• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제16권1호
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• pp.87-105
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• 1991

The purpose of this experiment was to measure the leaking and solubility of commonly used dental restorative materials - Silux plus (CS), Hi-pol (CH), Clearfil F-II, Fissureseal (FS), Glass-Ionomer cement Fuji Type II (GI), Amalgam Cavex 68 (AM), Zinc Phosphate Cement (ZP) and gutta-percha (GP) and investigate the relation between the solubility and marginal leakage. Disc-shape specimens were fabricated with each material and dipped into deionized water, 0.01M lactic acid and 0.005M KOH solution, thus the total ionic concentrations in each solution was measured with ion chromatograph after 1, 3, and 7 days, respectively. For the solubility test, each specimen was immersed in 0.001M and 0.01M lactic acid for 24 hours, respectively and total weight loss was calculated. Also, Zn leaking through the margin of restorations was measured. The obtained results were as follows: 1. The amounts of eluted ion from the eight materials were most in 0.01M lactic acid and least in deionized water. 2. Of the eight materials, the fluoride release was greatest for glass ionomer cement (GI) in 0.01 M lactic acid after 7 days. 3. In analysis of the divalent cation, Mg was eluted most for zinc phosphate cement (ZP) and Ca for Clearfil F-II (CF) in 0.01M lactic acid after 7 days. 4. In analysis of transition metals, Cu and Zn were detected only. 5. The solubility rate of eight materials was greater in 0.01M lactic acid than in 0.001M for 24 hours, for zinc phosphate cement (ZP) the rate was greatest (5.4%) in 0.001M lactic acid, and amalgam least (0.01%). 6. The Zn concentration of restorative material with Z.P.C base was greater in 0.01M lactic acid than in 0.001M lactic acid.

• 지능정보연구
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• 제22권4호
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• pp.1-18
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• 2016

협업필터링은 사용자의 선호도 평가자료를 이용하여 특정 사용자의 특정 상품에 대한 선호도를 예측하고 이를 이용하여 유사한 사용자에게 상품을 추천한다. 협업필터링은 전자상거래에서의 정보 과잉현상을 줄여 주기에 가장 인기 있는 개인화 기법이다. 그러나 협업필터링은 희소성과 확장성 문제 등을 가지고 있다. 본 연구에서는 희소성과 확장성 문제와 같은 협업필터링의 주요 한계점을 보완하고 추천과정에 사용자의 정성적이고 감성적인 정보를 반영하도록 하기 위하여 사회연결망 정보와 협업필터링을 접목하는 방안을 이용한다. 본 논문에서는 특이값 분해에 내재적인 정보를 반영할 수 있도록 확장한 SVD++에 사회연결망 정보를 고려할 수 있도록 한 Social SVD++ 알고리듬을 협업필터링에 접목한 새로운 추천 알고리듬을 이용한다. 특히, 본 연구는 추천과정에 실제 사용자의 사회연결망 정보를 반영하여 모형의 성과를 평가할 것이다.

• 한국응용곤충학회지
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• 제27권4호
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• pp.194-199
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• 1988

1984년부터 1986년 까지 야회에서 큰검정풍뎅이와 참검정풍뎅이의 토양내 수직분포 계절적 변화를 조사하였다. 두 종 모두 란, 섭식지유충 및 성충은 주로 지표에서 10cm깊이에 위치하였으며 유츙이 월동을 위해 밑으로 이동을 시작하는 시기는 10월 하순-11월 상순으로 5cm깊이의 지온이 $10^{\circ}C$ 내외로 떨어진 때였다. 유충의 월동깊이는 큰검정풍뎅이가 10-40cm, 참검정풍뎅이가 30-80cm였다. 큰검정풍뎅이는 월동장소에서 그대로 부하 및 우화하였으나 참검정풍뎅이는 월동 후 이듬해 4월에 다시 지표 가까이로 올라와 섭식 하다 6월하순경 다시 ？으로 이동을 시작하여 10-40cm, 깊이에서 부하 및 우화하여 월동하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제7권4호
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• pp.208-211
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• 1975

한우(韓牛)의 round muscle에 papain을 처리(處理)하여 유연성(柔軟性) 관계(關係)를 penetrometer로 측정(測定)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1. Penetrometer에 의하여 육(肉)의 유연성(柔軟性)을 측정(測定)하는 방법(方法)은 상관관계(相關關係)가 인정(認定)된다. (p<.05) 2. 효소(酵素) 처리(處理) 농도(濃度)의 증가(增加)에 따라 penetration value도 비례(比例)해서 증가(增加)하였다. 3. 근섬유(筋纖維)에 대해서 longitudinal section과 cross section의 penetration value는 현저한 차(差)가 인정(認定)되었다. 5. longitudinal section과 cross section 모두 0.05% 효소첨가(酵素添加)에서 유연성(柔軟性)의 증가율(增加率)이 가장 높았으며 0.1%의 효소(酵素) 첨가(添加)와는 유의차(有意差)가 인정(認定)되지 않았다.

• 한국항해항만학회지
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• 제30권5호
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• pp.351-356
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• 2006

본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 P1dB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz\sim2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실 -17.8dB를 얻었다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

• 전기학회논문지
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• 제63권10호
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• pp.1485-1490
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• 2014

$SF_6$ gas has been used for power transformers or gas insulated switchgears, because it has the superior insulation property and the stable structure chemically. It has been, however, one of global warming gases and required to reduce the its amount. Some papers have reported that its amount could be reduced by mixing with other gases, such as $N_2$, $CF_4$, $CO_2$ and $C_4F_8$ and their mixture gases would cause the synergy effect. In this paper, we investigated the characteristics of DC plasmas on $SF_6$ mixture gases with $N_2$ at atmospheric pressure. $N_2$ gas is one of cheap gases and has been reported to show the synergy effect with mixing $SF_6$ gas, even though $N_2$ plasmas have electron-positive characteristics. 38 kinds of $SF_6/N_2$ plasma particles, which consisted of an electron, two positive ions, five negative ions, 30 excitation and vibration particles, were considered in a one dimensional fluid simulation model with capacitively coupled plasma chamber. The results showed that the joule heating of $SF_6/N_2$ plasmas was mainly caused by positive ions, on the other hand electrons acted on holding the $SF_6/N_2$ plasmas stably. The joule heating was strongly generated near the electrodes, which caused the increase of neutral gas temperature within the chamber. The more $N_2$ mixed-ratio increased, the less joule heating was. And the power consumptions by electron and positive ions increased with the increase of $N_2$ mixed-ratio.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.41-41
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• 2003

텅스텐(W)은 높은 thermal stability 와 process compatibility 및 우수한 corrosion r resistance 둥으로 integrated circuit (IC)의 gate 및 interconnection 둥으로의 활용이 대두되고 있으며, 차세대 thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD)의 gate 및 interconnection m materials 둥으로 사용되고 았다. 그러나, 이러한 장점을 가지고 있는 팅스텐 박막이 실제 공정상에 적용되가 위해서는 건식 식각이 주로 사용되는데, 이는 wet chemical 을 이용한 습식 식각을 사용할 경우 낮은 etch rate, line width 의 감소 및 postetch residue 잔류 동의 문제가 발생하기 때문이다. 또한 W interconnection etching 을 하기 위해서는 높은 텅스텐 박막의 etch rate 과 하부 layer ( (amorphous silicon 또는 poly-SD와의 높은 etch selectivity 가 필수적 이 라 할 수 있다. 그러 나, 지금까지 연구되어온 결과에 따르면 텅스탠과 하부 layer 와의 etch selectivity 는 2 이하로 매우 낮게 관찰되고 았으며, 텅스텐의 etch rate 또한 150nm/min 이하로 낮은 값을 나타내고 있다. 따라서 본 연구에서는 halogen-based inductively coupled plasma 를 이용하여 텅스텐 박막 식각시 여러 가지 첨가 가스에 따른 높은 텅스탠 박막의 etch rate 과 하부 layer 와의 높은 etch s selectivity 를 얻고자 하였으며, 그에 따른 식각 메커니즘에 대하여 알아보고자 하였다. $CF_4/Cl_2$ gas chemistry 에 첨 가 가스로 $N_2$와 Ar을 첨 가할 경 우 텅 스텐 박막과 하부 layer 간의 etch selectivity 증가는 관찰되지 않았으며, 반면에 첨가 가스로 $O_2$를 사용할 경우, $O_2$의 첨가량이 증가함에 따라 etch s selectivity 는 계속적으로 증가렴을 관찰할 수 있었다. 이는 $O_2$ 첨가에 따라 형성되는 WOF4 에 의한 텅스텐의 etch rates 의 감소에 비하여, $Si0_2$ 등의 형성에 의한 poly-Si etch rates 이 더욱 크게 감소하였기 때문으로 사료된다. W 과 poly-Si 의 식각 특성을 이해하기 위하여 X -ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하였으며, 식각 전후의 etch depth 를 측정하기 위하여 stylus p pmfilometeT 를 이용하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권10호
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• pp.1061-1066
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• 1997

The complexes M(CO)4-1,2-(PPh2)2-1,2-C2B10H10 (M=Cr 2a, Mo 2b, W 2c) have been prepared in good yields from readily available bis-diphenylphosphino-o-carboranyl ligand, closo-1,2-(PPh2)2-1,2-C2B10H10 (1), by direct reaction with Group Ⅵ metal carbonyls. The infrared spectra of the complexes indicate that there is an octahedral disposition of chelate bis-diphenylphosphino-o-carboranyl ligand around the metal atom. The crystal structure of 2a was determined by X-ray diffraction. Complex 2a crystallizes in the monoclinic space group P21/n with cell parameters a = 12.2360(7), b = 17.156(1), c = 16.2040(6) Å, V = 3354.1(3) Å3, and Z =4. Of the reflections measured a total of 2514 unique reflections with F2 > 3σ(F2) was used during subsequent structure refinement. Refinement converged to R1 = 0.066 and R2 = 0.071. Structural studies showed that the chromium atom had a slightly distorted pseudo-octahedral configuration about the metal center with two phosphine groups of o-carborane occupying the equatorial plane cis-orientation to each other. These metal carbonyl complexes are rapidly converted to the corresponding metal carbene complexes, [(CO)3M=C(OCH3)(CH3)]-1,2-(PPh2)2-1,2-C2B10H10 (M= Cr 3a, Mo 3b, W 3c), via alkylation with methyllithium followed by O-methylation with CF3SO3CH3.

• 농업생명과학연구
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• 제52권6호
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• pp.61-72
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• 2018

The aim of this present study was to investigate the impact of different seeding rate and nitrogen fertilizing levels on the seed yield and feed value of oats(Avena sativa L.) grown in Gyeongbuk area for two years. The experiment was arranged in split plot design with 3 main plots(100, 130 and 160 kg of seed/ha) and 4 subplots(0, 50, 70 and 90 kg N/ha), with 3 replicates. Heading, flowering, and maturing dates of oats sown in spring 2017, delayed by two days compared to that of spring 2016, and the plant height of spring 2017 were significantly shorter than that of spring 2016(18.1 ~ 23.4 cm). In addition, the highest number of stems and number of panicles according to different seeding rate and nitrogen fertilizing levels were achieved with the seeding rate of 160 kg/ha and 90 kg of N/ha in 2016 and 2017, respectively. In case of seed yield as affected by different seeding rate, the highest seed yield was achieved with a seeding rate of 130 kg/ha(p<0.05), and based on nitrogen fertilizing levels, the highest yield was obtained in 50 kg of N/ha compared to others. The crude fiber(CF), neutral detergent fiber(NDF) and total digestible nutrients(TDN) of oats cultivated and harvested in spring 2016 and 2017 according to different sowing rate were the highest in the seeding rate of 130 kg/ha. The crude protein(CP) content and total digestible nutrients(TDN) of 2016-2017 as influenced by nitrogen fertilizer levels were the highest in the nitrogen fertilizer level of 90 and 50 kg N/ha, respectively. In conclusion, the proper seeding rate and the optimal nitrogen fertilizing level in Gyeongju, Gyeongbuk province were considered to be the most appropriate in 130 kg/ha and 50 kg of N/ha, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제36권2호
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• pp.99-108
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• 2023

Currently, semiconductor manufacturing industry heavily relies on a wide range of high global warming potential (GWP) gases, particularly during etching and cleaning processes, and their use and relevant carbon emissions are subject to global rules and regulations for achieving carbon neutrality by 2050. To replace high GWP gases in near future, dry etching using alternative low GWP gases is thus being under intense investigations. In this review, we report a current status and recent progress of the relevant research activities on dry etching processes using a low GWP gas. First, we review the concept of GWP itself and then introduce the difference between high and low GWP gases. Although most of the studies have concentrated on potentially replaceable additive gases such as C₄F₈, an ultimate solution with a lower GWP for main etching gases including CF₄ should be developed; therefore, we provide our own perspective in this regard. Finally, we summarize the advanced dry etch process research with low GWP gases and list up several issues to be considered in future research.