Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.79-79
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2011
사파이어 기판에 성장된 ZnO 박막을 급속 열처리 하여 열처리 효과가 박막의 특성에 미치는 영향을 분석하였다. ZnO 박막은 RF 마그네트론 스퍼터 증착법으로 $500^{\circ}C$에서 성장하였고, 성장 된 시료를 산소 분위기에서 $600^{\circ}C{\sim}900^{\circ}C$로 온도 변화를 주어 3분 동안 열처리를 하였다. Hall 효과 분석에 의한 ZnO 박막의 전자 이동도 특성은 열처리 온도가 증가함에 따라 점차 증가하는 경향을 나타내어, $900^{\circ}C$ 열처리의 경우 23 $cm^2$/Vs의 가장 높은 값을 보였다. 한편 X-ray 회절 분광법에 의한 ZnO 박막의 (002) peak를 분석한 결과 열처리 온도가 증가함에 따라 peak의 세기는 증가하고 그 반치폭이 점차 감소함으로써 시료의 결정학적 특성이 향상됨을 확인 할 수 있었다. 이와 같이 열처리 온도에 따라 전기적 결정학적 특성이 향상되는 이유는 ZnO 박막에 존재하는 native defect들이 열적으로 passivation되고, 결정격자들의 배열이 열에너지에 의해 안정화 되면서 나타나는 현상으로 풀이 된다. 이와 함께 본 연구에서는 ZnO 박막의 열처리 온도 변화에 따른 광학적 특성 변화에 대해서도 보고할 예정이다.
In order to apply for the gas sensing layer and the piezoelectric thin film devices, we studied the effects of magnetron sputtering conditions and annealing temperature on the electrical and structual characteristics of the ZnO thin film. The optimal deposition conditions, in order to obtain a c axis of the ZnO (002) phase thin film which is perpendicular to SiO$_{2}$/Si substrate, were like these ; substrate temperature 150.deg. C, chamber pressure 2 mtorr, R.F. power 300 watts, gas flow ratio 0.4[O$_{2}$(Ar + $O_{2}$)]. When the ZnO thin film was annealed in 600.deg. C, $O_{2}$ gas ambient for 1 hr, the resistivity was 2.6 x 10$^{2}$.ohm.cm and the grain size of ZnO thin film was less than 1 .mu.m. So the ZnO thin film acquired from above conditions can apply for the gas sensing layer which require a c axis perpendicular to the substrate surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.226-226
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2013
GaN는 III-V족 물질로 밴드갭이 3.4 eV으로 가시광선 영역에서 투명하며 우수한 전기적 특성으로 인해 여러 반도체 분야에서 응용되고 있는 물질이다. GaN 박막의 성장 방법으로는 molecular beam epitaxial 방법과 metal organic chemical vapor deposition 방법이 있지만 고비용인 단점이 있다. 이에 비해 sputtering 방법으로 성장시킨 GaN 박막은 비용이 적게 들고 저온에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 이 연구에서는 radio frequency sputter를 사용하여 GaN 박막을 성장하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. GaN 박막은 각각 단일층의 그래핀과 c-축 사파이어 기판에 증착 하였으며, 이때 기판온도는 $25^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$로 변화를 주었고, N2 분압은 2 sccm, 5 sccm, 10 sccm으로 변화를 주었다. 그래핀과 사파이어 기판에 성장된 각각의 GaN 박막의 결정성을 투과전자현미경 이미지로 측정하여 비교하였다. $4{\times}10^{-3}$ Torr 진공도와 50 W의 방전 전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 20 min 동안 증착된 GaN 박막 두께는 70 nm정도를 가지는 것으로 확인하였다. X-ray Diffraction 측정으로 사파이어 기판 및 (002) 방향으로 성장된 GaN의 피크를 확인하였다. 추가적으로 Photoluminescence 스펙트럼은 N2 분압의 변화와 yellow luminescence 영향을 받는 것을 확인하였다. 본 연구를 통하여, 증착된 기판온도와 N2 분압의 변화에 따른 그래핀 및 사파이어 기판에 증착된 GaN 박막의 특성을 비교하였으며, sputtering 방법으로 고품질의 GaN 박막을 성장시킬 수 있는 가능성을 확인하였다.
It is well known that the formation of $SiO_2$, $Al_2O_3$ and/or other oxides at the steel surface during the annealing process deteriorates the surface quality of galvanized steels. It is important to minimize oxide formation during the annealing process for the superior surface quality of galvanized steels. In order to minimize the oxide formation on the steel surface, antimony was chosen as an alloying element to the commercial steels. Then, the effect of alloying element on the oxidation behavior was investigated. A small amount of antimony was added to two types of steels, one with 0.1% C, 1.0% Si, 1.5% Mn, 0.08% P, and the other with 0.002% C, 0.001% Si, 0.104% Mn, 0.01% P. Then, the oxidation behavior was investigated from $650{\sim}900^{\circ}C$ in the air. The addition of antimony to the steels retarded the outward diffusion of elements during the oxidation, resulting in reduction of the oxidation rate.
Khalid, Mahmood;Asghar, Muhammad;Ali, Adnan;Ajaz-Un-Nabi, M.;Arshad, M. Imran;Amin, Nasir;Hasan, M.A.
Advances in Energy Research
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v.3
no.2
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pp.117-124
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2015
In this paper, we have reported an enhancement in thermoelectric properties of un-doped zinc oxide (ZnO) grown by molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (001) substrate by annealing treatment. The grown ZnO thin films were annealed in oxygen environment at $500^{\circ}C-800^{\circ}C$, keeping a step of $100^{\circ}C$ for one hour. Room temperature Seekbeck measurements showed that Seebeck coefficient and power factor increased from 222 to $510{\mu}V/K$ and $8.8{\times}10^{-6}$ to $2.6{\times}10^{-4}Wm^{-1}K^{-2}$ as annealing temperature increased from 500 to $800^{\circ}C$ respectively. This observation was related with the improvement of crystal structure of grown films with annealing temperature. X-ray diffraction (XRD) results demonstrated that full width half maximum (FWHM) of ZnO (002) plane decreased and crystalline size increased as the annealing temperature increased. Photoluminescence study revealed that the intensity of band edge emission increased and defect emission decreased as annealing temperature increased because the density of oxygen vacancy related donor defects decreased with annealing temperature. This argument was further justified by the Hall measurements which showed a decreasing trend of carrier concentration with annealing temperature.
The present experiments were carried out to investigate the mode of cAMP regulation of cumulus expansion in pig. Intracellular level of cAMP in the cumulus cells was modulated by culturing porcine cumulus oocyte complexes (COC's) with forskolin, an adenylate cyclase stimulator and 3-isobutyl-1-methylxanthine (IBMX), a phosphodiesterase inhibitor. The role of calcium in the hormone induced cumulus expansion process was also studied. Forskolin in the medium stimulated cumulus expansion from the concentration of 0.01 $\mu$M and induced full expansion at l-10 $\mu$M In contrast, IBMX in the medium (20-180 $\mu$M) failed to induce the expansion. Verapamil, a calcium ion transport blocker, suppressed follicle stimulating hormone(FSH)-induced cumulus expansion in a dose dependent fashion (0.002-0. 2 mM) when the COC's were exposed to the drugs during culture period (32 hr). But verapamil did not interfere with the triggering action of FSH during early four hours of culture period. The data presented here showed that adenylate cyclase in the porcine cumulus cells may play a key role in the regulation of the intracellular cAMP level and calcium ion may be involved in the later period of cumulus expansion process.
In this study, we have studied the effect of substrate temperature and hydrogen flow rate on the characteristics of MZO thin films for the TCO(Transparent conducting oxide). MZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at room temperature and $100^{\circ}C$ with various $H_2$ flow rate(1sccm~4sccm). In order to investigate the effect of hydrogen gas flow rate on the MZo thin film, we experimented with changing the hydrogen in argon mixing gas flow rate from 1.0sccm to 4.0sccm. MZO thin films deposited at room temperature and $100^{\circ}C$ show crystalline structure having (002), (103) preferential orientation. The electrical resistivity of the MZO films deposited at $100^{\circ}C$ was lower than that of the MZO film deposited at room temperature. The decrease of electrical resistivity with increasing substrate temperature was interpreted in terms of the increase of the charge carrier mobility and carrier concentration which seems to be due to the oxygen vacancy generated by the reducing atmosphere in the gas. The average transmittance of the MZO films deposited at room temperature and $100^{\circ}C$ with various hydrogen gas flow was more than 80%.
Vitrification of radioactive liquid waste (RLW) provides a feasible solution for isolating radionuclides from the biosphere for an extended period. In vitrification, base glass and radioactive waste are added simultaneously into the melter. Determination of heat and mass transfer rates is necessary for rational design and sizing of melter. For obtaining an assured product quality, knowledge of reaction kinetics associated with the thermal decomposition of waste constituents is essential. In this study Thermogravimetry (TG) - Differential Thermogravimetry (DTG) of eight kinds of nitrates and two oxides, which are major components of RLW, is investigated in the temperature range of 298-1273 K in the presence of base glasses of five component (5C) and seven component (7C). Studies on thermal behavior of constituents in RLW were carried out at heating rates ranging from 10 to $40\;K\;min^{-1}$ using TG - DTG. Thermal behavior and related kinetic parameters of waste constituents, in the presence of 5C and 7C base glass compositions were also investigated. The activation energy, pre-exponential factor and order of the reaction for the thermal decomposition of 24% waste oxide loaded glasses were estimated using Kissinger method.
Kim, Tae Jin;Pyun, Do Hyeon;Kim, Myeong Jun;Jeong, Ji Hoon;Abd El-Aty, A.M.;Jung, Tae Woo
Journal of Ginseng Research
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v.46
no.3
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pp.444-453
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2022
Background: Compound K (CK) is among the protopanaxadiol (PPD)-type ginsenoside group, which produces multiple pharmacological effects. Herein, we examined the effects of CK on muscle atrophy under hyperlipidemic conditions along with its pro-myogenic effects. Further, the molecular pathways underlying the effects of CK on skeletal muscle have been justified. Methods: C2C12 myotubes were treated with palmitate and CK. C2C12 myoblasts were differentiated using CK for 4-5 days. For the in vivo experiments, CK was administered to mice fed on a high-fat diet for 8 weeks. The protein expression levels were analyzed using western blotting analysis. Target protein suppression was performed using small interfering (si) RNA transfection. Histological examination was performed using Jenner-Giemsa and H&E staining techniques. Results: CK treatment attenuated ER stress markers, such as eIF2a phosphorylation and CHOP expression and impaired myotube formation in palmitate-treated C2C12 myotubes and skeletal muscle of mice fed on HFD. CK treatment augmented AMPK along with autophagy markers in skeletal muscle cells in vitro and in vivo experiments. AMPK siRNA or 3-MA, an autophagy inhibitor, abrogated the impacts of CK in C2C12 myotubes. CK treatment augmented p38 and Akt phosphorylation, leading to an enhancement of C2C12 myogenesis. However, AMPK siRNA abolished the effects of CK in C2C12 myoblasts. Conclusion: These findings denote that CK prevents lipid-induced skeletal muscle apoptosis via AMPK/autophagy-mediated attenuation of ER stress and induction of myoblast differentiation. Therefore, we may suggest the use of CK as a potential therapeutic approach for treating muscle-wasting conditions associated with obesity.
Effects of the molecular weight and type of chitosans on shelf-life of Makkulli were evaluated during 18 days of storage at $25^{\circ}C$. Two types of chitosans were studied: ${\alpha}$-chitosans with 11 different molecular weights (water-soluble, Mw = 1, 8, 22, 43, 67 and 616 kDa; acid-soluble, Mw = 282, 440, 746, 1,110 and 2,025 kDa) and ${\beta}$-chitosan (acid-soluble, Mw = 577 kDa). Acid-soluble chitosans were applied as a form of chitosan-ascorbate. All chitosans were added to Makkulli at 0.002% concentration, the optimum concentration established in a preliminary test. Among 12 chitosans, the ${\alpha}$-chitosans with 22 and 440 kDa exhibited stronger antimicrobial effects than did other ${\alpha}$- and ${\beta}$-chitosans. The results for pH, acidity, alcohol concentration, viable cell counts, and sensory evaluation suggested that addition of ${\alpha}$-chitosans with 22 and 440 kDa increased the shelf-life of Makkulli by almost 1 week at $25^{\circ}C$ compared with that of control (without chitosan) and other chitosan-added groups. Extension of Makkulli shelf-life by 1 week is fairly significant in view of the magnitude of the total amount of Makkulli produced in Korea.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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