• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권8호
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• pp.637-640
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• 2009

In this work, we demonstrate 800 V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to obtain a low threshold voltage ($V_{TH}$) and a high figure of merit ($V_B\;^2/R_{SP,ON}$), To optimize the device performance, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. These parameters are optimized using 2D numerical simulation and the 4H-SiC DMOSFET structure results in a threshold voltage ($V_{TH}$) below $^{\sim}$3.8 V, and high figure of merit ($V_B\;^2/R_{SP,ON}$>$^{\sim}$200 $MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B\;^{\sim}$800 V range.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제21권1호
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• pp.59-64
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• 1998

[ $CaSO_4$ ] thermoluminescent phosphors was made by sintring the $CaSO_4$ after doping the transition elements Tm, Pd, Dy, V, Mo, Zr. The maximum Peaks are found in the measured $CaSO_4$(Tm, Pd, Dy, V, Mo, Zr) TL glow curve at $130^{\circ}C,\;110^{\circ}C,\;140^{\circ}C,\;100^{\circ}C$, and $120^{\circ}C$ when the heating rate is $5^{\circ}C/sec$. The activation energy of the main peak has been estimated by the peak shape method. The estimated activation energies are 1.02eV, 1.32eV, 1.12eV, 0.80eV, and 1.17eV, respectively. The thermoluminescence process in $CaSO_4$(Tm, Pd, Dy, V, Mo, Zr)are found to the 2nd order when the main peak of the glow curve is analyzed by peak shape method. The dose responses of $CaSO_4$(Tm, Pd, Dy, V, Mo, Zr) phosphors are linear within $4{\times}10^{-4}{\sim}1Gy$ of X-rays.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.192-194
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• 2004

At present, application of PSS/E input data for power flow , stability and fault analysis consist of only 154kV and over data(except 22.9kV data). 22.9kV(5.C) Static Condenser is in operation and installation at 22.9kV Bus of 154kV Substation. however, we assume that 22.9kV 5.C install at 154kV Bus. so, we need to study and search about critical limit for 154kV Bus standard operating Voltage according to 22.9kV 5.C Modeling Site by PSS/E Ver28

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송∙미디어공학회 2022년도 하계학술대회
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• pp.836-838
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• 2022

3D Point Cloud는 3D 콘텐츠를 더욱 실감 나게 표현하기 위한 데이터 포맷이다. Point Cloud 데이터는 3차원 공간상에 존재하는 데이터로 기존의 2D 영상에 비해 거대한 용량을 가지고 있다. 최근 대용량 Point Cloud의 3D 데이터를 압축하기 위해 V-PCC(Video-based Point Cloud Compression)와 같은 다양한 방법이 제시되고 있다. 따라서 Point Cloud 데이터의 원활한 전송 및 저장을 위해서는 V-PCC와 같은 압축 기술이 요구된다. V-PCC는 Point Cloud의 데이터들을 Patch로써 뜯어내고 2D에 Projection 시켜 3D의 영상을 2D 형식으로 변환하고 2D로 변환된 Point Cloud 영상을 기존의 2D 압축 코덱을 활용하여 압축하는 기술이다. 이 V-PCC로 변환된 2D 영상은 기존 2D 영상을 전송하는 방식을 활용하여 네트워크 기반 전송이 가능하다. 본 논문에서는 V-PCC 방식으로 압축한 V3C 데이터를 방송망으로 전송 및 소비하기 위해 MPEG Media Transport(MMT) Packet을 만드는 패킷화 방안을 제안한다. 또한 Server와 Client에서 주고받은 V3C(Visual Volumetric Video Coding) 데이터의 비트스트림을 비교하여 검증한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.224.2-224.2
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• 2013

본 연구에서는 CIGS박막 태양전지의 온도 및 시간 인가에 따른 전기적 특성 변화를 분석하였다. 실험에서는 온도 스트레스를 $25^{\circ}C$, $50^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C$에서 각각 10시간씩 인가한 후에 Dark I-V와 C-V측정을 통해 전기적 특성 변화를 분석하였다. $25^{\circ}C$일 때를 초기 온도로 하여 특성을 측정한 것과 온도별로 노출시킨 후에 측정한 것을 비교했을 때 소자의 효율은 $100^{\circ}C$에서 감소하기 시작하였고, 인가한 온도가 높을수록 점점 많이 감소하는 모습이 나타났다. 이와 비슷하게 I-V그래프와 C-V그래프의 모습도 초기 값과 비교해서 변화하는 모습이 나타났고, 온도가 높아질수록 점점 변화하는 양이 증가하였다. I-V그래프에서 Diode ideality factor는 온도변화에 따라 초기 값 대비 증가하는 모습이 나타났다. 온도에 노출되기 전보다 노출된 후에 current와 capacitance가 감소하는 경향을 보이는데, 이는 온도의 영향으로 인해 소자의 결함이 증가하여 전하들의 반응에 영향을 주었기 때문으로 판단된다.

• 한국잠사곤충학회지
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• 제25권1호
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• pp.44-50
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• 1983

現 生絲檢査規則 中 纖度偏差檢査項目에 관하여 檢討한 結果 약간의 矛盾點을 發見하였으므로 이를 지적하고 그 改善策을 設定하였다. 1. 現 纖度偏差檢査는 平均纖度가 50~69 denier에 標準偏差는 5.80以下, 4.61 以上일 때 A格으로 定하고 있으나 平均纖度 50 denier인 경우의 標準偏差 5.80과 平均纖度 69 denier인 경우의 標準差 5.80과는 同一分布라 할 수 없다. 2. C.V로 換算하여 볼 때 2A格의 C.V가 A格의 C.V보다 작아야 하는데 現 纖度檢査規定은 70denier 의 1A格의 C.V換算値는 9.00이며, 69denier의 A格의 C.V換算値는 8.41로서의 70denier 2A格이 69denier의 A格보다 變異의 分散이 크게 나타나는 矛盾點을 보였다. 3. 生絲의 纖度偏差檢査數値도 平均値가 다른 Sample끼리의 優劣을 나타내는 數値이며 이 數値로서 等級을 決定하기 때문에 標準偏差에 의하여 檢査할 것이 아니라 C. V에 의하여 檢査하여야 한다. 4. 33 denier 以上의 生絲에서 각 等級別로 볼 때 6A格에서 下位格으로 감에 따라 變異폭(變異係數)을 약간씩 크게 하였으나 곳에 따라 一貫性을 잃고 있으며 그리고 同一等級에서 纖度變化에 따른 變異係數數値의 變化도 같은 경향이므로 等級間 및 纖度間의 數値調整을 要한다. 5. 34 denier 以上에서는 標準偏差數 値를 代入하기 때문에 同一等級에서 平均纖度가 굵어짐에 따라 標準偏差數値를 크게 하였으나 C. V로 換算하여 보면 大同小異하므로 纖度變化에 따른 C. V數値를 달리 할 필요가 없다. 6. 以上의 1.2.3.4.5項의 矛盾點을 是正하기 위하여 是正하기 위하여 C.V에 의한 檢査方式을 導入하고 33denier 以上에서 각 纖度間과 각 等級間의 均衡을 바로 잡으며 또 34 denier 以上에서 각 等級間의 間隔을 바로 잡기 위하여 曲線回歸公式을 導入하여 調整할 必要가 있다. 7. 生絲檢査에서 纖度偏差檢査表를 다음과 같이 改正實施함이 보다 妥當하다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제17권4호
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• pp.563-570
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• 2010

본 연구는 여름철에 집중 생산되는 오디를 이용하여 오디와인을 개발하고자 하였다. 발효 종료시점 오디과즙의 pH는 3.2~3.6, 총산 함량은 0.40~0.53%, 당도는 발효 6일째 $9.5{\sim}14.5^{\circ}brix$로 급격히 감소하였으며 이후에도 지속적으로 감소하여 발효 36일 이후에는 $3^{\circ}brix$ 부근에서 더 이상의 당 소모는 없었다. 알콜 함량은 발효 6일째 급격히 증가하여 $16^{\circ}C$와 $18^{\circ}C$는 4.5%, $20^{\circ}C$는 6.5%, $25^{\circ}C$는 8.0%로 배양온도가 높을수록 증가하여 48일째 10.5~11.5%로 측정되었다. 오디와인은 citric acid, malic acid, oxalic acid가 검출되었으며, citric acid와 oxalic acid는 발효 후 감소하였으며, malic acid는 증가하였다. 당의 종류로는 fructose, glucose, maltose, sucrose가 확인되었으며, 오디 발효에서 가장 많이 이용된 당은 glucose와 maltose 이었다. 알콜 생성량이 가장 높은 조건은 $20^{\circ}C$와 $25^{\circ}C$이었으며, 두 온도간에는 유의적인 차이는 없었다. 전자공여능은 40%(v/v) 농도에서 오디와인은 90% 이상의 높은 활성을 나타내었다. SOD 유사활성은 100%(v/v) 농도에서 오디과즙, 오디와인이 각각 80.1% 및 72.1%이었다. 아질산염 소거능은 100%(v/v) 농도에서 오디과즙과 오디와인은 각각 86.2%, 85.2%의 소거능을 보였다. 오디와인 보다 오디과즙이 더 높은 활성을 나타내었으며, 발효 후에 기능성이 증가하지는 않았지만 비슷한 수준으로 유지됨을 볼 수 있었다. 관능평가에서 전체적인 밸런스는 오디와인이 5.00로 보통 이상으로 평가되어 오디를 이용한 발효주의 산업 가능성을 확인할 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.181-191
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• 2000

본 논문에서는 증식형 MOS 트랜지스터와 저항만을 사용하여 기준전압을 발생하기 위한 두 가지 방법을 제안하였다. 첫 번째 방법은 문턱전압에 비례하는 전압성분과 열전압에 비례하는 전압성분을 합하여 온도보상을 하는 전압모드 방식이고, 두 번째는 문턱전압에 비례하는 전류성분과 열전압에 비례하는 전류성분을 합하여 온도보상을 하는 전류모드 방식이다. 설계된 회로들을 $0.65{\mu}m$ n-well CMOS 공정 페러미터를 사용하여 HSPICE 모의실험한 결과, 전압모드 회로의 경우 공급전압에 대한 변화율은 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.21%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $48.0ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 전류모드 회로의 경우는 공급전압에 대한 변화율이 $-30^{\circ}C{\sim}130^{\circ}C$의 온도범위에서 0.08%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $4V{\sim}12V$의 공급전압 범위에서 $38.2ppm/^{\circ}C$ 이하이다. 또한 전력소모는 5V, $30^{\circ}C$일 때 전압모드 경우와 전류모드 경우 각각 $27{\mu}W$와 $65{\mu}W$로 저전력 특성을 보인다. 제작된 전압모드 기준전압 발생회로를 측정한 결과, 공급전압에 대한 변화율은 $30^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 온도범위에서 0.63%/V 이하이고, 온도에 대한 변화율은 $3.0{\sim}6.0V$의 공급전압 범위에서 $490ppm/^{\circ}C$ 보다 작다. 제안된 회로들은 구조가 간단하기 때문에 설계가 용이하고, 특히 전류모드의 경우 넓은 범위의 기준전압 발생이 가능하다는 장점을 갖는다.

• 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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• 한국방송∙미디어공학회 2020년도 추계학술대회
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• pp.166-168
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• 2020

MPEG 비디오 그룹은 MPEG-I 표준의 일부로 포인트 클라우드(Point Cloud) 압축을 위한 비디오 기반 포인트 클라우드 부호화(V-PCC)와 몰입형(immersive) 비디오 압축을 위한 MPEG Immersive Video(MIV) 표준을 개발하고 있다. 최근에는 포인트 클라우드 및 몰입형 비디오와 같은 체적형(volumetric) 비디오를 모두 압축할 수 있도록 V-PCC 와 MIV 를 통합한 V3C(Visual Volumetric Video-based Coding) 표준화를 진행하고 있다. 본 논문에서는 V3C 코덱을 사용한 3DoF+(3 Degree of Freedom plus) 비디오 부호화 방안을 분석한다. 또한 V3C 코덱의 2D 코덱으로 기존 HEVC 대신 VVC 를 사용할 경우의 부호화 성능 향상을 분석한다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.229-232
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• 2001

Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 절과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8V의 pinch off 전압과 V/sub GS=0V, V/sub DS=25V에서 I/sub DSS=270㎃/㎜, G/sub m=45㎳/㎜를 얻을 수 있었고, 진력 특성 시뮬레이션을 통해 2㎓, V/sub GS=-4V, V/sub DS=25V에서 1()dB의 Gain과 34dBm(1dB compression point)의 출력전력, 7.6W/㎜의 전력밀도, 37%의 PAE(power added efficiency)를 얻을 수 있었다.