Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.50-50
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2008
ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.
We present new constraints on the cosmic optical background (COB) obtained from an analysis of the Pioneer 10/11 Imaging Photopolarimeter (IPP) data. After careful examination of the data quality, the usable measurements free from the zodiacal light are integrated into sky maps at the blue (${\sim}0.44{\mu}m$) and red (${\sim}0.64{\mu}m$) bands. Accurate starlight subtraction was achieved by referring to all-sky star catalogs and a Galactic stellar population synthesis model down to 32.0 mag. We find that the residual light is separated into two components: one component shows a clear correlation with the thermal $100{\mu}m$ brightness, whilst the other shows a constant level in the lowest $100{\mu}m$ brightness region. The presence of the second component is significant after all the uncertainties and possible residual light in the Galaxy are taken into account, thus it most likely has an extragalactic origin (i.e., the COB). The derived COB brightness is ($(1.8{\pm}0.9){\times}10^{-9}$ and $(1.2{\pm}0.9){\times}10^{-9}\;erg\;s^{-1}\;cm^{-2}\;sr^{-1}\;{\AA}^{-1}$ in the blue and red spectral regions, respectively, or $7.9{\pm}4.0$ and $7.7{\pm}5.8\;nW\;m^{-2}\;sr^{-1}$. Based on a comparison with the integrated brightness of galaxies, we conclude that the bulk of the COB is comprised of normal galaxies which have already been resolved by the current deepest observations. There seems to be little room for contributions from other populations including "first stars" at these wavelengths. On the other hand, the first component of the IPP residual light represents the diffuse Galactic light (DGL)-scattered starlight by the interstellar dust. We derive the mean DGL-to-$100{\mu}m$ brightness ratios of $2.1{\times}10^{-3}$ and $4.6{\times}10^{-3}$ at the two bands, which are roughly consistent with previous observations toward denser dust regions. Extended red emission in the diffuse interstellar medium is also confirmed.
Fuel processing systems which convert fuel into rich gas (such as stream reforming, partial oxidation, autothermal reforming) need high temperature environment ($600{\sim}1,000^{\circ}$). Generally, anode-off gas or mixture of anode-off gas and LNG is used as input gas of fuel reformer. In order to make efficient and low emission burner system for fuel reformer, it is necessary to elucidate the combustion and emission characteristic of fuel reformer burner. The purpose of this study is to develop a porous premixed flat ceramic burner that can be used for 1~5 kW fuel cell reformer. Ceramic burner experiments using natural gas, hydrogen gas, anode off gas, mixture of natural gas & anode off gas were carried out respectively to investigate the flame characteristics by heating capacity and equivalence ratio. Results show that the stable flat flames can be established for natural gas, hydrogen gas, anode off gas and mixture of natural gas & anode off gas as reformer fuel in the porous ceramic burner. For all of fuels, their burning velocities become smaller as the equivalence ratio goes to the lean mixture ratio, and a lift-off occurs at lean limit. Flame length in hydrogen and anode off gas became longer with increasing the heat capacity. In particular, the blue surface flame is found to be very stable at a very lean equivalence ratio at heat capacity and different fuels. The exhausted NOx and CO measurement shows that the blue surface flame represents the lowest NOx and CO emissions since it remains very stable at a lean equivalence ratio.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.18
no.2
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pp.81-86
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2008
ZnO nanowires were synthesized by the thermal evaporation method and their growth mechanisms were confirmed by the characterization of the structural features depending on the growth conditions. The increase of vaporization temperature accelerates the growth rate and morphologies of ZnO nanowires were drastically changed at the temperature over 1000$^{\circ}C$, because of changed $CO/CO_2$ partial pressure. Au particles play their role on growth of ZnO nanowire as catalyst at growth temperature over 700$^{\circ}C$. The synthesized ZnO nanowires exhibit blue emission at 380 nm.
Mohapatra, Priyaranjan;Dung, Mai Xuan;Choi, Jin-Kyu;Oh, Jun-Ho;Jeong, Hyun-Dam
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.280-280
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2010
Semiconductor quantum dots are of great interest for both fundamental research and industrial applications due to their unique size dependant properties. The most promising application of colloidal semiconductor nanocrystals (quantum dots or QDs) is probably as emitters in biomedical labeling, LEDs, lasers etc. As compared to II-VI quantum dots, III-V have attracted greater interest owing to their less ionic lattice, larger exciton diameters and reduced toxicity. Among the III-V semiconductor quantum dots, Indium Phosphide (InP) is a popular material due to its bulk band gap of 1.35 (eV) which is responsible for the photoluminescence emission wavelength ranging from blue to near infrared with change in size of QDs. Nevertheless, in recent years, the exact type of collective properties that arise when semiconductor quantum dots (QDs) are assembled into two- or three-dimensional arrays has drawn much interest. The term "uantum dot solids" is used to indicate three-dimensional assemblies of semiconductor QDs. The optoelectronic properties of the quantum dot solids are known to depend on the electronic structure of the individual quantum dot building blocks and on their electronic interactions. This paper reports an efficient and rapid method to produce highly luminescent and monodisperse quantum dots solution and solid through fabrication of InP thin films. By varying the molar concentration of Indium to Ligand, QDs of different size were prepared. The absorption and emission behaviors were also studied. Similar measurements were also performed on InP quantum dot solid by fabricating InP thin films. The optical properties of the thin films are measured at different curing temperatures which show a blue shift with increase in temperature. The dielectric properties of the thin films were also investigated by Capacitance-voltage(C-V) measurements in a metal-insulator-semiconductor (MIS) device.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.8
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pp.17-23
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2002
The SrS:CuCl TFEL devices were fabricated by electron-beam deposition and the luminescent characteristics of the fabricated SrS:CuCl TFEL devices were studied. The SrS powder was used as the host materials and 0.05 ~ 0.6 at% of CuCl powder was added as the luminescent center. The deposition conditions of substrate temperature, electron beam current, and deposition rate were 500 $^{\circ}C$ , 20 ~ 40 mA, and 5 ~ 10 /sec, respectively The total thickness of the phosphor layer deposited was 6000 . The blue emission at low CuCl concentrations was observed from the luminescent centers of monomer, dimer, trimer, and tetramer, The bright greenish blue emission at high CuCl concentrations was observed from the dimer and trimer luminescent centers. The maxium luminance was observed from the SrS:CuCl TFEL devices doped with 0.2 at% of CuCl concentration and the threshold voltage, luminance(L$_{40}$ ), efficiency(η$_{20}$) and CIE coordinate obtained were 55 V, 728 cd/$m^2$, 0.49 lm/w, and (0.21, 0.33), respectively..
Gim, Su Jin;Park, Ha Na;Choi, Jae Ho;Jung, Yoon Sung;Kim, Hyeong-Jun
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.31
no.5
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pp.212-217
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2021
The applicability of the white LED from the blue LED of the coating film as a binder for surface and curved coatings were confirmed. The particle size of YAG is D50: 9~10 ㎛, and the crystal structure is garnet (Y3Al5O12), cubic. The coating film had no cracks, at the same time, the silica sol was uniformly coated with YAG phosphor, and the YAG content and thickness in the coating film showed a tendency to increase up to 40 ㎛ in proportion to the increase in the amount added. Furthermore, as the YAG content increased, the PL emission intensity increased and the color coordinate shift toward the end of the chromatic locus curve was confirmed.
The purpose of this study is to conduct a survey of the flame stability range and the emission characteristics for the optimum design of turbulent premixed flat burner. For that, the flame stability range was selected by the direct photography of the flame. And the mean temperature and CO, HC, $CO_{2}\;and\;O_{2}$ concentration distributions by changing the excess air ratio were measured. As results of this study, the flame stability range turned out to be getting narrower as fuel flow was increased. The blue flame mode was more excellent than any other flame modes in the emission characteristics by excess air ratio change. And the emission characteristics by fuel flow change were best at fuel flow 1l/min. Also, we found combustion noise during experiment of flame stability range. It had nothing do with excess air ratio range.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.2
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pp.27-37
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1997
Photoluminescent and cathodoluminescent charcteristics of inorganic luminescent materials were investigated ot develop possible phosphors for thin film electroluminescent (TFEL) device applications. Mg, Zn, and Photoluminescent and cathodoluminescent charcteristics of inorganic luminescent materials were investigated ot develop possible phosphors for thin film electroluminescent (TFEL) device applications. Mg, Zn, and $Si_3N_4$ powders were used to synthesize $(Mg_xZn_{1-x})SiN_2$ host materials. $Tb_4O_7$ and $Eu_2O_3$ powdrs were added as luminescent centers. Very sharp emission spectra of $Tb^{3+}$ ions were observed from $Mg._5Zn._5SiN_2:Tb$ sampels sintered at $1400^{\circ}C$ for an hour and the maximum intensity of emission spectra occured at wavelength of 550nm (green light). Synthetic conditions of $(Mg_xZn_{1-x})SiN_2:Eu$ phosphors were optimized for the hghest luminescence. The Eu concentrations were varied from 0.2% to 1.6%. Before firing, the powders were mixed using ballmills, methanol, acetone, or D.I. water. The Mg/Zn ratio also were varied from x=0.3 to x=0.7. The maximum PL intensity was obtained from a sample with 1.2% Eu concentration and the powder was mixed with methanol and dried before firing. The maximum intensity of the emission spectra occurred t the wavelength of 470nm(blue light). TFEL devices fabricated by using sputter deposition of $(Mg._3Zn._7)SiN_2:Eu$ phosphor layer showed yellowish white emission at the phosphor field of 2MV/cm.
We secured the high dispersion spectra of the symbiotic star CI Cyg. The HI, HeI, and HeII line profiles were analyzed using the relatively long exposure data including 1800 sec (Sep. 12, 1998, phase=0.90), 3600 sec (Aug. 12, 2002, ${\phi}=0.47$), and 1800 sec (Oct. 21, 2009, ${\phi}=0.54$). Although a minor outburst was reported in 2008, our three observation periods were generally known to be quiescent in earlier photometric studies. With the help of hydrodynamic simulations, we identified the two emission zones responsible for the blue- and red-shifted line components: (a) an accretion disk around a hot white dwarf star which consists of the outer cool HeI emission zone and the inner hot HeII emission part, and (b) a high density zone near the inner Lagrangian point responsible for the HeI line flux variation and the broadening of its line profile. The HeII line fluxes indicate that the HeII emission zone of the accretion disk is relatively stable, implying a constant gas inflow from the giant star throughout the quiescent period. The 2002 HeI data showed that the notable mass flow activity through the inner Lagrangian point occurred during this period and its flux intensity became strongest, whereas the HeII line width in the same period indicates that its flow activity forced the accretion disk to expand. The [OIII] lines were observed in 1998 but not detected in 2002 and 2009, implying the disappearance of the low density zone. Based on our kinematical studies upon the line profiles, we conclude that CI Cyg was stable in 1998 among the three observation periods selected in this research.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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