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Field Test of Optical Voltage and Current Meter (광 응용 전류 전압계의 현장실험)

  • Kim, K.C.;Song, J.T.;Song, W.S.;Kim, C.S.;Lee, K.C.;Lee, S.I.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1992.07b
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    • pp.794-798
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    • 1992

  • We present an optical Voltage and current sensor using $BSO(Bi_{12}SiO_{20})$ monocrystal. The voltage and current sensor consist of PBS(Polarizing Beam Splitter), 1/4 wavelength plate, ZnSe, Selfoc lens, LED, and PIN-PD etc. Magnetic core was made using permalloy for applying magnetic field to current sensor effectively. Current was measured from 100 to 1,600 ampere and accuracy was about ${\pm}$5%. The accuracy could be improved to ${\pm}$l% after reducing the nonlinear property of BSO crystal using our own program in PC (IBM286). We noticed that these data were not influenced by 154,000 voltage at all. Applied voltage was reduced to 1/20 using capacitors. And experiment was carried out up to 450V of the reduced voltage. The data fran optical voltage sensor was similar to that from conventional voltage sensor. The accuracy of the data was within about ${\pm}$1%.

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A Multivariate Decision Tree using Support Vector Machines (지지 벡터 머신을 이용한 다변수 결정 트리)

  • Kang, Sung-Gu;Lee, B.W.;Na, Y.C.;Jo, H.S.;Yoon, C.M.;Yang, Ji-Hoon
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2006.10b
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    • pp.278-283
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    • 2006

  • 결정 트리는 큰 가설 공간을 가지고 있어 유연하고 강인한 성능을 지닐 수 있다. 하지만 결정트리가 학습 데이터에 지나치게 적응되는 경향이 있다. 학습데이터에 과도하게 적응되는 경향을 없애기 위해 몇몇 가지치기 알고리즘이 개발되었다. 하지만, 데이터가 속성 축에 평행하지 않아서 오는 공간 낭비의 문제는 이러한 방법으로 해결할 수 없다. 따라서 본 논문에서는 다변수 노드를 사용한 선형 분류기를 이용하여 이러한 문제점을 해결하는 방법을 제시하였으며, 결정트리의 성능을 높이고자 지지 벡터 머신을 도입하였다(SVMDT). 본 논문에서 제시한 알고리즘은 세 가지 부분으로 이루어졌다. 첫째로, 각 노드에서 사용할 속성을 선택하는 부분과 둘째로, ID3를 이 목적에 맞게 바꾼 알고리즘과 마지막으로 기본적인 형태의 가지치기 알고리즘을 개발하였다. UCI 데이터 셋을 이용하여 OC1, C4.5, SVM과 비교한 결과, SVMDT는 개선된 결과를 보였다.

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Use of a Rapid Thermal Process Technique to study on the crystallization of amorphous Si films fabricated by PECVD (PECVD 방법으로 제조된 비정질 Si 박막의 RTP를 이용한 결정화 연구)

  • Sim, C.H.;Kim, H.N.;Kim, S.J.;Kim, J.W.;Kwon, J.Y.;Lee, H.Y.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07c
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    • pp.2052-2054
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    • 2005

  • TFT-LCD requires to use poly silicon for High resolution and High integration. Thin film make of Poly silicon on the excimer laser-induced crystallization of PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)-grown amorphous silicon. In the thin film hydrogen affects to a device performance from bad elements like eruption, void and etc. So dehydrogenation prior to laser exposure was necessary. In this study, use RTP(Rapid Thermal Process) at various temperature from $670^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$ and fabricate poly-silicon. it propose optimized RTP window to compare grain size to use poly silicon's SEM pictures and crystallization to analyze Raman curved lines.

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