• 제목/요약/키워드: C.O.V.

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Sol-gel 법으로 제조된 강유전체 Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 박막의 저온결정화 공정 (Low Temperature Sintering Process of Sol-gel Derived Ferroelectric Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 Thin films)

  • 김영준;김병호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권3호
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    • pp.279-285
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    • 2003
  • Sol-gel 법으로 200 nm 정도의 두께를 가진 강유전성 S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$ N $b_{0.2}$ 박막을 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판 위에 증착하였다. 본 실험에서는 Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ 그리고, Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$를 출발 물질로 사용하였으며 2-methoxyethanol을 용매로 사용하였다. UV 노광과 급속열처리가 SBTN 박막의 구조와 전기적 특성에 어떤 영향을 주는 가를 연구하였다. UV 노광과 급속열처리를 한 후에 $650^{\circ}C$ 열처리한 SBTN 박막의 3V와 5V 인가 전압하에서의 잔류분극 값은 각각 8.49와 11.94 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.

소결 조건에 따른 ZnO 바리스터의 미세구조 및 전기적 특성 (Electrical and Microstructure Properties on Sintering Conditions of ZnO Varistor)

  • 윤중락;정태석;이헌용;이석원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제19권7호
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    • pp.662-666
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    • 2006
  • Microstructure and electrical properties of ZnO varistors as a function of sintering temperature and times were investigated. Sintering temperature and times greatly affected electrical properties and Bi-rich liquid phase of the microstructure. The varistor which were sintered at $1125^{\circ}C\sim1150^{\circ}C$, for 2 hr exhibited the varistor voltage$(V_c)$, nonlinear coefficient $(V_{10mA}/V_{1mA})$, leakage current$(I_L)$ dielectric constant and dissipation factor as $225\sim250V/mm,\;0.89\sim0.92,\;0.8\sim1.1{\mu}A,\;720\sim740\;and\;1.8\sim2.0%$, respectively.

비파괴 판독형 메모리 소자를 위한 저유전율 강유전체 $YMnO_3$박막의 특성 연구 (Characteristics of ferroelectric $YMnO_3$ thin film with low dielectric constant for NDRO FRAM)

  • 김익수;최훈상;최인훈
    • 한국진공학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.258-262
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    • 2000
  • $YMnO_3$박막은 고주파 스퍼터를 사용하여 Si(100)과 $Y_2O_3$/si(100)기판에 증착하였다. 증착시에 산소 분압의 조건과 열처리 온도는 YMnO$_3$ 박막의 결정성과 그 메모리 윈도우의 특성에 매우 중요한 영향을 주었다. XRD 측정 결과 산소 분압 0%에서 증착후 $870^{\circ}C$에서 1시간 동안 후열처리한 $YMnO_3$ 박막은 c-축을 따라 매우 잘 배향되었음을 확인하였다. 반면 산소분압 20%에서 Si(100)과 $Y_2O_3$/Si(100) 기판위에 증착된 $YMnO_3$박막의 결정화는 XRD측정 결과 $Y_2$O$_3$ peak가 보이는 것으로 보아 YMnO$_3$박막내에 과잉의 $Y_2O_3$가 c-축으로의 배향을 억제하는 것을 알 수 있다. 특히 산소분압 0%에서 증착한 Pt/$YMnO_3/Y_2O_3$/Si 구조에서의 메모리 윈도우 특성은 c-축으로 잘 배향된 결과로 인해 인가전압 2~12V에서 0.67-3.65V이었으며 이는 $Y_2O_3$/si 기판위에 산소분압 20%에서 증착한 박막 (0.19~1.21V)보다 동일한 인가전압에서 3배 정도의 큰 메모리 윈도우 특성을 보였다.

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$Pr_6O_{11}$계 ZnO 바리스터의 DC 가속열화특성 (DC Accelerated Aging Characteristics of $Pr_6O_{11}$ ZnO Varistors)

  • 남춘우;류정선;김향숙;정영철
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제14권10호
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    • pp.808-814
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    • 2001
  • The electrical properties and stabiltiy of Pr$_{6}$O$_{11}$ -based ZnO varistors, which are composed of ZnO-Pr$_{6}$O$_{11}$-Cr$_{2}$O$_{3}$-Er$_{2}$O$_{3}$ based ceramics, were investigated in the Er$_{2}$O$_{3}$ content range of 0.5 to 2.0 mol%. As Er$_{2}$O$_{3}$content is increased up to approximaterly 1.0mol%, the nonlinearity was decreased. Increasing Er$_{2}$O$_{3}$ content further caused the nonlinearity to increase. The varistors with 2.0 mol% Er$_{2}$O$_{3}$ exhibited a high nonlinearity, in which the nonlinear exponent is 47.41 and the leakage current is 1.82 $\mu$A. Furthermore, they showed a very excellent stability, in which the variation rates of the varistor voltage, the nonlinear exponent, and leakage current are -0.52%, -4.09%, and 152.75%, respectively, under DC accelerated aging stress, such as (0.80 V$_{1mA}$9$0^{\circ}C$/12h)+(0.85 V$_{1mA}$115$^{\circ}C$/12h)+(0.90 V$_{1mA}$12$0^{\circ}C$/12h)+(0.95 V$_{1mA}$1$25^{\circ}C$/12h)+(0.95 V$_{1mA}$1$25^{\circ}C$/12h).2h).TEX>/12h).2h).

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RF 마그네트론 스퍼터링에 의해 저온 증착한 $SrTiO_3$ 박막의 전기적 특성 (Electrical properties of $SrTiO_3$ thin films deposited at low temperatures by RF magnetron sputtering)

  • 김동식;이재신
    • 한국진공학회지
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    • 제5권4호
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    • pp.359-364
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    • 1996
  • Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 r.f. 마그네트론 스퍼터링 방법으로 $300^{\circ}C$이하의 저온에서 SrTiO3 박막을 증착하였다. XRD, RBS, TEM, EPMA로 증착된 박막의 재료적 특성을 분석하였고, Al/$SrTiO_3$/Pt의 구조로 커패시터를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 기판온도가 증가함에 따라 박막의 결정성과 유전율이 향상되었으나, $200^{\circ}C$이하의 기판온도에서는 Sr이 결핍된 조성을 갖게 되어 증착된 박막이 반도성을 나타내었다. 증착중에 기판에 양의 d.c. 전압을 10~30V 인가함으로써 박막의 결정성이 크게 향상되었고, 유전특성도 개선되었다. $300^{\circ}C$의 기판온도에서 20V의 d.c. bias를 인가하여 증착한 400nm 두께의 $SrTiO_3$ 박막은 <211> 우선방향성을 갖는 주상정 구조와 화학양론적인 조성을 나타내었고, 본 연구에서 가장 우수한 전기적 특성을 보였다. 100 kHz에서 유전율이 98, 유전손실이 3.4%였으며, 3V에서 누설전류는 $10^{-5}A/\textrm{cm}^2$였다.

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소결온도에 따른 YIG 페라이트의 자기적 특성 (Magnetic Characteristics of YIG ferrites with Sintering Temperature)

  • 양승진;윤종남;최우석;김정식
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.65-69
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    • 2003
  • 소결온도에 따른 아이솔레이터/서클레이터용 (Y, Ca)-(Fe, V, In, Al)-O 계 YIG 페라이트의 미세구조와 전자기적 특성을 고찰하였다. $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$ 조성의 시편들을 일반적인 세라믹 제조 공정에 따라 $1300^{\circ}C$, $1330^{\circ}C$, $1350^{\circ}C$, $1370^{\circ}C$에서 각각 소결하였다. 소결체는 XRD를 이용하여 상분석을 실시하였고, SEM을 이용하여 미세구조를 관찰하였다. VSM을 이용하여 포화자화값$(4{\pi}M_s)$을 측정하였으며, FMR(Ferromagnetic Resonance)실험으로 자기공명반치폭$({\Delta}H)$을 측정하였다. YIG 페라이트의 마이크로파 특성은 Network Analyzer를 이용하여 측정하였다. $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$ 조성의 YIG 페라이트는 $1350^{\circ}C$에서 소결시 가장 높은 밀도값과 포화 자화$(4{\pi}M_s)$ 값을 나타내었고, 가장 낮은 자기 공명 반치폭$({\Delta}H)$ 값을 나타내었다.

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상보형 전기변색소자용 $V_2O_5$박막의 대향전극 특성 (Characterization of $V_2O_5$ thin films as a counter electrode for complementary electrochromic devices)

  • 조봉희;김영호
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제9권7호
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    • pp.690-695
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    • 1996
  • We have systematically investigated the characterization of V$_{2}$O$_{5}$ thin films as a counter electrode for lithium based complementary electrochromic devices. The V$_{2}$O$_{5}$ thin films were prepared by thermal vacuum evaporation with varing the substrate temperature and film thickness. In electrochromic devices for smart windows, the WO$_{3}$ thin films with 400-800 nm thickness require to be capable of reversibly injection 10-15 mC/cm$^{2}$ of lithium, which is readily accomplished charge-balanced switching in a V$_{2}$O$_{5}$ thin films with 100-150nm thick. The V$_{2}$O$_{5}$ thin films produces considerably small changes in optical modulation properties in the visible and near infrared region(500-1100 nm) compared to the amorphous WO$_{3}$ thin films on 10-15 mC/cm$^{2}$ of lithium injection and the V$_{2}$O$_{5}$ thin films can therefore act as a counter electrode to WO$_{3}$ in a lithium based complementary clectrochromic devices. After 10$^{5}$ coloration/bleaching switching time, the degradation does not occurs and the devices exhibit a stable optical modulation in V$_{2}$O$_{5}$ thin films. It has shown that the injected lithium ion amounts in crystalline V$_{2}$O$_{5}$ thin films with the same thickness is large by 3-5 mC/cm$^{2}$ of lithium compared to the amorphous thin films in the same driving conditions. Therefore, to optimize the device performance, it is necessary to choose an appropriate film thickness and crystallinity of V$_{2}$O$_{5}$ for amorphous WO$_{3}$ film thickness as a working electrode.

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투과전자현미경에 의한 $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ 화합물의 결정구조 분석 (Structural characterization of $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ compounds by transmission electron microscoy)

  • 김좌연;윤의중;박경순;심규환;류선윤;김유혁
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.567-572
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    • 1998
  • 아크 용융을 사용하여 예비 건조된$La_2O_3,\;V_2O_3,\;TiO_2$,Ti의 혼합물로부터 제조된$LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ 고용체의 결정구조를 투과전자현미경과 컴퓨터 이미지 시뮬레이션을 이용하여 연구하였다. 컴퓨터 이미지 시뮬레이션은 multislice 방법으로 여러 시편 두께와 초점 거리에서 실시하였다. $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$ 의 결정구조는 Pnma 공간군을 가진 GdFeO3 형태의 사방정계$(a\approx5.58{\AA},\;b\approx7.89{\AA},\;and\;c\approx5.58{\AA})$로 결정되었다. $LaTi_{0.8}V_{0.2}O_3$에서 Ti와 V 원자의 규칙화에 대한 증거를 찾아 볼 수 없었다.

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Changes of Cerebral Metabolism and the Related Factors during Cardiac Surgery

  • Park, Seok-Cheol
    • 대한의생명과학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.143-154
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    • 2002
  • The effect of cardiopulmonary bypass (CPB) on cerebral physiology during heart surgery remains incompletely understood. This study was carried out to investigate changes of cerebral metabolism and the association between the changes and clinical factors during heart surgery. Seventy adult patients (n=70) scheduled for elective cardiac surgery were participated in the present study. Middle cerebral artery blood flow velocity (V$_{MCA}$), cerebral arteriovenous oxygen content difference (C(a-v)O$_2$), cerebral oxygen extraction (COE), and modified cerebral metabolic rate for oxygen (MCMRO$_2$) were measured during six phases of the operation; Pre-CPB, CPB-10 min, Rewarm-1 (nasopharyngeal temperature 34$^{\circ}C$), Rewarm-2 (nasopharyngeal temperature 37$^{\circ}C$), CPB-off, and Post-OP (at skin closure after CPB-off). Each relationship of age, arterial blood gas parameters, or other variables to V$_{MCA}2$, C(a-v)O$_2$, COE, or MCMRO$_2$ was evaluated. V$_{MCA}$ increased (P<0.0001) whereas C(a-v)O$_2$ decreased (P<0.01) throughout the five phases of the operation compared to Pre-CPB value (control). COE diminished at CPB-10, Rewarm-1, and CPB-off (P<0.05) while MCMRO$_2$ reduced at CPB-10 and Rewarm-1 (P<0.05) compared to Pre-CPB value. Positive correlation was found between age and cerebral metabolic parameters (V$_{MCA}$, C(a-v)O$_2$, COE, or MCMRO$_2$) during CPB (range r=0.24 to 0.38, p<0.05). Four cerebral metabolic parameters had partially negative or positive correlation with arterial blood gas parameters and other variables (arterial blood pH, $O_2$ tension, $O_2$ content, $CO_2$ tension, blood pressure, blood flow, temperature, or hematocrit) during the operation. In conclusion, CPB led to marked alterations of cerebral metabolism and age, pH, and $CO_2$ tension profoundly influenced the changes during cardiac surgery.

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NO REDUCTION PROPERTY OF Pt-V2O5-WO3/TiO2 CATALYST SUPPORTED ON PRD-66 CERAMIC FILTER

  • Kim, Young-Ae;Choi, Joo-Hong;Bak, Young-Cheol
    • Environmental Engineering Research
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    • 제10권5호
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    • pp.239-246
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    • 2005
  • The effect of Pt addition over $V_2O_5-WO_3/TiO_2$ catalyst supported on PRO-66 was investigated for NO reduction in order to develop the catalytic filter working at low temperature. Catalytic filters, $Pt-V_2O_5-WO_3/TiO_2/PRD$, were prepared by co-impregnation of Pt, V, and W precursors on $TiO_2$-coated ceramic filter named PRD (PRD-66). Titania was coated onto the pore surface of the ceramic filter using a vacuum aided-dip coating method. The Pt-loaded catalytic filter shifted the optimum working temperature from $260-320^{\circ}C$(for the catalytic filter without Pt addition) to $190-240^{\circ}C$, reducing 700 ppm NO to achieve the $N_x$ slip concentration($N_x\;=\;NO+N_2O+NO_2+NH_3$) less than 20 ppm at the face velocity of 2 cm/s. $Pt-V_2O_5-WO_3/TiO_2$ supported on PRD showed the similar catalytic activity for NO reduction with that supported on SiC filter as reported in a previous study, which implies the ceramic filter itself has no considerable interaction for the catalytic activity.