• 한국광학회지
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• 제8권3호
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• pp.218-222
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• 1997

빠른 응답 속도와 높은 콘트라스트 비를 갖는 쌍안정 TN(BTN:Bistable Twisted Nematic)셀을 제작하여 전기 광학 특성을 조사하고 쌍안정 특성을 갖기 위한 BTN셀의 동작 조건 및 인가 파형의 특성을 조사하였다. 인가 파형의 reset펄스와 selection펄스의 크기와 폭이 BTN셀의 쌍안정 특성에 미치는 영향과 메모리 시간을 조사하였다. 또한 rubbing강도에 따라 pretilt각을 변화시켜 쌍안정 특성을 보이는 두께와 pitch와의 비의 범위를 구하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.218.2-218.2
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• 2005

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2004년도 하계학술발표회
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• pp.50-51
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• 2004

• 한국광학회지
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• 제7권2호
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• pp.129-135
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• 1996

고립전자쌍을 갖는 비정질 As$_{2}$S$_{3}$ 단층박막에서 처음으로 흡수형 광쌍안정현상을 관측하였다. 광원으로는 렌즈로 집속된 Ar$^{+}$ laser beam (.lambda.=514.5nm)을 사용하였다. 본 실험에서는 공진기가 없는 단층의 박막시료에서 시료의 흡수계수의 온도의존성에 의해 광쌍안정현상이 발생함을 알 수 있었고 이 효과는 물질내에서 흡수단의 가역적인 편이에 의해 설명되었다. 실험에서 광쌍안정조건은 매질의 초기흡수계수와 시료의 두께의 곱에 의해 결정되고 시료의 두께가 0.8.nu.m일 때 이 값은 약 0.12임을 알 수 있었다. 또한 입사 레이저광세기가 150-180mW일 때 스위칭이 뚜렷했고 스위칭시간은 약 $10^{-4}$초였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2012년도 추계학술대회 논문집
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• pp.809-810
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• 2012

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.608-610
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• 2003

In the paper, we have investigated the reflective cholesteric display based on the polymer stabilization. The bistability in the polymer stabilized cholesteric texture(PSCT) films was observed and wider viewing angle was achieved due to imperfect planar texture.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2005년도 하계학술발표회
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• pp.132-133
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• 2005

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.297-298
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• 2008

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
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• pp.363-364
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• 2008

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.63-73
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• 2004

A simple analytical model has been presented for the study of the optical bistability using a $GaAs-Al_{0.32}Ga_{0.68}As$ multiple quantum well (MQW) p-i-n diode structure. The calculation of the optical absorption is based on a semi-emperical model which is accurately valid for a range of wells between 5 and 20 nm and the electric field F< 200kV/cm . The electric field dependent analytical expression for the responsivity is presented. An attempt has been made to derive the analytical relationship between the incident optical power ( $(P_{in})$ ) and the voltage V across the device when the diode is reverse biased by a power supply in series with a load resistor. The relationship between $P_{in}$ and $P_{out}$ (i.e. transmitted optical power) is also presented. Numerical results are presented for a typical case of well size $L_Z=10.5nm,\;barrier\;size\;L_B=9.5nm$ optical wave length l = 851.7nm and electric field F? 100kV/cm. It has been shown that for the values of $P_{in}$ within certain range, the device changes its state in such a way that corresponding to every value of $P_{in}$ , two stable states and one unstable state of V as well as of $P_{out}$ are obtained which shows the optically controlled bistable nature of the device.