradiation with UV light and visible light.

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비등방 표면 부조 격자에서의 빛의 회절 (Light diffraction in anisotronic surface relief phase grating)

  • 장혜정;강보영;최현희;박병주;우정원
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.166-167
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    • 2003
  • 아조벤젠 그룹의 trans-cis-trans photo isomerization 특성에 의한 광배향 (photoinduced orientation) 성질을 이용하여 아조벤젠이 함유된 폴리머박막에 표면 부조 격자 (surface relief grating)를 만드는 것은 널리 알려져 있다. 특히 최근 들어, 비선형 물질의 주기적인 배열 구조를 만들기 위해서 surface relief grating을 corona poling 하는 방법들이 연구되어 지고 있다. poling된 surface relief grating은 poling 방향으로의 azo분자의 극질서가 유도되기 때문에, $C_{{\infty}v}$점대칭을 가지는 비등방 회절 격자(anisotropic grating)가 되며 2차 비선형 특성 중의 하나인 선형 전기 광학 효과를 나타낼 수 있다. (중략)

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개환 복분해 중합을 통한 가교형 폴리이미드 박막의 잔류응력 거동 및 특성 분석 (Residual Stress Behavior and Characterization of Polyimide Crosslinked Networks via Ring-opening Metathesis Polymerization)

  • 남기호;서종철;장원봉;한학수
    • 폴리머
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    • 제38권6호
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    • pp.752-759
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    • 2014
  • 본 연구에서는 미세 전자 소자용 절연박막 및 차세대 플렉시블 디스플레이 기판으로서 사용이 기대되는 폴리이미드(PI)에 개환 복분해 중합(ring-opening metathesis polymerization)이 가능한 환형 말단 캡핑제(end-capping agent)인 cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride(CDBA)로 사슬 말단에 가교 반응이 된 가교형 폴리이미드를 합성하였다. 말단 캡핑제의 조성비에 따른 가교형 폴리이미드 박막의 잔류응력 거동은 thin film stress analyzer(TFSA)를 이용한 wafer bending mothod로 온도에 따라 연속적인 거동을 in-situ로 측정하였다. 열특성은 시차 주사 열량계(DSC), 열기계 분석기(TMA) 및 열 중량 분석기(TGA)를 이용하여 측정하였고, 광학 특성은 자외선/가시광선 분광광도계(UV-vis)와 색차계(spectrophotometer)를 이용하였으며, 네트워크 구조의 모폴로지(morphology) 변화를 통해 해석하였다. 말단 캡핑제의 조성비가 증가함에 따라 잔류응력은 27.9에서 -1.3 MPa로 초저응력 및 향상된 열 특성을 나타내었으나, 광학 특성은 감소됨을 보였다. 가교형 폴리이미드 박막의 우수한 특성 발현은 고집적도 다층 구조의 안정성 및 신뢰도가 요구되는 분야의 응용성이 확대될 것으로 기대된다.

Cu(InGa)$Se_2$ 박막의 Cu/(In+Ga) 조성비에 따른 전기적 물성특성 (Physical Properties with Cu/(In+Ga) Ratios of Cu(InGa)$Se_2$ Films)

  • 김석기;이정철;강기환;윤경훈;송진수;박이준;한상옥
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1584-1586
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    • 2002
  • CuIn$Se_2$ (CIS) and related compounds such as Cu($In_xGa_{1-x})Se_2$(CIGS) have been studied by their potential for use in photovoltaic devices. CIS thin film materials which have high absorption coefficient and wide bandgap, have attracted much attention as an alternative to crystalline and amorphous silicon solar cells currently in use. Cu-rich CIGS film have very low resistivity, due to coexistence of the semimetallic $Cu_{2-x}Se$. In-rich CIGS films show high resistivity, since these films are compensated films without the $Cu_{2-x}Se$ phase. Optical properties of the CIGS films also change in accordance with the resistivity for the Cu/(In+Ga) ratio. The Cu-rich films have different spectra from In-rich films in near infrared wavelengths.

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