• 영재교육연구
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• 제25권2호
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• pp.321-337
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• 2015

본 연구의 목적은 반창의성 편향에 대한 초등학교 영재아동들의 인식을 개념도방법을 활용하여 밝히고, 도출된 요인들에 대하여 공감하고 있는 정도를 탐색해 보는 것이다. 이를 위하여 12명의 초등학교 영재아동들이 반창의성 편향에 대해 집단 브레인스토밍을 실시하였으며, 이를 종합, 분류하는 활동을 통해 55개 최종 진술문을 확정하였다. 이들 55개의 진술문에 대한 비유사성 평정 자료를 사용하여 다차원척도분석을 실시한 결과 2차원 개념도 제작에 적합한 stress 값 .30이 도출되었다. 또한 132명의 초등학교 영재아동들을 대상으로 각 진술문의 공감 정도를 likert 6점 척도로 표시하게 한 후, 반창의성 편향에 대한 초등학교 영재아동들의 공감 정도를 분석하였다. 연구의 결과는 다음과 같다. 첫째, 개념도에 나타난 진술문의 좌표 값을 기초로 하여 위계적 군집 분석을 실시한 결과, 반창의성 편향에 대한 초등학교 영재아동들의 인식의 범주는 '창의성에 대한 모순적 태도', '창의성에 대한 낮은 평가', '정해진 규칙과 생각에 대한 강요', '새로운 것에 대한 반감'의 4개의 범주로 나타났다. 둘째, 초등학교 영재아동들은 '정해진 규칙과 생각에 대한 강요'(M=4.16), '새로운 것에 대한 반감'(M=3.68), '창의성에 대한 모순적 태도'(M=3.55), '창의성에 대한 낮은 평가'(M=3.30) 범주 순으로 공감하였으며 전체 평균은 3.68의 공감도를 보이고 있다. 본 연구는 반창의성 편향에 대한 초등학교 영재아동들의 인식을 알아보고 앞으로의 창의성교육의 방향을 제시함에 있어 초등학교 영재아동들이 생각하는 다양한 관련 요인들을 범주별로 분석하는 데 그 목적이 있다. 본 연구 결과와 관련된 현장에서의 함의가 심도 깊게 논의되었다.

• ETRI Journal
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• 제34권6호
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• pp.966-969
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• 2012

From a practical viewpoint, the topic of electrical stability in oxide thin-film transistors (TFTs) has attracted strong interest from researchers. Positive bias stress and constant current stress tests on indium-gallium-zinc-oxide (IGZO)-TFTs have revealed that an IGZO-TFT with a larger Ga portion has stronger stability, which is closely related with the strong binding of O atoms, as determined from an X-ray photoelectron spectroscopy analysis.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1047-1050
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• 2009

The two approaches to improve the stability of oxide TFTs are described. First approach is the optimization of device architecture including MIS structure and passivation layer using conventional InGaZnO semiconductor channel layer. Second approach is to develop the new kinds of oxide semiconductor materials, which is very robust and stable against the gate bias stress and thermal stress.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.326-329
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• 2009

We investigated the degradation of $In_2O_3-Ga_2O_3$-ZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs), which is promising device for driving circuits of nextgeneration displays. We performed the electronic stress test by applying gate and drain voltage. We discussed the degradation mechanism by thermal analysis and device simulation.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권7호
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• pp.1121-1127
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• 1994

The accelerated degradation phenomena in amorphous silicon thin film transistors due to both electrical stress and visible light illumination under the elevated temperature have been investigated systematically as a function of gate bias, light intensity, and stress time. It has been found that, in case of electrical stress, the thrshold voltage shifts of a-Si:H TFT's may be attributed to the defect creation process at the early stage, while the charge trapping phenomena may be dominant when the stressing periods exceed about 2 hours. It has been also observed that the degradation in the device characteristics of a-Si:H TFT's is accelerated due to multiple stress effects, where the defect creation mechanism may be more responsible for the degradation rather than the charge trapping mechanism.

• 한국응급구조학회지
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• 제23권2호
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• pp.33-42
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• 2019

Purpose: This study aimed to identify the effects of post-traumatic stress disorder intervention programs on firefighters through a meta-analysis. Methods: Seven studies were selected for meta-analysis. The overall average effect size, effect sizes for each intervention variables, and publication bias were analyzed using Comprehensive Meta-Analysis(CMA) version 2.0 (Biostat, Englewood, NJ, USA). Results: Post-traumatic stress disorder intervention programs were found to have a very low, not statistically significant effect (effect size=-.171, confidence interval=-0.361~0.019, Z=-1.768, p>.05). However, these programs was less than 50 (effect size=-.622). Conclusion: The results of this study suggest that further research on the effects of post-traumatic stress disorder intervention among firefighters is needed in order to develop more effective programs.

• 지역사회간호학회지
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• 제33권1호
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• pp.43-52
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• 2022

Purpose: This study was to investigate the mediating effects of health concern and depression on the stress and fatigue of COVID-19 self-quarantine. Methods: This was a cross-sectional study. A total of 227 people with COVID-19 self-quarantine experience were recruited during May 2021. Participants were invited to complete self-reported questionnaires that measure stress, health concern, depression, fatigue and demographic information. The data obtained were analyzed using multiple regression and dual mediation model applying the PROCESS macro with 95% bias-corrected bootstrap confidence interval. Results: This study analyzed the direct effects of COVID-19 stress on the health concern, depression and fatigue. And COVID-19 stress had indirect effects on their fatigue via health concern and depression. Both health concern and depression had dual mediating effects in the influence of COVID-19 stress on fatigue. In the relationship between COVID-19 stress and fatigue, the mediating effect of depression was significant. Conclusion: Fatigue due to prolonged COVID-19 can be alleviated by managing stress and mediating health concern and depression, and so therefore active nursing intervention is required.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.2509-2515
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• 2014

본 논문에서는, 초고집적 CMOS를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조에서 내부 임계전압과 활성 영역의 스트레스 영향을 개선시키고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이며, 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포와 게이트 바이어스 대 에너지 밴드 형태, 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이며, 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 제작한 소자의 결과 분석도 시뮬레이션 결과 데이터와 거의 동일하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.719-722
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• 2003

This work investigates the device degradation p-channel PD SOI devices at various applied voltages as well as stress temperatures with respect to Body-Contact SOI (BC-SOI) and Floating-Body SOI (FB-SOI) MOSFETs. It is observed that the drain current degradation at the gate voltage of the maximum gate current is more significant in FB-SOI devices than in BC-SOI devices. For a stress at the gate voltage of the maximum gate current and elevated temperature, it is worth noting that the $V_{PT}$ Will be decreased by the amount of the HEIP plus the temperature effects. For a stress at $V_{GS}$ = $V_{DS}$ . the drain current decreases moderately with stress time at room temperature but it decreases significantly at the elevated temperature due to the negative bias temperature instability.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.461-464
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• 1999

This study has been investigated that traps generated inside of the oxide and at the oxide interfaces by the stress bias voltage. The traps are charged near the cathode with negative charge and charged near the anode with positive charge. The charge state of the traps can easily be changed by application of low voltages after the stress high voltage. These trap generation involve either electron impact ionization processes or high field generation processes. It determined to the relative traps locations inside the oxides ranges from 113.4$\AA$ to 814$\AA$ with capacitor areas of 10$^{-3}$ $\textrm{cm}^2$ . The oxide charge state of traps generated by the stress high voltage contain either a positive or a negative charge.