Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.118-118
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2011
The Nano-Floating Gate Memory(NFGM) devices with ZnO:Cu thin film embedded in Al2O3 and AlOx-SAOL were fabricated and the electrical characteristics were evaluated. To further improve the scaling and to increase the program/erase speed, the high-k dielectric with a large barrier height such as Al2O3 can also act alternatively as a blocking layer for high-speed flash memory device application. The Al2O3 layer and AlOx-SAOL were deposited by MLD system and ZnO:Cu films were deposited by ALD system. The tunneling layer which is consisted of AlOx-SAOL were sequentially deposited at $100^{\circ}C$. The floating gate is consisted of ZnO films, which are doped with copper. The floating gate of ZnO:Cu films was used for charge trap. The same as tunneling layer, floating gate were sequentially deposited at $100^{\circ}C$. By using ALD process, we could control the proportion of Cu doping in charge trap layer and observe the memory characteristic of Cu doping ratio. Also, we could control and observe the memory property which is followed by tunneling layer thickness. The thickness of ZnO:Cu films was measured by Transmission Electron Microscopy. XPS analysis was performed to determine the composition of the ZnO:Cu film deposited by ALD process. A significant threshold voltage shift of fabricated floating gate memory devices was obtained due to the charging effects of ZnO:Cu films and the memory windows was about 13V. The feasibility of ZnO:Cu films deposited between Al2O3 and AlOx-SAOL for NFGM device application was also showed. We applied our ZnO:Cu memory to thin film transistor and evaluate the electrical property. The structure of our memory thin film transistor is consisted of all organic-inorganic hybrid structure. Then, we expect that our film could be applied to high-performance flexible device.----못찾겠음......
A two-dimensional (2D) reservoir hydrodynamics and water quality model, CE-QUAL-W2, is employed to simulate the hydrothermal behavior and density current regime in Andong Reservoir. Observed data used for model forcing and calibration includes: surface water level, water temperature, dissolved oxygen and suspended solids concentration. The model was calibrated to the year of 2003 and verified with continuous run from 2000 till 2004. Without major adjustments, the model accurately simulated surface water levels including the events of large storm. Deep-water reservoirs, like Andong Reservoir, located in the Asian Monsoon region begin to stratify in summer and overturn in fall. This mixing pattern as well as the descending thermocline, onset and duration of stratification and timing of turnover phenomenon were well reproduced by the Andong Model. The temperature field and distinct thermocline are simulated to within $2^{\circ}C$ of observed data. The model performed well in simulating not only the dissolved oxygen profiles but also the metalimnetic dissolved minima phenomenon, a common1y occurring phenomenon in deep reservoirs of temperate regions. The Root Mean Square Error (RMSE) values of model calibration for surface water elevation, temperature and dissolved oxygen were 0.0095 m, $1.82^{\circ}C$, and $1.13\;mg\;L^{-1}$, respectively. The turbid storm runoff, during the summer monsoon, formed an intermediate layer of about 15 m thickness, moved along the metalimnion until being finally discharged from the dam. This mode of transport of density current, a common characteristic of various other large reservoirs in the Asian summer monsoon region, was well tracked by the model.
Do Kwan Woo;Kim Kyoung Min;Yang Chung Mo;Park Seong Guen;Na Kyoung Il;Lee Jung Hee;Lee Jong Hyun
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.4
no.2
s.11
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pp.39-43
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2005
In the study, in order to deposit TaN thin film for diffusion barrier and bottom electrode we made the Plasma Assisted ALD equipment and confirmed the electrical characteristics of TaN thin films grown PAALD method. Plasma Assisted ALD equipment depositing TaN thin film using PEMAT(pentakis(ethylmethlyamino) tantalum) precursor and NH3 reaction gas is shown that TaN thin film deposited high density and amorphous phase with XRD measurement. The degree of diffusion and reaction taking place in Cu/TaN (deposited using 150W PAALD)/$SiO_{2}$/Si systems with increasing annealing temperature was estimated for MOS capacitor property and the $SiO_{2}$, (600${\AA}$)/Si system surface analysis by C-V measurement and secondary ion material spectrometer (SIMS) after Cu/TaN/$SiO_{2}$ (400 ${\AA}$) layer etching. TaN thin film deposited PAALD method diffusion barrier have a good diffusion barrier property up to 500$^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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1997.04a
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pp.34-34
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1997
The effect of alloying mode and porosity on the axial tension-tension fatigue behavior of a P/M steel of nominal composition Fe-4w/o Ni-1.5w/o Cu-O.5w/o Mo-O.5w/o C has been evaluated. Alloying modes utilized were elemental powder mixing, partial alloying(distaloy) and prealloying by water atomization; in each case the carbon was introduced as graphite prior to sintering. Powder compacts were sintered($1120{\circ}C$/30 min.) in 7Sv/o $H_2$/25v/o $N_2$ to densities in the range 6.77-7.2 g/$cm^3$. The dependence of fatigue limit response on alloying mode and porosity was interpreted in terms of the constituent phases and the pore and fracture morphologies associated with the three alloying modes. For the same nominal composition, the three alloying modes resulted in different sintered microstructures. In the elemental mix alloy and the distaloy, the major constituent was coarse and fine pearlite, with regions of Ni-rich ferrite, Ni-rich martensite and Ni-rich areas. In contrast, the prealloy consisted primarily of martensite by with some Ni-rich areas. From an examination of the fracture surfaces following fatigue testing it was concluded that essentially all of the fracture surfaces exhibited dimpled rupture, characteristic of tensile overload. Thus, the extent of growth of any fatigue cracks prior to overload was small. The stress amplitude for the three alloying modes at 2x$l0^6$ was used for the comparison of fatigue strengths. For load cycles <3x$l0^5$, the prealloy exhibited optimum fatigue response followed by the distaloy and elemental mix alloy, respectively. At load cycles >2x$l0^6$, similar fatigue limits were exhibited by the three alloys. It was concluded that fatigue cracks propagate primarily through pores, rather than through the constituent phases of the microstructure. A decrease in pore SIze improved the S-N behavior of the sintered steel.
Kim, Jeong-Mi;Jeon, Su-Dong;Back, Geum-Mun;Jo, Young-Pil;Yun, Hwa-Ryong;Kwon, Kyung-Tae
The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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v.22
no.2
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pp.123-129
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2010
Purpose: The purpose of this study was to evaluate dosimetric characteristics of Optically stimulated luminescent dosimeters (OSLD) for dosimetry Materials and Methods: InLight/OSL $NanoDot^{TM}$ dosimeters was used including $Inlight^{TM}MicroStar$ Reader, Solid Water Phantom, and Linear accelerator ($TRYLOGY^{(R)}$) OSLDs were placed at a Dmax in a solid water phantom and were irradiated with 100 cGy of 6 MV X-rays. Most irradiations were carried out using an SSD set up 100 cm, $10{\times}10\;cm^2$ field and 300 MU/min. The time dependence were measured at 10 minute intervals. The dose dependence were measured from 50 cGy to 600 cGy. The energy dependence was measured for nominal photon beam energies of 6, 15 MV and electron beam energies of 4-20 MeV. The dose rate dependence were also measured for dose rates of 100-1,000 MU/min. Finally, the PDD was measured by OSLDs and Ion-chamber. Results: The reproducibility of OSLD according to the Time flow was evaluated within ${\pm}2.5%$. The result of Linearity of OSLD, the dose was increased linearly up to about the 300 cGy and increased supralinearly above the 300 cGy. Energy and dose rate dependence of the response of OSL detectors were evaluated within ${\pm}2%$ and ${\pm}3%$. $PDD_{10}$ and PDD20 which were measured by OSLD was 66.7%, 38.4% and $PDD_{10}$ and $PDD_{20}$ which were measured by Ion-chamber was 66.6%, 38.3% Conclusion: As a result of analyzing characteration of OSLD, OSLD was evaluated within ${\pm}3%$ according to the change of the time, enregy and dose rate. The $PDD_{10}$ and $PDD_{20}$ are measured by OSLD and ion-chamber were evaluated within 0.3%. The OSL response is linear with a dose in the range 50~300 cGy. It was possible to repeat measurement many times and progress of the measurement of reading is easy. So the stability of the system and linear dose response relationship make it a good for dosimetry.
$BaTiO_3$-based ceramics with partially oxidized Ti powders were prepared by sintering at $1350^{\circ}C$ for 1 h in v vacuum, and then heated in air. In this study, the effect of partially oxidized Ti powders on electrical properties and microstructures of $BaTiO_3$-based ceramics was investigated. It was found out that the semiconductive $BaTiO_3$-based ceramics beζame to show excellent PTCR (more than $10^5$) characteristic by adding 5~7 vol% of partially oxidized Ti powder. Also, it was found out that the sintered compact had extremely porous and fine-grained microstructure. The relative density and grain size of sintered compact with 5 vol% of partially oxidized Ti powders were 54% and $1.3\;{\mu\textrm{m}}$, respectively. The mechanism for the development of PTCR characteristic in $BaTiO_3$-based ceramics with partially oxidized Ti powders due to the adsorption of oxygen at grain boundaries, and could be explained, based on Heywang model.
Objective : The meridian theory in oriental medicine explains that each acu-point has a characteristic functional effect. It will be supposed that an acupuncture stimulation on different acu-point evokes different activation on different areas in the central nervous system(CNS) according to the meridian theory. On this supposition, our group tried the semi-quantitative [14C]2-deoxyglucose([14C]2-DG) autoradiography on the acupuncture stimulation to the hindlimb acu-points of Sprague-Dawley rats. Methods : A venous catheter for the intravenous administration of isotope was equipped in the right external jugular vein on 3 days prior to the [14C]2-DG study. On the day of the study, two acupuncture needles were inserted into the ST36(Zusanli) or LR3(Taichong) on the left hindlimb. Electro-acupuncture stimulation (2 Hz, 5 ms, 1~3 mA, 15 minutes) started just before the i.v. injection of [14C]2-DG ($25{\mu}Ci/rat$). The brain and the spinal cord were removed and processed for the [14C] 2-DG autoradiography. Results : The EA stimulation on ST36 reveals over 120% metaboilc activation in Arcuate nucleus, Anterior pretectal nucleus, Dorsal cochlear nucleus, Interposed cerebellar nucleus, and Nucleus of Darkschewitsch. The EA stimulation on LR3 reveals over 120% metaboilc activation in Lateral habenula nucleus, Medial vestibular nucleus, Ventromedial thalamic nucleus, Anteroventral thalamic nucleus, Anterior cingulate cortex, Dentate gyrus, Antero cortical amygdaloid nucleus, Anterior pretectal nucleus, and Dorsal tegmental nucleus compared with the non EA stimulation control group. Conclusion : These results demonstrate that the different acu-points evoke the different activations in brain areas. And with this functional brain mapping study, a new scientific elucidation for the basis of the acupuncture-meridian theory in oriental medicine through differences of activated area in CNS according to the each acupuncture point.
The mechanical alloying (MA) effect in $\sigma$-VFe intermetallic compound was studied by neutron and X-ray diffraction. The structure of MA $\sigma$-VFe powders were characterized by the X- ray diffraction with Cu- $K\alpha$ radiation and neutron diffraction with monochromatic neutrons of $1.835\AA$ using a high resolution powder diffractometer (HRPD). Mechanical alloying of $\sigma$-VFe compound gives rise to a dramatic structural change. After 60 hours of MA, the Fe-Fe distribution of the $\sigma$- phase VFe tetragonal structure with 30 atoms in a unit cell is found to change into that of the $\sigma$-(V,Fe) solid solution with bcc structure, which is a stable phase at elevated temperature above $1200^{\circ}C$. A comparison of X-ray diffraction data for the $\alpha$-phase has been also made with the corresponding neutron diffraction data. The (101) and (111) diffraction peaks of the $\sigma$-phase was clearly observed only in neutron diffraction pattern, which is believed to be a characteristic feature due to the chemical atomic ordering of $\sigma$- VFe phase.
Diabetes mellitus (DM) is one of the main global health problems. Chronic exposure to hyperglycemia can lead to cellular dysfunction that may become irreversible over time, a process that is termed glucose toxicity. Our perspective about glucose toxicity as it pertains to the pancreatic β-cell is that the characteristic decreases in insulin secretion are caused by regulated apoptotic gene expression. In this study, we examined whether ferulic acid protects INS-1 pancreatic cells against high glucose-induced apoptosis. High glucose concentration (30 mM) induced glucotoxicity and death of INS-1 pancreatic β cells. However, treatment with 1, 5, 10, or 20 μM ferulic acid increased the cell viability in a concentration-dependent manner. Treatment with ferulic acid dose-dependently decreased the intracellular levels of reactive oxygen species, thiobarbituric acid reactive substances, and nitric oxide in INS-1 pancreatic β cells pretreated with high glucose. These effects influence the apoptotic pathway, increasing the expression of the anti-apoptotic protein Bcl-2 and reducing the levels of pro-apoptotic proteins, including Bax, cytochrome C, and caspase 9. Annexin V/propidium iodide staining indicated that ferulic acid significantly reduced high glucose-induced apoptosis. These results demonstrate that ferulic acid is a potential therapeutic agent to protect INS-1 pancreatic β cells against high glucose-induced apoptosis.
It is known that $MgAl_2O_4$ has higher resistance to moisture than MgO, in humid ambient MgO is chemically unstable. It reacts very easily with moisture in the air. In this study, the characteristic of $MgAl_2O_4$ and $MgAl_2O_4/MgO$ layers as dielectric protection layers for AC- PDP (Plasma Display Panel) have been investigated and analysed in comparison for conventional MgO layers. MgO and $MgAl_2O_4$ films both with a thickness of $1000\AA$ and $MgAl_2O_4/MgO$ film with a thickness of $200/800\AA$ were grown on the Cu substrates using the electron beam evaporation. $1000\AA$ thick aluminium layers were deposited on the protective layers in order to avoid the charging effect of $Ga^+$ ion beam while the focused ion beam(FIB) is being used. We obtained sputtering yieds for the MgO, $MgAl_2O_4$ and $MgAl_2O_4/MgO$ films using the FIB system. $MgAl_2O_4/MgO$ protective layers have been found th show $24{\sim}30%$ lower sputtering yield values from 0.244 up to 0.357 than MgO layers with the values from 0.364 up to 0.449 for irradiated $Ga^+$ ion beam with energies ranged from 10 kV to 14 kV. And $MgAl_2O_4$ layers have been found to show lowest sputtering yield values from 0.88 up to 0.109. Secondary electron emission coefficient(g) using the ${\gamma}$- FIB. $MgAl_2O_4/MgO$ and MgO have been found to have similar g values from 0.09 up to 0.12 for indicated $Ne^+$ ion with energies ranged from 50 V to 200 V. Observed images for the surfaces of MgO and $MgAl_2O_4/MgO$ protective layers, after discharge degradation process for 72 hours by SEM and AFM. It is found that $MgAl_2O_4/MgO$ protective layer has superior hardness and degradation resistance properties to MgO protective layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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