• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.119-119
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• 2008

The electrical characteristics of Metal-Ferroelectric-Nitride-Oxide-Silicon (MFNOS) structure is studied and compared to the conventional Silicon-Oixde-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) capacitor. The ferroelectric blocking layer is SrBiNbO (SBN with Sr/Bi ratio 1-x/2+x) with the thickness of 200 nm and is fabricated by the RF sputter. The memory windows of MFNOS and SONOS capacitors with sweep voltage from +10 V to -10 V are 6.9 V and 5.9 V, respectively. The effect of ferroelectric blocking layer and charge trapping on the memory window was discussed. The retention of MFNOS capacitor also shows the 10-years and longer retention time than that of the SONOS capacitor. The better retention properties of the MFNOS capacitor may be attributed to the charge holding effect by the polarization of ferroelectric layer.

• 센서학회지
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• 제22권4호
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• pp.297-301
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• 2013

We proposed and demonstrated a distributed fiber-optic overheating detection sensor using optical time domain refrectometry. With increased of temperature the optical fiber is bended by a bi-metal and it result in optical leaky loss of the fiber. The sensor structure is designed in such a way that the signal of overheating is happen when the temperature exceeding a threshold temperature and the optical fiber is protected from excess bending.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.59-66
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• 2011

본 논문에서는 높은 방사 효율을 갖는 co-planar waveguide(CPW) 급전 방식의 영차 공진 안테나를 제작하고 측정하였다. 제안된 안테나의 단위 셀은 직렬 metal-insulator-metal(MIM) 형태의 커패시터와 단락된 병렬 스터브 인덕터로 구성되어 있다. 안테나의 크기를 소형화시키는 동시에 방사 효율을 높이기 위하여 비아를 통하여 접지면과 연결되어지는 두 개의 $90^{\circ}$ 접혀진 단락 스터브 선로를 병렬 인덕터의 구조로 사용하였다. 두 개의 단위셀을 사용하여 설계된 안테나는 composite right/left-handed(CRLH) 전송 선로의 끝단을 개방하여 병렬부에서 주된 방사가 일어나도록 하였다. 제안된 안테나의 영차 공진 주파수는 3.05 GHz이고, 전체 크기는 $0.22\;{\lambda}_0{\times}0.22\;{\lambda}_0$이다. 제작된 안테나의 측정 결과, 영차 공진 주파수 2.97 GHz에서 안테나의 이득과 효율은 각각 3.04 dBi와 75 %로 향상되었다.

• 공업화학
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• 제22권5호
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• pp.479-485
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• 2011

다양한 비율의 Pt와 Bi를 carbon black (Vulcan XC-72R)에 담지시킨 Pt-Bi/C 촉매를 환원법을 이용하여 합성하였다. Pt와 Bi의 전구체로는 염화백금산($H_2PtCl_6{\cdot}xH_2O$)과 비스무스트리질산($Bi(NO_3)_3{\cdot}5H_2O$) 수용액을 각각 사용하였으며, 금속을 carbon에 담지하기 전, 금속물질의 분산도를 높여주기 위해 열처리와 산처리를 수행한 carbon black을 사용하였다. XRD (X-ray Diffraction) 분석과 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석을 통하여 Pt-Bi/C 촉매 내에 Pt와 Bi가 소성시키기 전에는 BiPt 혹은 $Bi_2Pt$로 존재하지만 $500^{\circ}C}$에서 소성을 한 후에는 Pt 격자구조 안으로 Bi가 침투하여 alloy을 형성하는 것을 확인하였다. 합성한 전극의 메탄올 산화반응은 전기화학분석장치(Potentiostat; Princeton applied research, VSP)를 사용하여 0.5 M $CH_3OH$와 0.5 M $H_2SO_4$의 혼합수용액에서 순환전압법(cyclic voltammetry, CV)을 이용해 측정하였다. 메탄올 산화에 대한 전기화학적 촉매 활성을 평가한 결과 적절한 양의 Bi를 첨가한 경우, 메탄올 산화반응에 대한 높은 촉매활성을 나타냄을 확인하였다. 메탄올 산화에 대한 활성은 전극과 전해질 사이의 안정성과 밀접한 관련이 있다. 정전압법(Chronoamperometry, CA)을 이용하여 전극의 안정성을 평가한 결과 메탄올 산화반응에 높은 활성을 나타내는 촉매일수록 전극의 안정성도 높은 것을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2004년도 제27회 학술발표회 초록집
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• pp.52-52
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• 2004

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2019년도 춘계학술논문요약집
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• pp.414-415
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• 2019

• 자원리싸이클링
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• 제21권5호
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• pp.50-57
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• 2012

황산동 용액중에 불순물로 존재하는 Sb, Bi 및 As를 제거하기 위해 Aminophosphosphonic acid를 관능기로 함유한 이온교환수지를 사용하여 비교 실험을 실시하였다. 이들 불순물 제거 반응에 영향을 미칠 수 있는 반응온도, 반응시간, 이온교환수지양 등에 대하여 고찰하였다. 기초 실험 결과 약 88%의 Sb 및 94%의 Bi가 이온교환수지에 흡착되어 황산동용액으로부터 제거가 가능하였다. 그러나 As의 경우는 제거율이 10% 이하로 미미하였다. 한편, Bi 와 Sb가 흡착된 수지에서 황산과 염산용액을 이용하여 선택적으로 세출이 가능하였다. 연속흡착실험 결과 Sb 와 Bi의 경우는 2BV 후에는 98.1%와 96.6%의 높은 흡착율을 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.290-296
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• 2009

$Bi_{4}Ti_{3}O_{12}$ (BiT) thin films were grown on the Pt/Ti/$SiO_2$/si substrate using a metal organic decomposition (MOD) method. Effects of oxygen annealing on the structural properties and dielectric properties of the BiT thin films were investigated. The BiT films were well developed when rapid thermal annealed at $>500^{\circ}C$ in oxygen ambient. For the film annealed at $700^{\circ}C$, no crystalline phase was observed under oxygen free annealing atmosphere while its crystallinity was significantly enhanced as the oxygen pressure increased. The BiT film also exhibited a smooth surface with defect free grains. A high dielectric constant and a low dielectric loss were achieved satisfactory in the frequency range from 75 kHz to 1 MHz. Especially, the BiT film, annealed at $700^{\circ}C$ and 10 torr oxygen pressure, showed good dielectric properties: dielectric constant of 51 and dielectric loss of 0.2 % at 100 kHz. Its leakage current was also considerably improved, being as $0.62\;nA/cm^2$ at 1 V. Therefore, it is considered that the oxygen annealing has effects on an enhancement of crystallinity and dielectric properties of the BiT films.

• 한국재료학회지
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• 제17권3호
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• pp.147-151
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• 2007

Cu-free multi-component sol, of which final oxide composition becomes $Bi_{1.9}Pb{0.35}SrCaO,\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO\;and\;Bi_{1.5}SrCaO$, respectively, was prepared through sol-gel route and coated on a bare Cu substrate. Starting materials were metal-alkoxides as follows.; [$Bi(OC_{2}H_{5})_{3}\;Pb(O^{1}C_{3}H_{7})_{2},\;Sr(O^{i}C_{3}H_{7})_{2},\;Ca(OC_{2}H_{5})_{2}$] as a reagent grade. Transparent light yellowish sol was obtained in the case of $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO\;and\;Bi_{1.8}Pb_{0.2}SrCaO$ composition and $Bi_{1.5}SrCaO$ composition's sol was light greenish. Each sol was repeatedly dip-coated on Cu substrate four times and pre-heated at $400^{\circ}C$ and finally heat-treated in the range of $740{\sim}900^{\circ}C$. In the results, crystalline phases confirmed by XRD were (2201) orthorhombic and monoclinic phases. However, only $Bi_{1.9}Pb_{0.35}SrCaO_{x}$ composition showed pseudo-superconductive behavior after heat-treatment at $900^{\circ}C$ for 12 seconds and then onset temperature was 77 K, even though it did not exhibit zero resistance below Tc.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1084-1090
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• 2000

(Bi$_2$O$_2$)$^{2+}$층 사이에 두 개의 Ta-O 팔면체로 연결된 Bi 계의 층상 페로브스카이트 구조인 SrBi$_2$Ta$_2$O$_{9}$ (SBT) 박막을 XPS를 이용하여 깊이별 화학 상태 변화를 분석하였다. 아르곤 이온으로 SBT 박막을 식각하면, SBT 박막의 각 구성물들은 가속 Ar$^{+}$ 이온의 에너지에 따라 변화한다. SBT 각 구성물 중 Sr 3d의 화학 상태는 Ar$^{+}$ 이온의 에너지변화에 따라 근소하게 변화한다. 반면에, Ta 4f와 Bi 4f의 화학 상태 변화는 인가되는 Ar$^{+}$ 이온 에너지에 확실하게 의존한다. 특히, Bi 4f는 Sr과 Ta에 비해 낮은 Ar$^{+}$ 이온 에너지에서도 Bi-O의 화학 상태가 금속 Bi 화학 상태로 현저하게 변화한다. 이러한 SBT 박막의 화학 상태 변화는 산호 원자의 선택적인 식각 때문에 발생하며 선택적인 식각은 SBT 박막 내에서 각 구성물과 산소간의 질량 차이와 각 구성물의 열적 안정성에 의존함을 알 수 있다.