The nature of distant faint blue field galaxies remains a mystery, despite the fact that much attention has been devoted to this subject in the last decade. Galaxy counts, particularly those in the optical and near ultraviolet bandpasses, have been demonstrated to be well in excess of those expected in the 'no-evolution' scenario. This has usually been taken to imply that galaxies were brighter in the past, presumably due to a higher rate of star formation. More recently, redshift surveys of galaxies as faint as B$\~$24 have shown that the mean redshift of faint blue galaxies is lower than that predicted by standard evolutionary models (de-signed to fit the galaxy counts). The galaxy number count data and redshift data suggest that evolutionary effects are most prominent at the faint end of the galaxy luminosity function. While these data constrain the form of evolution of the overall luminosity function, they do not constrain evolution in individual galaxies. We are carrying out a series of observations as part of a long-term program aimed at a better understanding of the nature and amount of luminosity evolution in individual galaxies. Our study uses the luminosity-linewidth relation (Tully-Fisher relation) for disk galaxies as a tool to study luminosity evolution. Several studies of a related nature are being carried out by other groups. A specific experiment to test a 'no-evolution' hypothesis is presented here. We have used the AUTOFIB multifibre spectro-graph on the 4-metre Anglo-Australian Telescope (AAT) and the Rutgers Fabry-Perot imager on the Cerro Tolalo lnteramerican Observatory (CTIO) 4-metre tele-scope to measure the internal kinematics of a representative sample of faint blue field galaxies in the red-shift range z = 0.15-0.4. The emission line profiles of [OII] and [OIII] in a typical sample galaxy are significantly broader than the instrumental resolution (100-120 km $s^{-l}$), and it is possible to make a reliable de-termination of the linewidth. Detailed and realistic simulations based on the properties of nearby, low-luminosity spirals are used to convert the measured linewidth into an estimate of the characteristic rotation speed, making statistical corrections for the effects of inclination, non-uniform distribution of ionized gas, rotation curve shape, finite fibre aperture, etc.. The (corrected) mean characteristic rotation speed for our distant galaxy sample is compared to the mean rotation speed of local galaxies of comparable blue luminosity and colour. The typical galaxy in our distant sample has a B-band luminosity of about 0.25 L$\ast$ and a colour that corresponds to the Sb-Sd/Im range of Hub-ble types. Details of the AUTOFIB fibre spectroscopic study are described by Rix et al. (1996). Follow-up deep near infrared imaging with the 10-metre Keck tele-scope+ NIRC combination and high angular resolution imaging with the Hubble Space Telescope's WFPC2 are being used to determine the structural and orientation parameters of galaxies on an individual basis. This information is being combined with the spatially resolved CTIO Fabry-Perot data to study the internal kinematics of distant galaxies (Ing et al. 1996). The two main questions addressed by these (preliminary studies) are: 1. Do galaxies of a given luminosity and colour have the same characteristic rotation speed in the distant and local Universe? The distant galaxies in our AUTOFIB sample have a mean characteristic rotation speed of $\~$70 km $s^{-l}$ after correction for measurement bias (Fig. 1); this is inconsistent with the characteristic rotation speed of local galaxies of comparable photometric proper-ties (105 km $s^{-l}$) at the > $99\%$ significance level (Fig. 2). A straightforward explanation for this discrepancy is that faint blue galaxies were about 1-1.5 mag brighter (in the B band) at z $\~$ 0.25 than their present-day counterparts. 2. What is the nature of the internal kinematics of faint field galaxies? The linewidths of these faint galaxies appear to be dominated by the global disk rotation. The larger galaxies in our sample are about 2"-.5" in diameter so one can get direct insight into the nature of their internal velocity field from the $\~$ I" seeing CTIO Fabry-Perot data. A montage of Fabry-Perot data is shown in Fig. 3. The linewidths are too large (by. $5\sigma$) to be caused by turbulence in giant HII regions.
Kim, Dong-Joon;Moon, Yong-Tae;Song, Keun-Man;Park, Seong-Ju
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.12
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pp.11-17
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2000
We investigated the growth of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) structures which emit blue light. The samples were grown in a low pressure metalorganic chemical vapor deposition system. We examined InGaN/GaN MQWs by varying growth temperatures and thicknesses of InGaN well and GaN barrier layers in MQWs. Especially, the thickness of GaN barrier in InGaN/GaN MQWs was found to severely affect the interfacial abruptness between InGaN well and GaN barrier layers. The higher order satellite peaks in the high resolution x-ray diffraction spectra and the high resolution cross sectional transmission electron microscope image of MQW structrues revealed that the interface between InGaN and GaN layers was very abrupt. Room-temperature photoluminescence spectra also showed a blue emission from InGaN/GaN MQWs at the wavelength of 463.5nm with a narrow full width at half maximum of 72.6meV.
Nam, Jin Soo;Park, In Sook;Shim, Sung Im;Ryu, Jung A;Lim, Ki Byung
FLOWER RESEARCH JOURNAL
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v.18
no.2
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pp.87-92
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2010
This research was aimed to extend the vase life, improve the cut flower quality and promote flowering rate of bulbous cut Iris 'Blue Magic'. Three different concentrations of 1-MCP ranging from 250 to $750nL{\cdot}L^{-1}$ were treated on cut Iris flowers for the vase life elongation. Several effects of 1-MCP treatment has shown such as early flowering as one day but vase life showed no significant differences comparing to the untreated control. Flowering rate was 75% or more in the treated ones as compare to 64.2% in untreated control. Especially, in a treatment with $250nL{\cdot}L^{-1}$ 1-MCP for 12 hours it showed all flowering. In many post-harvest experiments of cut flowers, ethylene production from flower organ has considered as most critical factor on vase life. Ethylene production from flower organ was measured by gas chromatography (GC) and it showed that there is no direct relation between flower longevity and emission of the ethylene gas in cut Iris. In comparison with the untreated control, ethylene generation rather seems to be increased as 1-MCP treatment increased. There was a synergy effect when 1-MCP and BA applied simultaneously in which flowering and vase life were fastened and also extended, respectively. Therefore, treatment of 1-MCP for cut Iris at flower early harvest is able to improve the flower quality both by diminishing non-flowering rate and by extended flower longevity.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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1994.11a
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pp.79-80
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1994
A systematic study on isoelectronic impurities in thin-film eletroluminescent devices (TFELD) has been made on the basis of the experimental analysis aimed at a survey for the blue-emitting materials. Codoping effects of isoelectronic impurities, such as oxygen(O), tellurium(Te), and lithium(Li), on the emissive characteristics of ZnS:Ce$^{3+}$ and ZnS:Tm$^{3+}$TFELD have been investigated by means of the X-ray diffraction studies, the Auger electron spectroscopy, the cathodoluminescent spectra, and the electroluminescent spectra. Experiment results reveal that oxygen codoping gives rise to an increase of the luminance, due to a suppression of the nonradiative energy transfer via sulfur vacancies Te codoping in ZnS:Ce$^{3+}$ TFELD result in a large change in the crystal field around Ce$^{3+}$ ions. Li codoping in ZnS:Tm$^{3+}$ TFELD causes the luminance to increase slightly, due to a lowering in the symmetry of Tm$^{3+}$ions. Likewise, the experimental results suggest strongly that an Auger-type enegy loss via lattece defects such an sulfur vacancies acts as a non-emissive in TFELD.ve in TFELD.
A solution processable polymer was synthesized, by incorporating pyrene groups into the backbone of the polyaniline chain, and used as an emissive layer in an organic light emitting diode. The polyaniline base was reacted with acid chloride of pyrene butyric acid to form pyrene-functionalized polyaniline chains. The source of pyrene moiety was acid chloride of pyrene butyric acid. The formation of polymer from acid chloride of pyrene butyric acid and polyaniline was confirmed by the FTIR and $^1H$-NMR spectroscopy. Differential scanning calorimetry revealed high glass transition temperature of 210 $^{\circ}C$. Due to the presence of pyrene moieties in the backbone, the polyaniline synthesized in the present study is solution processable with light emitting property. The photoluminescence spectrum of the polymer revealed that emission lies in the blue region, with a peak at 475 nm. The light emitting device of this polymer exhibits the turn-on voltage of 15 V.
In this study, we synthesized a new red emitting material of a Red225 doped into $Alq_3$ (tris(8-quinolinolato)aluminum (III)) and fabricated white organic light-emitting diodes (OLEDs) with a simple device structure. With a blue emitting material of DPVBi (4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)1,1'-biphenyl) that can transfer effectively both a hole and an electron, OLEDs with a narrow emission layer could be possible without a hole-blocking layer. Consequently, the driving voltage and stability of devices have been improved. The devices show the Commission Internationale d'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates of (0.36, 0.35) at luminance of 2000 cd/$m^2$. The luminous efficiency is about 3.5 cd/A, luminance is about 12000 cd/$m^2$ and current density is about 350 mA/$cm^2$ at 12 V, respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.20
no.1
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pp.53-56
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2007
We have fabricated organic white light emitting diodes by mixing two colors from very thin rubrene doped and non-doped DPVBi layers. The device structure was ITO/2-TNATA(15 nm)/${\alpha}$-NPD(35 nm)/DPVBi:rubrene(5 nm)/DPVBi(30 nm)/$Alq_{3}(5\;nm)$/BCP(5 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(150 nm). The yellow-emitting rubrene of 0.7 wt % was doped into the blue-emitting DPVBi host for the white light. CIE coordinate of the device was (0.31, 0.33) at 8 V. The color coordinates were stable at wide ranges of driving voltages. The luminance was over $1,000\;cd/m^{2}$ at 8 V and increases to $14,500\;cd/m^{2}$ at 12 V. The maximum current efficiency of the device was 8.2 cd/A at $200\;cd/m^{2}$.
This paper presents a new method for the improvement of color temperature without the change of the driving scheme using transparent dielectric layers with various metal oxides (CeO$_2$, Co$_3$O$_4$, CuO, Fe$_2$O$_3$, MnO$_2$, NiO) in plasma display panels (PDP). In this study, we fabricated ZnO-B$_2$O$_3$-SiO$_2$-Al$_2$O$_3$ glasse with various metal oxides and examined the optical properties of these glasses. As the metal oxides were added to the glasses, the visible transmittances of the dielectric layers decreased and the transmittances in special wavelength regions were reduced at different rates. The change of the transmittance in each wavelength range induced the variation of the visible emission spectra and the change of the color temperature in the PDP. The addition of Co$_3$O$_4$ and CuO slightly decreased the intensity of the blue light, but the intensities of the green and the red light were significantly decreased. Therefore, the color temperature can be improved from 6087K to 7378K and 7057K, respectively.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.2
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pp.80-83
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2011
We have fabricated phosphorescent white organic light-emitting devices (WOLEDs) with a spin-coated poly(Nvinylcarbazole) [PVK] host layer. Iridium(III) bis[(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,$C^{2'}$]picolinate (FIrpic), tris(2-phenylpyridine)iridium(III) [$Ir(ppy)_3$], and tris(2-phenyl-1-quinoline)iridium(III) [$Ir(phq)_3$], were used as the blue, green, and red guest materials, respectively. The PVK was mixed with FIrpic, $Ir(ppy)_3$, and $Ir(phq)_3$ molecules in a chlorobenzene solution and spin-coated in order to prepare the emission layer; 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tertbutylphenyl)-1,2,4-triazole (TAZ) was used as an electron transport material. The resultant device structure was ITO/PVK:FIrpic:$Ir(ppy)_3:Ir(phq)_3$/TAZ/LiF/Al. The electroluminescence, efficiency, and electrical conduction characteristics of the WOLEDs based on the doped PVK host layer were investigated. The maximum current efficiency of the three wavelength WOLED with the doped PVK host was 19.2 cd/A.
We fabricated white organic light emitting device (WOLED) with the layered fluorescent blue material and phosphorescent green/red dye-doped materials. Addition of the non-doped phosphorescent host material between the fluorescent and phosphorescent light emitting layers provided the result of broadband white spectrum, with improved balance, higher efficiency, and lower power consumption. In our devices, there was no need of exciton-blocking layer between the each emission layer for the further confinement of the diffusion of excitons.
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